Siliziumkarbid (SiC) ist ein Halbleitermaterial mit einem erheblichen Anwendungspotential, da es physikalische und chemische Eigenschaften besitzt, die es in vielen Bereichen dem etablierten Silizium überlegen macht. Ein Anwendungsfeld liegt in der Leistungselektronik, wo der generelle Einsatz von SiC anstatt Silizium zu Einsparungen von mehreren Prozent des Gesamtstromverbrauchs führen wird. An der Realisation dieses Potentials arbeiten daher führende Industrieunternehmen weltweit, und sie werden in vielen Ländern durch langfristig angelegte, nationale Forschungsprogramme unterstützt. Unter dem Zwang zum wirtschaftlichen Erfolg werden dabei fast ausschließlich etablierte Verfahren der Kristallzucht und der Halbleitertechnologie verfolgt. Diese DFG-Forschergruppe will daher alternative Verfahren zur Kristallzucht und zur Prozessierung von SiC im Hinblick auf elektronische Anwendungen verfolgen.

• Siliziumkarbid Volumenkristallzüchtung

• Dotierung von Siliziumkarbid

• Theorie der Dotierung

• Charakterisierung

• Alternative Wege in der SiC-Sublimationszüchtung und Kodotierung mit Donatoren
  
• Charakterisierung des SiC-Kirstallwachstums durch Mikro-Ramanspektroskopie
  
• Charakterisierung von Defekten in SiC-Kristallen durch Röntgenbeugung
  
• Herstellung von polytypenreinen defektarmen SiC-Volumenkristallen aus der flüssigen Phase
  
• Kristallzüchtung von SiC nach dem M-PVT Verfahren
  
• Realstruktur und Wachstumsmechanismen von SiC-Einkristallen
  
• Theorie der Dotierung von SiC: Fremdatome und intrinsische Defekte
  
• Untersuchung von p-dotierten Schichten zur Bauelementeisolation