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Entwurf und Analyse von Schaltungen für hohe Datenraten (ENAS)- Lecturer
- Prof. Dr.-Ing. Klaus Helmreich
- Details
- Vorlesung
2 cred.h, benoteter certificate, ECTS studies, ECTS credits: 5
nur Fachstudium, Sprache Deutsch
Time and place: Thu 12:15 - 13:45, HF-Technik: SR 5.14; Thu, room tbd; comments on time and place: Zusatztermine 15.5., 5.6., 26.6. und 3.7. jeweils 14:15-15:45 in Cauerstr. 6, Raum 0.111
- Fields of study
- WPF WING-BA-IKS-ING-MG6 4-6
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF SIM-DH 7-10
WPF SIM-MA 1-4
WPF WING-MA 1-3
- Contents
- 1. Grundlagen
Signalkenngrößen: Anstiegszeit und Bandbreite, Überschwingen, Jitter Eigenschaften von Signalquellen und -senken: Quell-/Lastimpedanz, Nichtlinearität Signale auf Leitungen: Verlustmechanismen, Frequenzabhängigkeit, Einfluß auf Signalform, Symbolinterferenz, Kopplung und Übersprechen Leistungsversorgung: Verhalten unter dynamischen Lastschwankungen, Stabilisierungsbandbreite
2. Integrierte Schaltungen
Eingangs- / Ausgangseigenschaften von Gattern: Eingangskapazität, Anstiegszeitverhalten, Flankenform Leitungen in integrierten Schaltungen: Geometrien und Parameter, Signalverformung durch Verluste, Laufzeitverhalten, Taktverteilung Fehlermodelle bei hohen Datenraten: Laufzeitfehler, resistive Defekte, signalabhängige Fehler durch Koppeleffekte Leistungsversorgung, interne Kapazität: dynamischer Strombedarf, Anforderung an externe Entkopplung Aufbau- und Verbindungstechnik: Chipgehäuse, Bauformen, parasitäre Eigenschaften Charakterisierungs- und Prüfverfahren: nichtinvasive und invasive Verfahren, Meßverfahren für Wafer/Gehäuse/Bauelement, Test in Entwurfsverifikation und Fertigung Modellierung und Simulation des elektrischen Verhaltens: Schaltungs- und Verhaltensbeschreibung im Zeitbereich: SPICE, VHDL-AMS, IBIS
3. Schaltungen auf Leiterplatten
Materialien und Fertigungsprozess: Ausgangsmaterialien, physikalische und elektrische Eigenschaften, Einfluß von Ätz- und Laminiervorgang auf Material- und Leitungseigenschaften, Parameterhaltigkeit Leitungsgestaltung und -dimensionierung: geeignete Leitungsbauformen und -geometrien, Topologie, Entwurfsregeln, typische Verluste und Auswirkung auf Signalform Durchkontaktierungen: parasitäre Eigenschaften und deren quantitative Abschätzung, Entwurfsregeln, Einfluß auf Signale, Kompensationsmöglichkeiten durch geeignete Gestaltung Leistungsversorgung: Entwurfsregeln, Stabilisierung und Entstörung Lagenaufbau für Anwendungen hoher Datenrate: Signal-, Masse- und Versorgungslagen, Beschränkungen durch Fertigungsprozeß Meßtechnik und -verfahren: Zeit- und Frequenzbereichsverfahren, Bestimmung von Leitungsparametern, Augendiagramm Modellbildung: Zulässigkeit von Näherungen, Simulation von Leitungen mit frequenzabhängigen Verlusten im Zeitbereich, Versorgungs- und Massesystem, Simulationsunterstützung in Leiterplatten-Entwurfswerkzeugen Signalintegrität und EMV: Koexistenz analoger und digitaler Funktionsgruppen, Gestaltung von Signalführung und Versorgungssystem
- ECTS information:
- Title:
- Design and Characterisation of High Speed Digital Circuits
- Credits: 5
- Additional information
- Keywords: Leiterplatte Durchkontaktierung Aufbautechnik Verbindungstechnik Leistungsversorgung Charakterisierung Prüfverfahren Modellierung Chipgehäuse Simulation Meßtechnik Signalquelle Signalkenngröße Signalintegrität EMV Signal Leitung Datenrate
Expected participants: 30
- Assigned lectures
- UE: Übungen zu Entwurf und Analyse von Schaltungen für hohe Datenraten
-
Lecturers: Prof. Dr.-Ing. Klaus Helmreich, Dipl.-Ing. Gerald Gold
Time and place: Thu 16:15 - 17:45, 0.111
- Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
- Startsemester SS 2014:
- Entwurf und Analyse von Schaltungen für hohe Datenraten (ENAS)
- Department: Chair of High Frequency Technology (Prof. Dr. Schmidt)
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