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Crystal Growth NT (CG)15 ECTS (englische Bezeichnung: Crystal Growth NT)
Modulverantwortliche/r: Peter Wellmann Lehrende:
Peter Wellmann, Jochen Friedrich, Stefan Kasperl
Startsemester: |
WS 2013/2014 | Dauer: |
2 Semester | Turnus: |
halbjährlich (WS+SS) |
Präsenzzeit: |
165 Std. | Eigenstudium: |
285 Std. | Sprache: |
Deutsch und Englisch |
Lehrveranstaltungen:
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Praktikum Materialen der Elektronik und Energietechnik (WS 2013/2014)
(Praktikum, 3 SWS, Peter Wellmann, Do, 8:15 - 12:15, 14:00 - 17:45, 3.71; Blockveranstaltung, 10.2.2014 8:15 - 14.2.2014 17:45, 3.71; das Praktikum besteht aus drei Versuchtagen; Vorbesprechung: 16.10.2013, 17:45 - 18:00 Uhr, H7)
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Elektronische Bauelemente und Materialfragen (Technologie II) (SS 2014)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Mi, 8:30 - 11:00, 3.71; vom 9.4.2014 bis zum 11.6.2014; keine Vorlesung am 28.05.2014)
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Exkursionen (SS 2014)
(Exkursion, Peter Wellmann, bitte Aushänge beachten)
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Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie (WS 2013/2014)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Di, 14:30 - 16:00, 3.71)
- Wahlvorlesungen
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Technologie der Züchtung von Halbleiterkristallen und Photovoltaik (SS 2014 - optional)
(Vorlesung, 2 SWS, Jochen Friedrich, Mi, 14:15 - 15:45, Raum n.V.; Seminarraum 1, Fraunhofer IISB, Schottkystr.10, 91058 Erlangen)
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Halbleiter großer Bandlücke (SS 2014 - optional)
(Vorlesung, 1 SWS, Peter Wellmann, Mi, 8:30 - 11:00, 3.71; vom 18.6.2014 bis zum 9.7.2014)
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Aufbau- und Verbindungstechnik in der Leistungselektronik (WS 2013/2014 - optional)
(Vorlesung, 2 SWS, Uwe Scheuermann, Fr, 12:30 - 14:00, A 2.16)
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Physikalische Grundlagen und Anwendungen der zerstörungsfreien Werkstoffprüfung (WS 2013/2014 - optional)
(Vorlesung, 2 SWS, Stefan Kasperl, Mo, 15:45 - 17:15, 3.71)
Empfohlene Voraussetzungen:
Bachelor in Materialwissenschaften, Nanotechnologie, Energietechnik, Elektrotechnik, Physik, Chemie oder in einem vergleichbaren Studiengang
Inhalt:
Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie
Grundlagen des Kristallwachstums
Grundlagen der Silizium Halbleitertechnologie (Oxidation, Dotierung mittels Diffusion und Ionenimplantation, Ätzen, Metallisierung, Lithografie, Packaging)
Elektronische Bauelemente und Materialfragen
Korrelation von Bauelementfunktion (Bipola-Diode, Bipolar-Transistor, Schottky-Diode, Feldeffekt-Transistor, Leucht- und Laserdiode) Mit Materialeigenschaften
Grundlagen der Epitaxie
Kristallwachstum - Ausgewählte Kapitel
Praktikum
Czochralski Kristallwachstum von InSb
Modellierung in der Kristallzüchtung
Halbleitercharakterisierung
Lernziele und Kompetenzen:
Literatur:
Wird in den Lehrveranstaltungen angegeben.
Studien-/Prüfungsleistungen:
Crystal Growth NT (Prüfungsnummer: 688067)
(englischer Titel: Crystal Growth NT)
- Prüfungsleistung, mündliche Prüfung, Dauer (in Minuten): 30, benotet
- Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %
- Erstablegung: WS 2013/2014, 1. Wdh.: SS 2014
1. Prüfer: | Peter Wellmann |
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UnivIS ist ein Produkt der Config eG, Buckenhof |
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