Vertiefungsfächer
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VORL; 4 SWS; ECTS: 6; nach Vereinbarung
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WPF CBI-DH-VF-BVT 5-10
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Dörnenburg, H.
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VORL; 4 SWS; ECTS: 6; Di, 8:00 - 10:00, SR 02.028; Fr, 10:00 - 12:00, SR 02.028
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WPF CBI-DH-VF-BVT 5-10
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Dörnenburg, H.
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PR; 3 SWS; ECTS: 3; nach Vereinbarung
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WPF CBI-DH-VF-BVT 5-10
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Dörnenburg, H.
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PR; 3 SWS; ECTS: 3; n. V.
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WPF CBI-DH-VF-BVT 5-10
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Dörnenburg, H.
Assistenten
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VORL; 3 SWS; ECTS: 4,5; Di, 10:15 - 11:45, KS I; Fr, 8:30 - 9:15, KS I
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WPF CBI-DH-VF-PAT 7
WPF CBI-MA-VF-PAT 1
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Schlücker, E.
Depmeier, L.
Wirth, W.
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UE; 1 SWS; ECTS: 1,5; Fr, 9:15 - 10:00, KS I
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WPF CBI-DH-VF-PAT 7
WPF CBI-MA-VF-PAT 1
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Schlücker, E.
Depmeier, L.
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PR; 3 SWS; Schein; ECTS: 3; s. besondere Ankündigung, Anmeldung erforderlich (Lehrstuhl für Prozessmaschinen und Anlagentechnik, Cauerstraße 4)
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WPF CBI-DH-VF-PAT 7
WPF CBI-MA-VF-PAT 1
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N.N.
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Praktikum in Strömungsmechanik Vertiefung [STM-VF-P]
PR; 3 SWS; für Studierende des siebten Fachsemesters mit Vertiefungsfach Strömungsmechanik ist dieses Praktikum Pflicht; an Montagen und Donnerstagen zu vereinbarten Zeiten an vereinbartenOrten (siehe Aushänge am LSTM).
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PF CBI-DH-VF-STM 7
PF CBI-MA-VF-STM 3
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Alleborn, N.
Delgado, A.
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VORL; 3 SWS; Mi, 8:00 - 10:00, KS II; Mo, 10:00 - 11:00, KS II
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WPF CBI-DH-VF-STM 7
WPF CBI-MA-VF-STM 3
WPF CE-BA-TA-TF 7
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Durst, F.
Becker, S.
Baars, A.
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UE; 1 SWS; Mo, 11:00 - 12:00, KS II
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WPF CE-BA-TA-TF 6
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Baars, A.
Durst, F.
u.a.
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Reaktionstechnik / Chemical Reaction Engineering [RT VERT. VORL]
VORL; 3 SWS; ben. Schein; ECTS: 9; Mo, 8:15 - 9:00, T 0.75; Mi, 10:15 - 11:45, T 0.75; siehe Aushang am Lehrstuhl
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WPF CBI-DH-VF-RT 7
WPF CBI-MA-VF-RT 7
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Wasserscheid, P.
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Reaktionstechnik, Praktikum / Practical to Chemical Reaction Engineering [Prak RT]
PR; 3 SWS; Schein; Ankündigung in Vorlesung bzw. Aushang, Anmeldung bis 28.11.2003
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WPF CBI-DH-VF-RT 7
WPF CBI-MA-VF-RT 7
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Schwieger, W.
Schulz, P.
Assistenten
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Reaktionstechnik, Übungen / Exercices Chemical Reaction Engineering [RT VERT. UE]
UE; 1 SWS; Mo, 9:00 - 9:45, T 0.75; Ankündigung in Vorlesung
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WPF CBI-DH-VF-RT 7
WPF CBI-MA-VF-RT 7
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Wasserscheid, P.
Haumann, M.
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