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Halbleiterbauelemente (HBEL)5 ECTS (englische Bezeichnung: Semiconductor Devices)
Modulverantwortliche/r: Tobias Dirnecker Lehrende:
Tobias Dirnecker
Studienfächer/Prüfungsordnungsmodule:
Einfrieren der UnivIS-Modul-Beschreibung: 16.8.2018
Halbleiterbauelemente (16183)
M2 Ingenieurwissenschaftliche Kernmodule (MEL) (42937)
Vertiefungsmodule aus der Studienrichtung Bildgebende Verfahren (43092)
Startsemester: |
WS 2018/2019 | Dauer: |
1 Semester | Turnus: |
halbjährlich (WS+SS) |
Präsenzzeit: |
60 Std. | Eigenstudium: |
90 Std. | Sprache: |
Deutsch |
Lehrveranstaltungen:
Das Tutorium Halbleiterbauelemente stellt ein zusätzliches Angebot an die Studierenden zur Prüfungsvorbereitung dar. Es handelt sich dabei um eine freiwillige Wahlveranstaltung.
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Halbleiterbauelemente
(Vorlesung, 2 SWS, Tobias Dirnecker, Di, 12:15 - 13:45, H9; Einzeltermin am 22.10.2018, 14:15 - 15:45, H9; bis zum 29.1.2019)
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Übungen zu Halbleiterbauelemente
(Übung, 2 SWS, Tobias Stolzke, Mo, 14:15 - 15:45, H9; Einzeltermin am 5.2.2019, 12:15 - 13:45, H9; ab 29.10.2018)
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Tutorium Halbleiterbauelemente (optional)
(Tutorium, 2 SWS, Tobias Stolzke, Mo, 12:15 - 13:45, HH; Erster Termin: 03.12.2018)
Empfohlene Voraussetzungen:
Grundlagen der Elektrotechnik I
Inhalt:
Die Vorlesung Halbleiterbauelemente vermittelt den Studenten der Elektrotechnik die physikalischen Grundlagen moderner Halbleiterbauelemente. Der erste Teil der Vorlesung befasst sich nach einer Einleitung mit Bewegungsgleichungen von Ladungsträgern im Vakuum sowie der Ladungsträgeremission im Vakuum und daraus abgeleiteten Bauelementen. In der anschließenden Behandlung von Ladungsträgern im Halbleiter werden die wesentlichen Aspekte der Festkörperphysik zusammengefasst, die zum Verständnis moderner Halbleiterbauelemente nötig sind. Darauf aufbauend werden im Hauptteil der Vorlesung die wichtigsten Halbleiterbauelemente, d.h. Dioden, Bipolartransistoren und Feldeffekttransistoren detailliert dargestellt. Einführungen in die wesentlichen Grundlagen von Leistungsbauelementen und optoelektronischen Bauelementen runden die Vorlesung ab.
Lernziele und Kompetenzen:
Die Studierenden
- Verstehen
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- Anwenden
- beschreiben die Funktionsweisen moderner Halbleiterbauelemente
berechnen Kenngrößen der wichtigsten Bauelemente
übertragen - ausgehend von den wichtigesten Bauelementen, wie Dioden, Bipolartransistoren und Feldeffekttransistoren - diese Funktionsprinzipien auf Weiterentwicklungen für spezielle Anwendungsgebiete wie Leistungselektronik oder Optoelektronik
- Analysieren
- diskutieren das Verhalten der Bauelemente z.B. bei hohen Spannungen oder erhöhter Temperatur
Literatur:
- Vorlesungsskript, am LEB erhältlich
R. Müller: Grundlagen der Halbleiter-Elektronik, Band 1 der Reihe Halbleiter-Elektronik, Springer-Verlag, Berlin, 2002
D.A. Neamen: Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, McGraw-Hill (Richard D. Irwin Inc.), 2002
Th. Tille, D. Schmitt-Landsiedel: Mikroelektronik, Springer-Verlag, Berlin, 2004
S.K. Banerjee, B.G. Streetman: Solid State Electronic Devic-es, Prentice Hall, 2005
Organisatorisches:
Unterlagen zur Vorlesung über StudOn
Weitere Informationen:
Schlüsselwörter: Bauelemente, Halbleiter
Verwendbarkeit des Moduls / Einpassung in den Musterstudienplan: Das Modul ist im Kontext der folgenden Studienfächer/Vertiefungsrichtungen verwendbar:
- Berufspädagogik Technik (Master of Education)
(Po-Vers. 2018w | TechFak | Berufspädagogik Technik (Master of Education) | Gesamtkonto | Unterrichtsfach (Zweitfach) inkl. Fachdidaktik | Elektro- und Informationstechnik | Halbleiterbauelemente)
Studien-/Prüfungsleistungen:
Halbleiterbauelemente (Prüfungsnummer: 25901)
(englischer Titel: Semiconductor Devices)
zugeh. "mein campus"-Prüfung: | - 25901 Halbleiterbauelemente (Medizintechnik (Bachelor of Science) 2013, Prüfung, Form: Klausur, Drittelnoten (mit 4,3), Dauer: 90, 5.0 ECTS, Prüfung).
- 18112 Ingenieurwissenschaftliches Kernmodul (Prüfung, Form: Klausur, Drittelnoten (mit 4,3), Dauer: -, 5 ECTS, Platzhalter).
- 17052 Vertiefungsmodul aus dem Kompetenzfeld Bildgebende Verfahren (Medizintechnik (Bachelor of Science) 2013, Prüfung, Form: variabel, Zehntelnoten, Dauer: -, 5.0 ECTS, Platzhalter).
- 25901 Halbleiterbauelemente (Gewichtung: 100.0 %, Prüfung, Form: Klausur, Drittelnoten (mit 4,3), Dauer: 90, 5 ECTS, Prüfung).
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- Prüfungsleistung, Klausur, Dauer (in Minuten): 90, benotet, 5.0 ECTS
- Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %
- Erstablegung: WS 2018/2019, 1. Wdh.: SS 2019, 2. Wdh.: keine Wiederholung
1. Prüfer: | Tobias Dirnecker (100278) |
- Termin: 11.02.2019, 08:00 Uhr, Ort: Tentoria
Termin: 29.07.2019, 11:30 Uhr, Ort: s. Aushang
Termin: 10.02.2020, 11:00 Uhr, Ort: Tentoria
Termin: 10.08.2020, 13:00 Uhr, Ort: s. AushangTermin: 11.02.2019, 08:00 Uhr, Ort: Tentoria
Termin: 29.07.2019, 11:30 Uhr, Ort: s. Aushang
Termin: 10.02.2020, 11:00 Uhr, Ort: Tentoria
Termin: 10.08.2020, 13:00 Uhr, Ort: s. Aushang
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