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Crystal Growth ET (MWT 3) (CGET)10 ECTS (englische Bezeichnung: Crystal growth ET)
(Prüfungsordnungsmodul: Crystal Growth ET (MWT 3))
Modulverantwortliche/r: Peter Wellmann Lehrende:
Peter Wellmann, Uwe Scheuermann
Startsemester: |
WS 2021/2022 | Dauer: |
2 Semester | Turnus: |
halbjährlich (WS+SS) |
Präsenzzeit: |
105 Std. | Eigenstudium: |
195 Std. | Sprache: |
Deutsch |
Lehrveranstaltungen:
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Crystal Growth 1 - Fundamentals of Crystal Growth and Semiconductor Technology (WS 2021/2022)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, jede 3. Woche Mo, 10:15 - 11:45, 0.68; Termine: 19.Okt / 8.Nov / 29.Nov / 20.Dez / 10.Jan / 31.Jan.: erster Termin Di. 19.10.21 als ZOOM-meeting https://fau.zoom.us/j/94576058631?pwd=QVBOK0N4cVp3cmM1WHdsdUlkUGY3dz09; Vorbesprechung: 19.10.2021, 10:15 - 11:00 Uhr, Zoom-Meeting)
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Praktikum Wahlfach Crystal Growth (WS 2021/2022)
(Praktikum, 3 SWS, Peter Wellmann, Do, 8:00 - 18:00, 3.71; Hinweis: Das Praktikum findet erst im SS2020 statt)
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Crystal Growth 2 - Electronic Devices & Materials Properties/Processing, Epitaxial Growth (SS 2022)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann)
- Wahlvorlesungen
Aus den optionalen Wahlveranstaltungen kann eine Vorlesung gewählt werden, die mit 1 ECTS in das Modul eingeht.
Empfohlene Voraussetzungen:
Bachelor in Materialwissenschaft, Nanotechnologie, Energietechnik, Physik, Chemie oder in einem vergleichbaren Studiengang.
Inhalt:
- Grundlagen des Kristallwachstums
Grundlagen der Silizium Halbleitertechnologie (Oxidation, Dotierung mittels Diffusion und Ionenimplantation, Ätzen, Metallisierung, Lithografie, Packaging)
Korrelation von Bauelementfunktion (Bipolar-Diode, Bipolar-Transistor, Schottky-Diode, Feldeffekt-Transistor, Leucht- und Laserdiode) mit Materialeigenschaften
Grundlagen Epitaxie
Czochralski Kristallwachstum von InSb
Halbleitercharakterisierung
Computersimulation der Kristallzüchtung
Lernziele und Kompetenzen:
Die Studierenden
erwerben fundierte Kenntnisse über Materialeigenschaften und deren Anwendungen in elektronischen Bauelementen
lernen experimentelle Techniken in den Werkstoffwissenschaften kennen und können sie selbständig anwenden
können in Gruppen kooperativ und verantwortlich arbeiten
Literatur:
- S.M. Sze; Semiconductor Devices – Physics and Technology (14 x T80/8S58(2))
P.J. Wellmann; Materialien der Elektronik und Energietechnik : Halbleiter, Graphen, funktionale Materialien; Springer Vieweg (2017), eBook ISBN 978-3-658-14006-9, DOI 10.1007/978-3-658-14006-9, Softcover ISBN 978-3-658-14005-2
Buch: T80/10 T 19
elektronisch: https://link.springer.com/book/10.1007%2F978-3-658-14006-9
Studien-/Prüfungsleistungen:
Crystal Growth ET (MWT 3) (Prüfungsnummer: 991457)
(englischer Titel: Crystal growth ET)
- Prüfungsleistung, mündliche Prüfung, Dauer (in Minuten): 30, benotet
- Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %
- weitere Erläuterungen:
zusätzlich Absolvierung des Praktikums!
Alternative Prüfungsform laut Corona-Satzung: Die mündliche Prüfung findet als digitale Fernprüfung per ZOOM statt.
- Erstablegung: WS 2021/2022, 1. Wdh.: SS 2022
1. Prüfer: | Peter Wellmann |
- Termin: 11.02.2021
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