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Praktikum Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente - Entfällt im Sommersemester 2021 (Prak TeSi)
- Verantwortliche/Verantwortlicher
- Dr.-Ing. Tobias Dirnecker, Akad. ORat
- Angaben
- Praktikum
3 SWS, Schein, Anwesenheitspflicht, ECTS-Studium, ECTS-Credits: 2,5
nur Fachstudium, Sprache Deutsch, Entfällt im Sommersemester 2021
- Studienfächer / Studienrichtungen
- WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-BA-LE 5-6
WPF EEI-MA-LE 1-4
WPF ME-MA-P-EEI 1-3
- Voraussetzungen / Organisatorisches
- Voraussetzung: Modul Technologie Integrierter Schaltungen und/oder Prozessintegration und Bauelementearchitekturen
- Inhalt
- Das Praktikum zur Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente vermittelt einen ersten praktischen Einstieg in die Halbleitertechnologie. Im Verlauf des Herstellungsprozesses einer Solarzelle werden die Herstellungsschritte Oxidation, Implantation, Lithographie, Ätzen und Metallisierung durchgeführt. Darüber hinaus werden wichtige Messverfahren zur Prozesskontrolle wie Schichtdickenmessverfahren, Schichtwiderstandsmessverfahren vorgestellt und zum Schluss die hergestellten Solarzellen an Hand ihrer Strom/Spannungs-Kennlinie elektrisch charakterisiert (Wirkungsgrad etc.).
- Empfohlene Literatur
- Frey, L.: Skripten zu den Vorlesungen Technologie integrierter Schaltungen und Prozessintegration und Bauelementearchitekturen (am Lehrstuhl erhältlich)
Götzberger, A., Voß, B., Knobloch, J.: Sonnenenergie: Photovoltaik, Teubner Verlag, Stuttgart, 1994
- ECTS-Informationen:
- Title:
- Laboratory on Silicon Semiconductor Processing
- Credits: 2,5
- Prerequisites
- Technology of Silicon Semiconductor Devices, Part I and II
- Contents
- The practical lab course in silicon semiconductor technology offers first insights into the practice of semiconductor technology.
In the course of the fabrication of a solar cell, the process steps of oxidation, implantation, lithography, etching, and
metallization are performed. Furthermore, important measurement techniques such as film thickness measurement and sheet
resistivity measurement techniques are presented. Finally, the manufactured solar cells are electrically characterized (efficiency
etc.).
- Literature
- Silicon Semiconductor Technology / Practical Term, lecture script (available at Chair of Electron Devices / available in course)
Frey, L.: Technologie integrierter Schaltungen and Prozessintegration und Bauelementearchitekturen, lecture scripts (available at Chair of Electron Devices)
Götzberger, A., Voß, B., Knobloch, J.: Sonnenenergie: Photovoltaik, Teubner Verlag, Stuttgart, 1994
- Zusätzliche Informationen
- Erwartete Teilnehmerzahl: 12
www: https://www.studon.fau.de/crs2847593.html Für diese Lehrveranstaltung ist eine Anmeldung erforderlich. Die Anmeldung erfolgt von Montag, 30.3.2020, 00:00 Uhr bis Sonntag, 5.4.2020, 23:55 Uhr über: StudOn.
- Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
- Startsemester SS 2021:
- Praktikum Technologie der Silizium-Halbleiterbauelemente (PrTESI)
- Institution: Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
Kurse
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