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Crystal Growth ET (MWT 3) (CGET)10 ECTS (englische Bezeichnung: Crystal growth ET)
Modulverantwortliche/r: Peter Wellmann Lehrende:
Peter Wellmann, Uwe Scheuermann
Startsemester: |
WS 2019/2020 | Dauer: |
2 Semester | Turnus: |
halbjährlich (WS+SS) |
Präsenzzeit: |
110 Std. | Eigenstudium: |
190 Std. | Sprache: |
Deutsch |
Lehrveranstaltungen:
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Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie (WS 2019/2020)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Di, 12:15 - 13:45, 3.71)
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Praktikum Wahlfach Crystal Growth (WS 2019/2020)
(Praktikum, 3 SWS, Peter Wellmann, Do, 8:00 - 18:00, 3.71; Hinweis: Das Praktikum findet erst im SS2020 statt)
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Elektronische Bauelemente und Materialfragen (Technologie II) (SS 2020)
(Vorlesung, 2 SWS)
- Wahlvorlesungen
Aus den optionalen Wahlveranstaltungen kann eine Vorlesung gewählt werden, die mit 1 ECTS in das Modul eingeht.
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Halbleiter großer Bandlücke (SS 2020 - optional)
(Vorlesung, 1 SWS, Peter Wellmann, VL findet im SS2020 NICHT statt; VL-Inhalte fließen in die LV "Elektronische Bauelemente und Materialfragen (Technologie II)" ein)
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Aufbau- und Verbindungstechnik in der Leistungselektronik (WS 2018/2019 - optional)
(Vorlesung, 2 SWS, Uwe Scheuermann, Fr, 12:15 - 13:45, 0.151-115) (Diese Lehrveranstaltung existiert im Semester WS 2019/2020 nicht, hier wird daher die Veranstaltung aus Semester WS 2018/2019 angezeigt!)
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Numerische Modellierung des Kristallwachstums mithilfe des Programmpakets COMSOL Multi-Physics (SS 2020 - optional)
(Vorlesung mit Übung, 1 SWS, Anwesenheitspflicht, Peter Wellmann)
Empfohlene Voraussetzungen:
Bachelor in Materialwissenschaft, Nanotechnologie, Energietechnik, Physik, Chemie oder in einem vergleichbaren Studiengang.
Inhalt:
Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie
Grundlagen des Kristallwachstums
Grundlagen der Silizium Halbleitertechnologie (Oxidation, Dotierung mittels Diffusion und Ionenimplantation, Ätzen, Metallisierung, Lithografie, Packaging)
Elektronische Bauelemente und Materialfragen
Korrelation von Bauelementfunktion (Bipolar-Diode, Bipolar-Transistor, Schottky-Diode, Feldeffekt-Transistor, Leucht- und Laserdiode) mit Materialeigenschaften
Grundlagen Epitaxie
Praktikum
Vorlesung / Übung
Lernziele und Kompetenzen:
Die Studierenden
-lernen experimentelle Techniken in den Werkstoffwissenschaften kennen und können sie selbständig anwenden
Literatur:
- S.M. Sze; Semiconductor Devices – Physics and Technology (14 x T80/8S58(2))
P.J. Wellmann; Materialien der Elektronik und Energietechnik : Halbleiter, Graphen, funktionale Materialien; Springer Vieweg (2017), eBook ISBN 978-3-658-14006-9, DOI 10.1007/978-3-658-14006-9, Softcover ISBN 978-3-658-14005-2
Buch: T80/10 T 19
elektronisch: https://link.springer.com/book/10.1007%2F978-3-658-14006-9
Studien-/Prüfungsleistungen:
Crystal Growth ET (MWT 3) (Prüfungsnummer: 991457)
(englischer Titel: Crystal growth ET)
- Prüfungsleistung, mündliche Prüfung, Dauer (in Minuten): 30, benotet
- Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %
- weitere Erläuterungen:
zusätzlich Absolvierung des Praktikums!
Alternative Prüfungsform laut Corona-Satzung: Die mündliche Prüfung findet als digitale Fernprüfung per ZOOM statt.
- Erstablegung: WS 2019/2020, 1. Wdh.: SS 2020
1. Prüfer: | Peter Wellmann |
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