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Crystal Growth ET (MWT 3) (CGET)10 ECTS
Modulverantwortliche/r: Peter Wellmann Lehrende:
Peter Wellmann, Jochen Friedrich, Stefan Kasperl
Startsemester: |
WS 2013/2014 | Dauer: |
2 Semester | Turnus: |
halbjährlich (WS+SS) |
Präsenzzeit: |
110 Std. | Eigenstudium: |
190 Std. | Sprache: |
Deutsch |
Lehrveranstaltungen:
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Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie (WS 2013/2014)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Di, 14:30 - 16:00, 3.71)
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Praktikum Wahlfach Crystal Growth (WS 2013/2014)
(Praktikum, 3 SWS, Peter Wellmann, Do, 8:00 - 18:00, 3.71; n.V.)
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Elektronische Bauelemente und Materialfragen (Technologie II) (SS 2014)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Mi, 8:30 - 11:00, 3.71; vom 9.4.2014 bis zum 11.6.2014; keine Vorlesung am 28.05.2014)
- Wahlvorlesungen
Aus den optionalen Wahlveranstaltungen kann eine Vorlesung gewählt werden, die mit 1 ECTS in das Modul eingeht.
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Halbleiter großer Bandlücke (SS 2014 - optional)
(Vorlesung, 1 SWS, Peter Wellmann, Mi, 8:30 - 11:00, 3.71; vom 18.6.2014 bis zum 9.7.2014)
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Technologie der Züchtung von Halbleiterkristallen und Photovoltaik (SS 2014 - optional)
(Vorlesung, 2 SWS, Jochen Friedrich, Mi, 14:15 - 15:45, Raum n.V.; Seminarraum 1, Fraunhofer IISB, Schottkystr.10, 91058 Erlangen)
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Aufbau- und Verbindungstechnik in der Leistungselektronik (WS 2013/2014 - optional)
(Vorlesung, 2 SWS, Uwe Scheuermann, Fr, 12:30 - 14:00, A 2.16)
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Physikalische Grundlagen und Anwendungen der zerstörungsfreien Werkstoffprüfung (WS 2013/2014 - optional)
(Vorlesung, 2 SWS, Stefan Kasperl, Mo, 15:45 - 17:15, 3.71)
Empfohlene Voraussetzungen:
Bachelor in Materialwissenschaft, Nanotechnologie, Energietechnik, Physik, Chemie oder in einem vergleichbaren Studiengang.
Inhalt:
Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie
Grundlagen des Kristallwachstums
Grundlagen der Silizium Halbleitertechnologie (Oxidation, Dotierung mittels Diffusion und Ionenimplantation, Ätzen, Metallisierung, Lithografie, Packaging)
Elektronische Bauelemente und Materialfragen
Korrelation von Bauelementfunktion (Bipolar-Diode, Bipolar-Transistor, Schottky-Diode, Feldeffekt-Transistor, Leucht- und Laserdiode) mit Materialeigenschaften
Grundlagen Epitaxie
Praktikum
Czochralski Kristallwachstum von InSb
Modellierung in der Kristallzüchtung
Halbleitercharakterisierung
Lernziele und Kompetenzen:
Die Studierenden
-lernen experimentelle Techniken in den Werkstoffwissenschaften kennen und können sie selbständig anwenden
Literatur:
Wird in den Lehrveranstaltungen angegeben.
Studien-/Prüfungsleistungen:
Crystal Growth ET (MWT 3) (Prüfungsnummer: 991457)
- Prüfungsleistung, mündliche Prüfung, Dauer (in Minuten): 30, benotet
- Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %
- weitere Erläuterungen:
zusätzlich Absolvierung des Praktikums!
- Erstablegung: WS 2013/2014, 1. Wdh.: SS 2014
1. Prüfer: | Peter Wellmann |
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UnivIS ist ein Produkt der Config eG, Buckenhof |
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