Distribution, segregation and dose-loss of dopants in deca-nanometer SOI structures Für die Entwicklung von zukünftigen höchstintegrierten
Deka-Nanometer-Baulementen (mit Strukturbreiten von einigen 10 nm) werden vor allem vergrabene Siliciumschichten mit Dicken von um die 50 nm in Betracht gezogen, die gegebenenfalls noch dünne, mit Germanium
hoch dotierte Schichten enthalten können. Hauptprobleme bei diesen Materialien ist neben der Ladungsträgerbeweglichkeit die Segregation von Dotieratomen an den Grenzschichten zu den umgebenden Materialien.
Im Rahmen dieses Projekts untersucht der Lehrstuhl für
Elektronische Bauelemente (LEB) der Universität Erlangen-Nürnberg die Segregation
von Dotieratomen durch eine Kombination von innovativen
experimentellen und theoretischen Arbeiten, die erst durch die Zusammenarbeit einer internationalen Gruppe ermöglicht werden.
Bei diesen Arbeiten übernimmt der LEB einen erheblichen Teil der Prozessierung der benötigten Proben. Bei diesen werden in der Folge an der North Carolina State University die Verteilungen der Dotieratome quantifiziert und am LEB zur Erstellung eines kinetischen Modells für die Oberflächensegregation verwendet. In diese
Arbeiten fließen auch ab-initio Simulationen der Ohio State
University ein. Im Rahmen der internationalen Zusammenarbeit wird der LEB auch Technologieunterstützung für die
Königliche Technische Hochschule in Kista/Schweden leisten, die Deka-Nanometer-Bauelemente herstellt. | Projektleitung: Prof. Dr.-Ing. Heiner Ryssel
Beteiligte: Peter Pichler, Gerd Duscher, Michael Ostling
Stichwörter: Dotierung; Oberflächensgregation; Nanoelektronik
Laufzeit: 1.3.2004 - 28.2.2007
Förderer: DFG
Mitwirkende Institutionen: National Science Foundation Ohio State University KTH, Royal Institute of Technology, Stockholm
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