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Chair of Electron Devices
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Ausgewählte Kapitel der Quantenelektronik -
- Lecturers:
- Jörg Schulze, u.a.
- Details:
- Seminar, 2 cred.h, ECTS: 2,5, für FAU Scientia Gaststudierende zugelassen
- Dates:
- Tue, 14:15 - 15:45, 0.111
- Fields of study:
- WPF EEI-MA-MIK ab 1
WPF EEI-BA-MIK ab 5
WF ME-BA ab 5
WF ME-MA ab 1
- Prerequisites / Organisational information:
- Experimentalphysik I und II empfohlen, Kenntnisse aus Quantenelektronik III – Tunnel- und „Quantum Well"-Bauelemente und/oder Quantenelektronik IV - Spintronik und „Quantum Computation" von Vorteil
- Contents:
- Inhalt des Seminars ist die selbstständige Erarbeitung und schlüssige Darstellung eines Themas aus dem Gebiet der Quantenelektronik. Als Grundlage dienen dabei Literaturvorgaben der Betreuer, die durch eigene Recherchen ergänzt werden sollen. Die Teilnehmer referieren im Rahmen eines 30-minütigen Vortrags über ihre Ergebnisse. Die Einzelthemen werden in jedem Semester neu gewählt.
(erwartete Hörerzahl original: 8, fixe Veranstaltung: nein)
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Semiconductor Devices [HBE V(A)] -
- Lecturers:
- Jörg Schulze, Jan Dick
- Details:
- Vorlesung, 2 cred.h, ECTS: 5, !Bitte beachten!: In beiden ersten Vorlesungswochen finden zusätzliche Vorlesungstermine zum regulären Termin der Übung (Mo., 18.10. & 25.10.) statt. lbleiterbauelemente statt! Die Übungseinheiten werden am Ende des Semesters nachgeholt.
- Dates:
- Tue, 14:15 - 15:45, H5
- Fields of study:
- WPF MT-MA-MEL ab 1
PF EEI-BA 3
PF BPT-BA-E 3
PF BPT-MA-M-E ab 1
WPF MT-BA-BV ab 5
PF ME-BA 5
- Prerequisites / Organisational information:
- Zur Vorlesung wird eine Übung (2 SWS) sowie ein Tutorium angeboten.
Informationen zu diesen Veranstaltungen finden Sie im Informationssystem UnivIS.
- Contents:
- Die Vorlesung Halbleiterbauelemente vermittelt den Studenten der Elektrotechnik die physikalischen Grundlagen moderner Halbleiterbauelemente. Der erste Teil der Vorlesung befasst sich nach einer Einleitung mit Bewegungsgleichungen von Ladungsträgern im Vakuum sowie der Ladungsträgeremission im Vakuum und daraus abgeleiteten Bauelementen. In der anschließenden Behandlung von Ladungsträgern im Halbleiter werden die wesentlichen Aspekte der Festkörperphysik zusammengefasst, die zum Verständnis moderner Halbleiterbauelemente nötig sind. Darauf aufbauend werden im Hauptteil der Vorlesung die wichtigsten Halbleiterbauelemente, d.h. Dioden, Bipolartransistoren und Feldeffekttransistoren detailliert dargestellt. Einführungen in die wesentlichen Grundlagen von Leistungsbauelementen und optoelektronischen Bauelementen runden die Vorlesung ab.
