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Halbleitertechnik II – CMOS-Technik (HL II - CMOS)5 ECTS (englische Bezeichnung: CMOS Technology)
Modulverantwortliche/r: Jörg Schulze Lehrende:
Jörg Schulze
Startsemester: |
WS 2022/2023 | Dauer: |
1 Semester | Turnus: |
jährlich (WS) |
Präsenzzeit: |
60 Std. | Eigenstudium: |
90 Std. | Sprache: |
Deutsch |
Lehrveranstaltungen:
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Halbleitertechnik II – CMOS-Technik
(Vorlesung, 2 SWS, Jörg Schulze, Mo, 08:15 - 09:45, 0.111)
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Übung zu Halbleitertechnik II - CMOS-Technik
(Übung, 2 SWS, Jörg Schulze, Mi, 12:15 - 13:45, 0.111)
Inhalt:
- Dimensionierung eines Langkanal-MOSFETs
Ideales und reales Verhalten eines Langkanal-MOSFETs
Mooresches Gesetz unf ITRSRoadmap
Skalierung eines MOSFETs und Kurzkanaleffekte: Vom Langkanal- zum Kurzkanal-MOSFET
Strategien zur Minimierung von Kurzkanal-Effekten; Moderne CMOS-Prozesse
Lernziele und Kompetenzen:
Die Studierenden besitzen die Kenntnis und das Verständnis des Aufbaus und des Verhaltens eines idealen und eines realen Langkanal-MOSFETs und haben ein umfassendes Verständnis von den sogenannten Kurzkanaleffekten in Kurzkanal-MOSFETs bzw. in Nano-MOSFETs. Darüber hinaus kennen sie technologische Strategien zur Minimierung der Kurzkanaleffekte und kennen die prinzipiellen Herstellungsprozessabläufe moderner CMOS-Prozesse. Außerdem besitzen die Studierenden die Kenntnis und das Verständnis des ITRS-Konzeptes der Halbleiterindustrie und der Notwendigkeit einer „Post-CMOS-Ära".
Literatur:
Era, World Scientific, 2008
Studien-/Prüfungsleistungen:
Halbleitertechnik II - CMOS-Technik (HL II) (Prüfungsnummer: 25221)
- Prüfungsleistung, Klausur, Dauer (in Minuten): 90, benotet, 5 ECTS
- Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %
- Prüfungssprache: Deutsch
- Erstablegung: WS 2022/2023, 1. Wdh.: SS 2023
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