| Zweiphotonenphotoemission an Siliziden (SFB 292/E8) (Fauster) Die elektronischen Zustände an geordneten epitaktischen
Kobaltsilizidfilmen auf Si(111) und Si(100) sollen mit der winkel- und
zeitaufgelösten Zweiphotonenphotoelektronenspektroskopie hinsichtlich
Energie, Impuls und Lebensdauer bestimmt werden. Durch Variation der
Schichtdicke können volumenartige Zustände von denen an den Grenzflächen
zum Substrat oder zum Vakuum unterschieden werden. Die detaillierte
Aufklärung der elektronischen Struktur soll zu einem besseren
Verständnis der elektrischen und optischen Eigenschaften der
Silizidfilme beitragen. | Beteiligte:
Dr. Michael Kutschera, Dipl. Phys. Christian Orth, Prof. Dr. Martin Weinelt
Laufzeit: 1.1.1999 - 31.12.2001
Förderer:
Deutsche Forschungsgemeinschaft
Mitwirkende Institutionen:
SFB 292: Mehrkomponentige Schichtsysteme
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| A. Kirakosian ; R. Bennewitz ; J. N. Crain ; Fauster, Thomas ; J.-L. Lin ; D. Y. Petrovykh ; F. J. Himpsel: Atomically accurate Si grating with 5.73 nm period. In: Appl. Phys. Lett. 79 (2001), S. 1608 | | Kentsch, Carsten ; Kutschera, Michael ; Weinelt, Martin ; Fauster, Thomas ; Michael Rohlfing: Electronic Structure of Si(100) Surfaces Studied by Two-Photon Photoemission. In: Phys. Rev. B 65 (2002), S. 035323 | | Seubert, Armin ; Schardt, Judith ; Weiß, Wolfgang ; Starke, Ulrich ; Heinz, Klaus ; Fauster, Thomas: Interface structure of ultrathin CoSi2 films epitaxially grown on Si(111). In: Appl. Phys. Lett. 76 (2000), S. 727 | | Weinelt, Martin ; Kutschera, Michael ; Fauster, Thomas ; Rohlfing, Michael: Dynamics of Exciton Formation at the Si(100) c(4 x 2) Surface. In: Phys. Rev. Lett. 92 (2004), S. 126801 |
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