| Strukturen von Metall/Silizium Grenzflächen und Silizidbildung (SFB 292/D3) (Heinz/Hammer) Aufgrund ihrer Bedeutung für Kontakte zum Halbleitermaterial Silizium werden epitaktische Eisensilizidfilme auf Si(111) gewachsen und mittels Ratertunnelmikroskopie und Elektronenbeugung untersucht. Dabei interessiert insbesondere, unter welchen Präparationsbedingungen sich die meist beobachtete gleichzeitige Bildung mehrerer Silizidphasen unterdrücken, d.h. eine einzelne Phase stabilisieren lässt. | Projektleitung:
apl. Prof. Dr. Ulrich Starke, Dr. Lutz Hammer, Akad. Dir.
Beteiligte:
Dr. Michael Krause, Dr. Sebastian Walter
Laufzeit: 1.1.1999 - 31.12.2001
Förderer:
Deutsche Forschungsgemeinschaft
Mitwirkende Institutionen:
SFB 292: Mehrkomponentige Schichtsysteme
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| Seubert, Armin ; Schardt, Judith ; Weiß, Wolfgang ; Starke, Ulrich ; Heinz, Klaus ; Fauster, Thomas: Interface structure of ultrathin CoSi2 films epitaxially grown on Si(111). In: Appl. Phys. Lett. 76 (2000), S. 727 | | Reuter, Karsten ; P.L. de Andres ; F.J. Garcia-Vidal ; F. Flores ; Heinz, Klaus: Electronic surface structure of CoSi2(111)-(2×1)/Si(111): Implications for Ballistic Electron Microscopy Currents. In: Appl. Surf. Sci. 166 (2000), S. 103-107 | | Reuter, Karsten ; P.L. de Andres ; F.J. Garcia-Vidal ; D. Sestovic ; F. Flores ; Heinz, Klaus: Green’s function calculation of Ballistic Electron Emission Microscopy currents (BEEM V2.1). In: Comp. Phys. Comm. 127 (2000), S. 327-342 | | Starke, Ulrich ; Schardt, Judith ; Weiß, Wolfgang ; Meier, Wolfgang ; Heinz, Klaus ; C. Polop ; P.L. de Andres: Structural and compositional reversible phase transitions on low-indexFe3Si surfaces. In: Europhys. Lett. 56 (2001), S. 822-828 | | Reuter, Karsten ; P.L. de Andres ; F.J. Garcia-Vidal ; F. Flores ; Heinz, Klaus: Surface and bulk band-structure effects on CoSi2/Si(111) ballistic-electron emission experiments. In: Phys. Rev. B 63 (2001), S. 205325/1-10 | | Starke, Ulrich ; Weiß, Wolfgang ; Kutschera, Michael ; Bandorf, Ralf ; Heinz, Klaus: High quality iron silicide films by simultaneous deposition of iron and silicon Si(111). In: J. Appl. Phys. 91 (2002), S. 6154-6161 |
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