(automatisch geplant, erwartete Hörerzahl original: 82, fixe Veranstaltung: nein)
- Recommended literature:
- Vorlesungsskript, am LEB erhältlich
Neamen, D.A.: Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, 2nd ed., McGraw-Hill (Richard D. Irwin, Inc., Burr Ridge), USA, 1997 Müller, R.: Grundlagen der Halbleiter-Elektronik: Band 1 der Reihe Halbleiter-Elektronik, 7. Auflage, Springer Verlag, Berlin, 1995
- Keywords:
- Bauelemente, Halbleiter
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Semiconductor Power Devices [HL III - LBE V(AR)] -
- Lecturers:
- Tobias Erlbacher, Julian Schwarz
- Details:
- Vorlesung, 2 cred.h, graded certificate, ECTS: 5
- Dates:
- Tue, 12:15 - 13:45, 0.111
- Fields of study:
- WPF WING-MA-ET-EN 1-3
WPF ME-BA-MG3 3-6
PF EEI-BA-LE 5-6
WPF EEI-BA-EuA 5-6
PF EEI-MA-LE 1-4
WPF EEI-MA-EuA 1-4
WF EEI-BA ab 5
WF EEI-MA ab 1
WPF ME-MA-MG3 1-3
WPF BPT-MA-E 1-3
- Recommended literature:
- Fundamentals of Power Semiconductor Devices, B. J. Baliga, Springer, New York, 2008 ISBN: 978-0-387-47313-0
Halbleiter-Leistungsbauelemente, Josef Lutz, Springer, Berlin, 2006 ISBN: 978-3-540-34206-9 Leistungselektronische Bauelemente für elektrische Antriebe, Dierk Schröder, Berlin, Springer, 2006 ISBN: 978-3-540-28728-5 Physics and Technology of Semiconductor Devices, A. S. Grove, Wiley, 1967, ISBN: 978-0-471-32998-5 Power Microelectronics - Device and Process Technologies, Y.C. Liang und G.S. Samudra, World Scientific, Singapore, 2009 ISBN: 981-279-100-0 Power Semiconductors, S. Linder, EFPL Press, 2006, ISBN: 978-0-824-72569-3 V. Benda, J. Gowar, D. A. Grant, Power Semiconductor Devices, Wiley, 1999
- Keywords:
- Leistungsbauelemente Halbleiter
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Halbleitertechnik VI – Flexible Elektronik -
- Lecturer:
- Michael Jank
- Details:
- Vorlesung, 2 cred.h, certificate, ECTS: 2,5, nur Fachstudium
- Dates:
- Wed, 14:15 - 15:45, 0.111
Details zu Inhalten und Durchführung der Vorlesung werden in der Vorbesprechung/Einführung am 20. Oktober besprochen. Bitte wenden Sie sich vorab per E-Mail an den Dozenten (michael.jank@fau.de), falls Sie an dem Termin nicht teilnehmen können.
- Fields of study:
- WF EEI-BA ab 5
WF EEI-MA ab 1
- Contents:
- 1.Einführung
-Vergleich Elektroniktechnologien, Anwendungen für großflächige und flexible Elektronik
2. Bauelementekonzepte der Dünnschichtelektronik
3. Materialien und Prozessierung
Beschichtungs- und Drucktechniken Dünnschichttechnologien (a-Silicium, Polysilicium, Metalloxide, Organik) Substrat-, Prozess- und Bauelementeoptionen für flexible Anwendungen
4. Mechanische und elektronische Integration
Verbindungstechniken Drahtlose Schnittstellen
5. Anwendungen
Großflächige Sensoren, Sensormatrizen und Ausleseelektronik Typen, Aufbau und Ansteuerung von Displays
(erwartete Hörerzahl original: 20, fixe Veranstaltung: nein)
- Keywords:
- flexibel flexible Elektronik großflächig large area Displays Sensorik Integration Verbindungstechnik
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Technology of Integrated Circuits [HLT I - TiS V(AR)] -
- Lecturers:
- Jörg Schulze, Jannik Schwarberg
- Details:
- Vorlesung, 3 cred.h, ECTS: 5, nur Fachstudium
- Dates:
- Mon, 10:15 - 12:45, 0.111
- Fields of study:
- WPF BPT-MA-E 1-3
PF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-BA-MIK 5-6
PF EEI-MA-MIK 1-4
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WF EEI-BA ab 5
WF EEI-MA ab 1
PF INF-NF-EEI 5
WPF ME-BA-MG4 3-6
WPF ME-MA-MG4 1-3
WF NT-MA ab 1
- Contents:
- Thema der Vorlesung sind die wesentlichen Technologieschritte zur Herstellung elektronischer Halbleiterbauelemente
und integrierter Schaltungen. Der erste Teil der Vorlesung beginnt mit der Herstellung von einkristallinen Siliciumkristallen. Anschließend werden die
physikalischen Grundlagen der Oxidation, der Dotierungsverfahren Diffusion und Ionenimplantation sowie der
chemischen Gasphasenabscheidung von dünnen Schichten behandelt. Ergänzend dazu werden Ausschnitte aus
Prozessabläufen, wie sie heute bei der Herstellung von hochintegrierten Schaltungen wie Mikroprozessoren oder
Speicher verwendet werden, dargestellt und anhand von Bauelementen (Kondensator, Diode und Transistor) wichtige
Prozessparameter und Bauelementeeigenschaften erläutert.
