Crystal Growth ET (MWT 3) (CGET)10 ECTS (englische Bezeichnung: Crystal growth ET)
Modulverantwortliche/r: Peter Wellmann Lehrende:
Peter Wellmann, Uwe Scheuermann
Start semester: |
WS 2020/2021 | Duration: |
2 semester | Cycle: |
halbjährlich (WS+SS) |
Präsenzzeit: |
105 Std. | Eigenstudium: |
195 Std. | Language: |
Deutsch |
Lectures:
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Crystal Growth 1 - Fundamentals of Crystal Growth and Semiconductor Technology (WS 2020/2021)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, everyn month on 2. Mon, 14:15 - 15:00, Zoom-Meeting; starting 9.11.2020; https://fau.zoom.us/j/94576058631?pwd=QVBOK0N4cVp3cmM1WHdsdUlkUGY3dz09; Preliminary meeting: 9.11.2020, 14:15 - 15:00 Uhr, Zoom-Meeting)
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Praktikum Wahlfach Crystal Growth (WS 2020/2021)
(Praktikum, 3 SWS, Peter Wellmann, Thu, 8:00 - 18:00, 3.71; Hinweis: Das Praktikum findet erst im SS2020 statt)
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Crystal Growth 2 - Electronic Devices & Materials Properties/Processing, Epitaxial Growth (SS 2021)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann)
- Wahlvorlesungen
Aus den optionalen Wahlveranstaltungen kann eine Vorlesung gewählt werden, die mit 1 ECTS in das Modul eingeht.
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Crystal Growth 2 - Wide Bandgap Semiconductors (SS 2021 - optional)
(Vorlesung, 1 SWS)
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Aufbau- und Verbindungstechnik in der Leistungselektronik (WS 2020/2021 - optional)
(Vorlesung, 2 SWS, Uwe Scheuermann, Fri, 12:15 - 13:45, Raum n.V.; Ohne Präsenz! Lifestream per Zoom - weitere Infos finden Sie auf StudOn: https://www.studon.fau.de/crs3321647_join.html)
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Crystal Growth - Numerical Simulation of the Crystal Growth Process using COMSOL Multi-Physics (SS 2021 - optional)
(Vorlesung mit Übung, 5 SWS, Anwesenheitspflicht, Peter Wellmann)
Empfohlene Voraussetzungen:
Bachelor in Materialwissenschaft, Nanotechnologie, Energietechnik, Physik, Chemie oder in einem vergleichbaren Studiengang.
Inhalt:
- Grundlagen des Kristallwachstums
Grundlagen der Silizium Halbleitertechnologie (Oxidation, Dotierung mittels Diffusion und Ionenimplantation, Ätzen, Metallisierung, Lithografie, Packaging)
Korrelation von Bauelementfunktion (Bipolar-Diode, Bipolar-Transistor, Schottky-Diode, Feldeffekt-Transistor, Leucht- und Laserdiode) mit Materialeigenschaften
Grundlagen Epitaxie
Czochralski Kristallwachstum von InSb
Halbleitercharakterisierung
Computersimulation der Kristallzüchtung
Lernziele und Kompetenzen:
Die Studierenden
erwerben fundierte Kenntnisse über Materialeigenschaften und deren Anwendungen in elektronischen Bauelementen
lernen experimentelle Techniken in den Werkstoffwissenschaften kennen und können sie selbständig anwenden
können in Gruppen kooperativ und verantwortlich arbeiten
Literatur:
- S.M. Sze; Semiconductor Devices – Physics and Technology (14 x T80/8S58(2))
P.J. Wellmann; Materialien der Elektronik und Energietechnik : Halbleiter, Graphen, funktionale Materialien; Springer Vieweg (2017), eBook ISBN 978-3-658-14006-9, DOI 10.1007/978-3-658-14006-9, Softcover ISBN 978-3-658-14005-2
Buch: T80/10 T 19
elektronisch: https://link.springer.com/book/10.1007%2F978-3-658-14006-9
Verwendbarkeit des Moduls / Einpassung in den Musterstudienplan: Das Modul ist im Kontext der folgenden Studienfächer/Vertiefungsrichtungen verwendbar:
- Energietechnik (Master of Science)
(Po-Vers. 2011 | TechFak | Energietechnik (Master of Science) | Module M2 - M5 und M9 (Kern- und Vertiefungsmodule, gegliedert nach Studienrichtungen) | Studienrichtung: Materialwissenschaften und Werkstofftechnik | M4+M5 Studienrichtungsspezifisches Vertiefungsmodul A+B | MWT3: Werkstoffwissenschaftliche Vertiefungsmodule | Crystal Growth ET (MWT 3))
- Energietechnik (Master of Science)
(Po-Vers. 2015w | TechFak | Energietechnik (Master of Science) | Gesamtkonto | Energietechnisches Wahlmodul | Crystal Growth ET (MWT 3))
- Energietechnik (Master of Science)
(Po-Vers. 2015w | TechFak | Energietechnik (Master of Science) | Gesamtkonto | Studienrichtung Materialwissenschaften und Werkstofftechnik | Modulgruppe Materialwissenschaften und Werkstoffkunde | MWT3 | Crystal Growth ET (MWT 3))
- Energietechnik (Master of Science)
(Po-Vers. 2018w | TechFak | Energietechnik (Master of Science) | Gesamtkonto | Studienrichtung Materialwissenschaften und Werkstofftechnik | Modulgruppe Materialwissenschaften und Werkstofftechnik (MWT) | Wahlpflichtmodul Materialwissenschaften und Werkstofftechnik (MWT3) | Crystal Growth ET (MWT 3))
Studien-/Prüfungsleistungen:
Crystal Growth ET (MWT 3) (Prüfungsnummer: 991457)
(englischer Titel: Crystal growth ET)
- Prüfungsleistung, mündliche Prüfung, Dauer (in Minuten): 30, benotet
- Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %
- weitere Erläuterungen:
zusätzlich Absolvierung des Praktikums!
Alternative Prüfungsform laut Corona-Satzung: Die mündliche Prüfung findet als digitale Fernprüfung per ZOOM statt.
- Erstablegung: WS 2020/2021, 1. Wdh.: SS 2021
1. Prüfer: | Peter Wellmann |
- Termin: 11.02.2021
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