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Crystal Growth 1 (cgl-1)5 ECTS (englische Bezeichnung: Crystal Growth 1)
Modulverantwortliche/r: Peter Wellmann Lehrende:
Peter Wellmann
Start semester: |
WS 2022/2023 | Duration: |
2 semester | Cycle: |
jährlich (WS) |
Präsenzzeit: |
60 Std. | Eigenstudium: |
90 Std. | Language: |
Deutsch oder Englisch |
Lectures:
Inhalt:
Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie
Grundlagen des Kristallwachstums
Grundlagen der Silizium Halbleitertechnologie (Oxidation, Dotierung mittels Diffusion und Ionenimplantation, Ätzen, Metallisierung Lithographie, Packaging)
Vertiefung: Halbleiter großer Bandlücke
Lernziele und Kompetenzen:
Die Studierenden erwerben fundierte Kenntnisse über Materialeigenschaften und deren Anwendung in elektronischen Bauelementen.
Kennenlernen experimenteller Techniken in den Werkstoffwissenschaften, Verfassen von technischen Berichten, Teamarbeit
Verwendbarkeit des Moduls / Einpassung in den Musterstudienplan: Das Modul ist im Kontext der folgenden Studienfächer/Vertiefungsrichtungen verwendbar:
- Nanotechnologie (Master of Science)
(Po-Vers. 2020w | TechFak | Nanotechnologie (Master of Science) | Gesamtkonto | 1. und 2. Naturwissenschaftlich-technisches Wahlmodul | Crystal Growth 1)
Studien-/Prüfungsleistungen:
Crystal Growth 1 (Prüfungsnummer: 62591)
- Prüfungsleistung, mündliche Prüfung, Dauer (in Minuten): 15, benotet, 5 ECTS
- Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %
- Prüfungssprache: Deutsch oder Englisch
- Erstablegung: WS 2022/2023, 1. Wdh.: SS 2023
1. Prüfer: | Peter Wellmann |
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