(automatisch geplant, erwartete Hörerzahl original: 17, fixe Veranstaltung: nein)
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Reliability and Failure Analysis of Integrated Circuits [HLT III - ZUFIS(A)] -
- Lecturer:
- Peter Pichler
- Details:
- Vorlesung mit Übung, 2 cred.h, graded certificate, ECTS: 4
- Dates:
- Mon, 14:15 - 15:45, BR 1.161
- Fields of study:
- WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF BPT-MA-E 1-3
WF EEI-BA ab 5
WF EEI-MA ab 1
- Contents:
- Wirtschaftlicher Erfolg beim Einsatz elektronischer Bauelemente hängt unter anderem von deren Lebensdauer ab. Zu geringe Lebensdaueren führen zu überproportionalen Garantieleistungen und Ansehensverlusten der Marke, zu hohe Lebensdauern deuten auf zu hohe Produktionskosten oder zu hohe Sicherheitsreserven hin. Neben einer Einführung in die mathematische Beschreibung von Zuverlässigeitsbetrachtungen bietet die Vorlesung eine Diskussion der relevanten Ausfallmechanismen von elektronischen Bauelementen und eine Übersicht über die Fehleranalyse an ausgefallenen Bauelementen.
(automatisch geplant, erwartete Hörerzahl original: 10, fixe Veranstaltung: nein)
- Keywords:
- Zuverlässigkeit, Fehleranalyse, Integrierte Schaltungen, Ausfallmechanismen, Messverfahren zur Qualitätssicherung
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Laboratory on Semiconductor and Device Metrology -
- Lecturers:
- Tobias Dirnecker, u.a.
- Details:
- Praktikum, 3 cred.h, certificate, ECTS: 2,5, nur Fachstudium, Voraussetzung: Vorlesungen Technologie integrierter Schaltungen und/oder Halbleiter- und Bauelementemesstechnik
- Dates:
- Das Praktikum wird voraussichtlich als Blockpraktikum in der vorlesungsfreien Zeit stattfinden. Ein Termin zur Vorbesprechung wird zu Beginn des Semesters bekannt gegeben.
- Fields of study:
- WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF ME-MA-P-EEI 1-4
- Contents:
- Im Praktikum zur Halbleiter- und Bauelementemesstechnik wird ein Teil der in der gleichnamigen Vorlesung besprochenen Messverfahren praktisch durchgeführt. Zu Beginn des Praktikums wird die Relevanz der Messtechnik zur Prozesskontrolle aber auch in der Bauelementeentwicklung anhand eines typischen CMOS-Prozesses erläutert. Im Bereich Halbleitermesstechnik werden dann Versuche zur Scheibeneingangskontrolle, zu optischen Schichtdicken- und Strukturbreitenmessverfahren, sowie zur Profilmesstechnik durchgeführt. Im Bereich Bauelementemesstechnik werden MOS-Kondensatoren und MOS-Transistoren, Dioden, Widerstände und spezielle Teststrukturen elektrisch charakterisiert.
(erwartete Hörerzahl original: 10, fixe Veranstaltung: nein)
- Recommended literature:
- Frey, L., Halbleiter- und Bauelementemesstechnik, Skript zur gleichnamigen Vorlesung (am Lehrstuhl erhältlich).
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Laboratory on Microelectronics [PrakMikro] -
- Lecturers:
- Julian Schwarz, Tobias Dirnecker
- Details:
- Praktikum, 3 cred.h, certificate, ECTS: 2,5, nur Fachstudium, Nur EEI-BA Mikroelektronik; Der Vorbesprechungstermin ist eine Pflichtveranstaltung und muss wahrgenommen werden.
- Fields of study:
- WPF EEI-BA-MIK 5-6
- Prerequisites / Organisational information:
- Nur für Studenten im Bachelorstudium EEI mit Studienrichtung Mikroelektronik belegbar.
