Ramanspektroskopie an SiliziumkarbidDie physikalischen und chemischen Eigenschaften von Siliziumkarbid (SiC) eröffnen diesem Halbleitermaterial
ein erhebliches Anwendungspotenzial zum Beispiel in der Leistungselektronik. Siliziumkarbid könnte
bei gleicher Reinheit und Kristallqualität in diesem Bereich das etablierte Silizium ablösen.
Allerdings ist die Kristallzüchtung bei weitem noch nicht so ausgereift. Zur Verbesserung ist
es wichtig, eine aussagekräftige Charakterisierungsmethode zu haben.
Die Fragestellungen dieses Projektes betreffen Aussagen über
Polytypen und Polytypenreinheit von SiC mechanische Verspannungen in SiC-Kristallen Dotierung Stapelfehler Massentransport bei der Kristallzüchtung Isotopensubstitution (13C statt 12C) und Massenunordnung
Unser Ziel im Rahmen dieses Projektes ist es, mit Hilfe der Mikro-Ramanspektroskopie ein besseres Verständnis
und damit eine Optimierung des Kristallwachstum zu ermöglichen. | Project manager:
Prof. Dr. Lothar Ley,
Project participants:
Dipl.-Phys. Roland Püsche
Start: 1.1.1996
Sponsored by:
Deutsche Forschungsgemeinschaft, Sonderforschungsbereich 292
Contact:
| | Publications |
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| S. Rohmfeld ; Hundhausen, Martin ; Ley, Lothar: Raman scttering in polycrystalline 3C-SiC: influence of stacking faults. In: Physical Review B 58 (1998), pp 9858 | | Püsche, Roland ; S. Rohmfeld ; Hundhausen, Martin ; Ley, Lothar: Disappearance of the LO-Phonon line in the Raman spectrum of 6H-SiC. In: Material Science Forum 338-342 (2000), pp 583 | | S. Rohmfeld ; Hundhausen, Martin ; Ley, Lothar ; N. Schulze ; Pensl, Gerhard: Isotope-disorder-induced line broadening of phonons in the Raman spectra of SiC. In: Physical Review Letters 86 (2001), pp 826 | | B. Herzog ; S. Rohmfeld ; Püsche, Roland ; Hundhausen, Martin ; Ley, Lothar ; Semmelroth, Kurt ; Pensl, Gerhard: Experimental Determination of the Phonon-Eigenvectors of Silicon Carbide by Raman Spectroscopy. In: Material Science Forum 389-393 (2002), pp 625 | | S. Rohmfeld ; Hundhausen, Martin ; Ley, Lothar ; C. A. Zorman ; M. Mehregany: Quantitative evaluation of biaxial strain in epitaxial 3 C- SiC layers on Si(100) substrates by Raman spectroscopy. In: Journal of Applied Physics 91 (2002), pp 1113 |
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