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Halbleitertechnik I - Bipolartechnik (HL I - Bipolar-V)
- Dozent/in
- Prof. Dr.-Ing. habil. Jörg Schulze
- Angaben
- Vorlesung
Präsenz 2 SWS, benoteter Schein, ECTS-Studium, ECTS-Credits: 5
nur Fachstudium, Sprache Deutsch
Zeit und Ort: Mo 12:15 - 13:45, 0.111; Einzeltermin am 25.4.2022 8:15 - 9:45, 0.111
- Studienfächer / Studienrichtungen
- WPF ME-BA-MG4 5-6
PF EEI-BA-MIK 5-6
PF EEI-MA-MIK 1-4
WF EEI-BA ab 5
WF EEI-MA ab 1
WPF ME-MA-MG4 1-3
WPF NT-MA ab 1
WPF BPT-MA-E 1-3
- Inhalt
- Beschreibung eines psn-Übergangs im thermodynamischen Gleichgewicht (Raumladungszonen, Poisson-Gleichung, Depletion-Näherung und Built-in-Spannung),
Beschreibung eines psn-Übergangs im Nicht-Gleichgewicht (I-U-Charakterisitik des idealen pn-Übergangs, Rekombinationsmechanismen in pn-Übergängen, I-U-Charakterisitik des realen pn-Übergangs, Durchbruchmechanismen in pn-Übergängen),
Dioden-Spezialformen: Schottky-Diode und Ohmscher Kontakt, Z-Dioden (Zener-Diode und Avalanche-Diode), IMPATT-Diode (Impact-Ionization-Avalanche-Transit-Time-Diode), Gunn-Diode, Uni-Tunneldiode, Esaki-Tunneldiode, Shockley-Diode, DIAC (Diode for Alternating Current),
Aufbau und Funktionsweise von Bipolar- und Heterobiplartransistoren: Ideales und reales Verhalten und Hochfrequenzbetrieb,
Thyristor und lichtgezündeter Thyristor, TRIAC (Triode for Alternating Current).
Als Ausblick wird zum Schluss der Vorlesung auf Leistungsbipolartransistoren mit isoliertem Gate wie dem Gate-Turn-Off-Thyristor (GTO-Thyristor) und dem Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)und auf BiCMOS-Schaltungen eingegangen.
- Empfohlene Literatur
- Schaumburg: Halbleiter, Teubner Verlag, 1991
Löcherer: Halbleiterbauelemente, Teubner Verlag, 1992
Thuselt: Physik der Halbleiterbauelemente, Springer Verlag, 2005
Sze: Physics of Semiconductor Devices, John Wiley & Sons, 1981
Roulsten: An Introduction to the Phys. of Sem. Devices, Oxford Univ. Press, 1999
Chang: ULSI Devices, John Wiley & Sons, 2000
- ECTS-Informationen:
- Title:
- HL I - Bipolar Technology
- Credits: 5
- Prerequisites
- none
- Zusätzliche Informationen
- Schlagwörter: Halbleitertechnik, Bipolartechnik
Erwartete Teilnehmerzahl: 35
www: https://www.studon.fau.de/crs4208602.html
- Zugeordnete Lehrveranstaltungen
- EX: Exkursion Halbleitertechnik und Halbleitertechnologie
-
Dozent/in: Assistenten
Zeit und Ort: n.V.; Bemerkung zu Zeit und Ort: Wird in den Veranstaltungen des Lehrstuhls bekannt gegeben
- UE: Übungen zu Halbleitertechnik I - Bipolartechnik
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Dozent/in: Jannik Schwarberg, M. Sc.
Zeit und Ort: Mo 8:15 - 9:45, 0.111 www: https://www.studon.fau.de/crs4208602.html
- Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
- Startsemester SS 2022:
- Halbleitertechnik I - Bipolartechnik (HL I - Bipolar)
- Prozessintegration und Bauelementearchitekturen (PiBa)
- Institution: Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
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