- Contents:
- Ziel ist es, praktische Erfahrungen in den Bereichen Herstellungsverfahren und elektrische Charakterisierung, Simulation und Entwurf sowie der Anwendung von mikroelektronischen Bauelementen, Schaltungen und Systemen zu erlangen.
Es muss eine Auswahl von 7 Versuchen getroffen werden. Hinweis: es muss von jedem der vier beteiligten Lehrstühle mindestens ein Versuch ausgewählt werden.
Die folgenden Versuche werden i.d.R. angeboten: LEB 1 - Charakterisierung von MOSFETs
LEB 2 - Charakterisierung von pn-Dioden
LEB 3 - Charakterisierung von MOS-Kondensatoren
LEB 4 - Haynes-Shockley-Experiment
LTE 1 - Analog circuit design (schematic)
LTE 2 - Analog circuit design (layout)
LTE 3 - Simulation von HF-Strukturen on-Chip mit Sonnet
LTE 4 - Diskreter Delta-Sigma ADU
LZS 1 - Entwurf und Simulation eines FlipFlops (Pflichtversuch LZS)
LZS 2 - Full-Custom-Layout einer Flipflop-Standardzelle
LIKE 1 - Digital-Entwurf mit VHDL (Pflichtversuch LIKE)
LIKE 2 - Simulation mit VHDL und Testfreundlicher Digital-Entwurf
| | | | tbd. | | | |
Beck, Ch. | |
| Versuchstermine werden in der Vorbesprechung festgelegt |
| | | tbd. | | | |
Deeg, F. | |
| Versuchstermine werden in der Vorbesprechung festgelegt |
| | | tbd. | | | |
Frickel, J. | |
| Versuchstermine werden in der Vorbesprechung festgelegt |
| | | tbd. | | | |
Schwarz, J. | |
| Versuchstermine werden in der Vorbesprechung festgelegt |
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Quantenelektronik Z - Ausgewählte Kapitel der höheren Physik -
- Lecturer:
- Jörg Schulze
- Details:
- Vorlesung, 2 cred.h, ECTS: 2,5, für FAU Scientia Gaststudierende zugelassen
- Dates:
- to be determined
- Fields of study:
- WF EEI-MA ab 1
WF EEI-BA ab 5
- Prerequisites / Organisational information:
- Experimentalphysik I und II empfohlen
- Contents:
- Determinismus vs. Zufall I - Was ist „klassische Physik"?
Die duale Natur des Lichts - Der Streit der Schulen Determinismus vs. Zufall II - Der radioaktive Zerfall Die Teilchennatur des Elektrons – Röhrentechnologie Die duale Natur des Elektrons I – Atomphysik Licht-Materie-Wechselwirkung Die duale Natur des Elektrons II - „Materiewellen" und Schrödingergleichung
(erwartete Hörerzahl original: 0, fixe Veranstaltung: nein) - Recommended literature:
- Heisenberg
Physik und Philosophie, S. Hirzel Verlag Stuttgart
Der Teil und das Ganze: Gespräche im Umkreis der Atomphysik, Piper
Quantentheorie und Philosophie: Vorlesungen und Aufsätze, Reclam
Kittel
Levi
Miller
Razeghi
Schwabl
Sze
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Reinraum- und Halbleiterpraktikum [RRPrak] -
- Lecturers:
- Julius Marhenke, Tobias Dirnecker
- Details:
- Praktikum, 5 cred.h, ECTS: 5, nur Fachstudium, Teilnahme an der Vorbesprechung (Uhrzeit wird noch bekannt gegeben) ist verpflichtend! Anmeldung bei StudOn notwendig. Praktikumszeiten donnerstags werden nach Gruppeneinteilung bekanntgegeben.
- Fields of study:
- PF NT-BA 5
| | | | Thu | 8:00 - 11:00, 13:00 - 16:00 | BR 1.161 | |
Dirnecker, T.
Assistenten | |
| | | Thu | 8:00 - 11:00, 13:00 - 16:00 | 0.111 | |
Marhenke, J.; Schwarberg, J.; Schwarz, J.; Dick, J.; Lang, A.-M. | |
| | | Thu
Thu | 9:00 - 13:00
14:00 - 18:00 | BR 1.161, 0.111
BR 1.161 | |
Assistenten | |
| Findet u.a. im Reinraum des LEB statt. Gruppeneinteilung am Semesterbeginn. |
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