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Crystal Growth MWT (M2 - M3) (CGMWT)12.5 ECTS (englische Bezeichnung: Crystal Growth MWT)
Modulverantwortliche/r: Peter Wellmann Lehrende:
Peter Wellmann, Uwe Scheuermann
Startsemester: |
WS 2017/2018 | Dauer: |
2 Semester | Turnus: |
halbjährlich (WS+SS) |
Präsenzzeit: |
120 Std. | Eigenstudium: |
255 Std. | Sprache: |
Deutsch und Englisch |
Lehrveranstaltungen:
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Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie (WS 2017/2018)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Di, 14:15 - 16:00, 3.71; bis zum 6.2.2018; Am 19.12.2017 - im Raum 0.85; keine Vorlesungen am 21.11.2017 und 30.01.2018)
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Praktikum Wahlfach Crystal Growth (WS 2017/2018)
(Praktikum, 3 SWS, Peter Wellmann, Do, 8:00 - 18:00, 3.71; n.V.)
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Elektronische Bauelemente und Materialfragen (Technologie II) (SS 2018)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Mi, 12:15 - 13:45, 3.71; ab 16.4.2018)
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Exkursionen (SS 2018)
(Exkursion, Peter Wellmann, bitte Aushänge beachten)
- Wahlvorlesungen
Aus den optionalen Wahlveranstaltungen können Vorlesungen gewählt werden, die mit 3 ECTS in das Modul eingehen.
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Halbleiter großer Bandlücke (SS 2018 - optional)
(Vorlesung, 1 SWS, Peter Wellmann, Mi, 14:15 - 15:45, 3.71; ab 25.4.2018; 6 termine im SS2018)
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Aufbau- und Verbindungstechnik in der Leistungselektronik (WS 2017/2018 - optional)
(Vorlesung, 2 SWS, Uwe Scheuermann, Fr, 12:15 - 13:45, A 2.16)
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Numerische Modellierung des Kristallwachstums mithilfe des Programmpakets COMSOL Multi-Physics (SS 2018 - optional)
(Vorlesung mit Übung, 2 SWS, Anwesenheitspflicht, Peter Wellmann)
Empfohlene Voraussetzungen:
Bachelor in Materialwissenschaft, Nanotechnologie, Energietechnik, Elektrotechnik, Physik, Chemie oder in einem vergleichbaren Studiengang.
Inhalt:
Grundlagen des Kristallwachstums und er Halbleitertechnologie
Grundlagen des Kristallwchstums
Grundlagen der Silizium Halbleitertechnologie (Oxidation, Dotierung mittels Diffusion und Ionenimplantation, Ätzen, Metallisierung Lithographie, Packaging)
Elektronische Bauelemente und Materialfragen
Korrelation von Bauelementfunktion (Bipolar-Diode, Bipolar-Transistor, Schottky-Diode, Feldeffekt-Transistor, Leucht- und Laserdiode) mit Materialeigenschaften
Grundlagen der Epitaxie
Praktikum:
Czochralski Kristallwachstum vonInSb
Modellierung in der Kristallzüchtung
Halbleitercharakterisierung
Lernziele und Kompetenzen:
Die Studierenden
erwerben fundierte Kenntninsse über Materialeigenschaften und deren Anwendungen in elektronischen Bauelementen
lernen experimentelle Techniken in den Werkstoffwissenschaften kennen und können sie selbständig anwenden
können Theorien, Terminologien und Lehrmeinungen des Faches, erläutern, anwenden und reflektieren
können in Gruppen kooperativ und verantwortlich arbeiten
Literatur:
wird in den Lehrveranstaltungen angegeben
Verwendbarkeit des Moduls / Einpassung in den Musterstudienplan: Das Modul ist im Kontext der folgenden Studienfächer/Vertiefungsrichtungen verwendbar:
- Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science)
(Po-Vers. 2010 | TechFak | Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science) | Module M1 - M3 (gegliedert nach Kernfächern) | Kernfach Allgemeine Werkstoffeigenschaften | 2. Werkstoffwissenschaftliches Modul (M2) | Crystal Growth)
- Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science)
(Po-Vers. 2010 | TechFak | Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science) | Module M1 - M3 (gegliedert nach Kernfächern) | Kernfach Allgemeine Werkstoffeigenschaften | 3. Werkstoffwissenschaftliches Modul (M3) | Crystal Growth)
- Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science)
(Po-Vers. 2010 | TechFak | Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science) | Module M1 - M3 (gegliedert nach Kernfächern) | Kernfach Werkstoffkunde und Technologie der Metalle | 2. Werkstoffwissenschaftliches Modul (M2) | Crystal Growth)
- Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science)
