Untersuchungen am Metallsystem Kupfer-Indium-Gallium als Vorläufermaterial für die Herstellung von Dünnschichtsolarzellen Cu(In,Ga)(Se,S)2 Solarzellen auf der Basis der chemischen Verbindung Cu(In,Ga)(Se,S)2 können fast tausendmal dünner hergestellt werden als die zur Zeit weit verbreiteten Module aus kristallinem Silizium. Im Gegensatz zu diesem nämlich besitzen Verbindungshalbleiter eine direkte Bandlücke. Die nur noch etwa 1µm dicke Absorberschicht wird auf eine Rückelektrode aus Molybdän aufgebracht. Eine favorisierte Möglichkeit hierfür stellt die getrennte Abscheidung der Metalle Kupfer, Indium und Gallium, gefolgt von einer anschließenden (Sulfo-) Selenisierung, dar. Dieses Schichtpaket reagiert bei ca. 500 C zum erwünschten Verbindungshalbleiter. Essentiell für das Gelingen dieses letzten Schrittes der thermischen Synthese ist jedoch die homogene Verteilung aller Ausgangsstoffe.
In diesem Projekt wurde der Abscheidungsmechanismus der Metalle untersucht und verbessert. Die wichtigsten Ergebnisse lieferten hierfür Beobachtungen mit dem Elektronenmikroskop und die quantitative Bestimmung der Anteile der sich bildenden intermetallischen Verbindungen mittels Röntgenbeugung. Durch systematische Variation der Abscheideparameter konnte dieser Prozeßschritt besser verstanden und optimiert werden. Die Ergebnisse kommen der industriellen Fertigung der Halbleiter durch die Zusammenarbeit mit der Shell-Solar GmbH direkt zugute.
| Projektleitung: Prof. Dr. Rainer Hock
Beteiligte: Dipl.-Phys. Frank Hergert, Dr. rer. nat. Amanda Brummer
Stichwörter: Solarzellen; metallische Precursor; Röntgenbeugung; Elektronenmikroskopie
Beginn: 1.3.2001
Förderer: Bayerische Forschungsstiftung Shell Solar GmbH
Mitwirkende Institutionen: Shell Solar GmbH Institut für Werkstoffwissenschaften, Lehrstuhl für Werkstoffe der Elektrotechnik, Labor für Kristallzüchtung, FAU Erlangen
Kontakt: Hock, Rainer Telefon 25188, Fax 25182, E-Mail: rainer.hock@fau.de
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