| Entwicklung von optischen Modellen für Polysilicium-Schichten unter hohen Temperaturen für die Durchführung von spektralellipsometrischen in situ-Messungen während chemischer Gasphasenabscheidung Ziel des Projekts war die Charakterisierung der optischen und physikalischen Eigenschaften von "Polysilicium auf Oxid"-Strukturen. Die Ergebinsse sollten zur Durchführung von in situ-Messungen während der Polysilicium-Abscheidung in einem Vertikalofen verwendet werden.
Anhand von ex situ-Messungen wurde die Eigenschaften verschieden abgeschiedener Proben untersucht. Hieraus wurden die Einflüsse der Schichtdicken, der Temperatur, der Oberflächenrauhigkeit, der Grenzschichten und der Kornstruktur auf die optischen Eigenschaften ermittelt.
Anhand der Modelle wurde die Polysilicium-Dicke durch in situ-Messung während der Abscheidung gemessen. Die Abweichung zwischen in situ- und ex situ-Messungen konnten auf 0,2 bis 0,4 nm reduziert werden. | Projektleitung:
Prof. Dr.-Ing. Heiner Ryssel
Beteiligte:
Dipl. Phys. Christian Schmidt, Peter Petrik
Stichwörter:
Polysilicium; in-situ-Messung; Spektralellipsometrie; Vertikalofen
Laufzeit: 1.1.2001 - 31.12.2003
Mitwirkende Institutionen:
MTA-MFA Budapest, Ungarn
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