Research project

Für die Entwicklung von zukünftigen höchstintegrierten Deka-Nanometer-Baulementen (mit Strukturbreiten von einigen 10 nm) werden vor allem vergrabene Siliciumschichten mit Dicken von um die 50 nm in Betracht gezogen, die gegebenenfalls noch dünne, mit Germanium hoch dotierte Schichten enthalten können. Hauptprobleme bei diesen Materialien ist neben der Ladungsträgerbeweglichkeit die Segregation von Dotieratomen an den Grenzschichten zu den umgebenden Materialien. Im Rahmen dieses Projekts untersucht der Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente (LEB) der Universität Erlangen-Nürnberg die Segregation von Dotieratomen durch eine Kombination von innovativen experimentellen und theoretischen Arbeiten, die erst durch die Zusammenarbeit einer internationalen Gruppe ermöglicht werden.
Bei diesen Arbeiten übernimmt der LEB einen erheblichen Teil der Prozessierung der benötigten Proben. Bei diesen werden in der Folge an der North Carolina State University die Verteilungen der Dotieratome quantifiziert und am LEB zur Erstellung eines kinetischen Modells für die Oberflächensegregation verwendet. In diese Arbeiten fließen auch ab-initio Simulationen der Ohio State University ein. Im Rahmen der internationalen Zusammenarbeit wird der LEB auch Technologieunterstützung für die Königliche Technische Hochschule in Kista/Schweden leisten, die Deka-Nanometer-Bauelemente herstellt.