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Semiconductor Fundamentals, Characterization, Materials & Processing (SF- Ch- M&P)10 ECTS (englische Bezeichnung: onductor Fundamentals, Characterization, Materials & Processing)
Modulverantwortliche/r: Wolfgang Heiß Lehrende:
Wolfgang Heiß, Peter Wellmann
Studienfächer/Prüfungsordnungsmodule:
Einfrieren der UnivIS-Modul-Beschreibung: 11.10.2021
Semiconductor Fundamentals, Characterization, Materials & Processing (136558)
Startsemester: |
WS 2021/2022 | Dauer: |
2 Semester | Turnus: |
jährlich (WS) |
Präsenzzeit: |
120 Std. | Eigenstudium: |
180 Std. | Sprache: |
Deutsch und Englisch |
Lehrveranstaltungen:
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Advanced Semiconductors Introduction: Fundamentals (WS 2021/2022)
(Vorlesung, 2 SWS, Wolfgang Heiß, Mo, 12:15 - 13:45, 1.84; ab 25.10.2021; Tag und Uhrzeit werden an der Vorbesprechung zum Masterstudium am i-MEETam 18.10.21 um 9 Uhr bestimmt, online per ZOOM-Veranstaltung; Vorbesprechung: 18.10.2021, 9:00 - 10:00 Uhr)
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Crystal Growth 1 - Fundamentals of Crystal Growth and Semiconductor Technology (WS 2021/2022)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, jede 3. Woche Mo, 10:15 - 11:45, 0.68; Termine: 19.Okt / 8.Nov / 29.Nov / 20.Dez / 10.Jan / 31.Jan.: erster Termin Di. 19.10.21 als ZOOM-meeting https://fau.zoom.us/j/94576058631?pwd=QVBOK0N4cVp3cmM1WHdsdUlkUGY3dz09; Vorbesprechung: 19.10.2021, 10:15 - 11:00 Uhr, Zoom-Meeting)
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Advanced Semiconductors Introduction: Characterization (SS 2022)
(Vorlesung, 2 SWS, Wolfgang Heiß, Mi, 16:15 - 17:45, 3.71)
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Crystal Growth - Lab Work 2 Semiconductor Technology (WS 2021/2022)
(Praktikum, 2 SWS, Anwesenheitspflicht, Peter Wellmann, Do, 8:00 - 17:00, 3.71; Do-Termine entsprechend der Gruppeneinteilung)
Inhalt:
Lecture
Crystal structure of solids
Introduction to quantum mechanics in solids
Carrier concentration and charge transport
Excess carriers in semiconductors
The pn junction
Measurement of resistivity, carrier concentration, and mobility
Characterization of defects semiconductors
Determination of optical parameters
Lecture, Crystal growth and semiconductor technology
Fundamentals of crystal growth (melt ~, solution ~, vapor growth)
Fundamentals of Silicon Semiconductor Device Technology (Oxidation, Doping by diffusion and ion implantation, etching, metallization, lithography, packaging)
PR: Processing of semiconductor wafer for optoelectronic characterization (polishing, evaluation of surface properties, metallization)
Lernziele und Kompetenzen:
- The students will get the theoretical background and the ability to determine the required parameters for mathematically model the fundamental electrical properties of semiconductors and semiconductor junctions, representing the basic units used for photovoltaics and modern lighting.
The deepening of fundamental understanding of semiconductor properties, as a solid basis for further lectures dealing with the physics of semiconductor devices
Understanding typical experimental techniques to determine basic parameters of semiconductors and semiconductor devices by electronic or optical measurements.
The student gain fundamental knowledge in crystal growth and semiconductor technology.
The students are trained in processing of semiconductor wafers. The students gain knowledge in the preparation of technical reports as well as in working in a team.
Studien-/Prüfungsleistungen:
Semiconductor Fundamentals, Characterization, Materials & Processing (Prüfungsnummer: 62511)
(englischer Titel: Semiconductor Fundamentals, Characterization, Materials & Processing)
zugeh. "mein campus"-Prüfung: | - 62511 Semiconductor Fundamentals, Characterization, Materials & Processing (Gewichtung: 100.0 %, Prüfung, Form: variabel, Drittelnoten (mit 4,3), Dauer: -, 10 ECTS, Prüfung).
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- Prüfungsleistung, mündliche Prüfung, Dauer (in Minuten): 30, benotet, 10 ECTS
- Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %
- weitere Erläuterungen:
Jeder Teil (Crystal Growth und Advanced Semiconductors) trägt jeweils zu 50% der Note bei.
Voraussetzung für die Teilnahme an der mündlichen Prüfung ist das erfolgreich abgeschlossene Praktikum "Crystal Growth - Lab Work 2 Semiconductor Technology (unbenoteter Leistungsnachweis mit 2 Versuchen und jeweiligem Protokoll (11-15 Seiten).
- Prüfungssprache: Deutsch oder Englisch
- Erstablegung: SS 2022, 1. Wdh.: WS 2022/2023
1. Prüfer: | Wolfgang Heiß (100558), | 2. Prüfer: | Peter Wellmann (100546) |
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