(Po-Vers. 2010 | TechFak | Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science) | Module M1 - M3 (gegliedert nach Kernfächern) | Kernfach Werkstoffkunde und Technologie der Metalle | 3. Werkstoffwissenschaftliches Modul (M3) | Crystal Growth)
- Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science)
(Po-Vers. 2010 | TechFak | Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science) | Module M1 - M3 (gegliedert nach Kernfächern) | Kernfach Glas und Keramik | 2. Werkstoffwissenschaftliches Modul (M2) | Crystal Growth)
- Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science)
(Po-Vers. 2010 | TechFak | Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science) | Module M1 - M3 (gegliedert nach Kernfächern) | Kernfach Glas und Keramik | 3. Werkstoffwissenschaftliches Modul (M3) | Crystal Growth)
- Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science)
(Po-Vers. 2010 | TechFak | Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science) | Module M1 - M3 (gegliedert nach Kernfächern) | Kernfach Korrosion und Oberflächentechnik | 2. Werkstoffwissenschaftliches Modul (M2) | Crystal Growth)
- Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science)
(Po-Vers. 2010 | TechFak | Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science) | Module M1 - M3 (gegliedert nach Kernfächern) | Kernfach Korrosion und Oberflächentechnik | 3. Werkstoffwissenschaftliches Modul (M3) | Crystal Growth)
- Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science)
(Po-Vers. 2010 | TechFak | Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science) | Module M1 - M3 (gegliedert nach Kernfächern) | Kernfach Polymerwerkstoffe | 2. Werkstoffwissenschaftliches Modul (M2) | Crystal Growth)
- Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science)
(Po-Vers. 2010 | TechFak | Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science) | Module M1 - M3 (gegliedert nach Kernfächern) | Kernfach Polymerwerkstoffe | 3. Werkstoffwissenschaftliches Modul (M3) | Crystal Growth)
- Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science)
(Po-Vers. 2010 | TechFak | Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science) | Module M1 - M3 (gegliedert nach Kernfächern) | Kernfach Werkstoffe in der Elektrotechnik | 2. Werkstoffwissenschaftliches Modul (M2) | Crystal Growth)
- Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science)
(Po-Vers. 2010 | TechFak | Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science) | Module M1 - M3 (gegliedert nach Kernfächern) | Kernfach Werkstoffe in der Medizin | 2. Werkstoffwissenschaftliches Modul (M2) | Crystal Growth)
- Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science)
(Po-Vers. 2010 | TechFak | Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science) | Module M1 - M3 (gegliedert nach Kernfächern) | Kernfach Werkstoffe in der Medizin | 3. Werkstoffwissenschaftliches Modul (M3) | Crystal Growth)
- Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science)
(Po-Vers. 2010 | TechFak | Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science) | Module M1 - M3 (gegliedert nach Kernfächern) | Kernfach Werkstoffsimulation | 2. Werkstoffwissenschaftliches Modul (M2) | Crystal Growth)
- Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science)
(Po-Vers. 2010 | TechFak | Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science) | Module M1 - M3 (gegliedert nach Kernfächern) | Kernfach Werkstoffsimulation | 3. Werkstoffwissenschaftliches Modul (M3) | Crystal Growth)
- Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science)
(Po-Vers. 2010 | TechFak | Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science) | Module M1 - M3 (gegliedert nach Kernfächern) | Kernfach Mikro- und Nanostrukturfoschung | 2. Werkstoffwissenschaftliches Modul (M2) | Crystal Growth)
- Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science)
(Po-Vers. 2010 | TechFak | Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science) | Module M1 - M3 (gegliedert nach Kernfächern) | Kernfach Mikro- und Nanostrukturfoschung | 3. Werkstoffwissenschaftliches Modul (M3) | Crystal Growth)
Studien-/Prüfungsleistungen:
Crystal Growth MWT 3 (Prüfungsnummer: 63701)
(englischer Titel: Crystal growth MWT)
- Prüfungsleistung, mündliche Prüfung, Dauer (in Minuten): 20, benotet
- Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %
- Erstablegung: WS 2017/2018, 1. Wdh.: SS 2018
1. Prüfer: | Peter Wellmann |
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UnivIS ist ein Produkt der Config eG, Buckenhof |
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