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Strukturen von Metall/Silizium Grenzflächen und Silizidbildung (SFB 292/D3) (Heinz/Hammer)

Aufgrund ihrer Bedeutung für Kontakte zum Halbleitermaterial Silizium werden epitaktische Eisensilizidfilme auf Si(111) gewachsen und mittels Ratertunnelmikroskopie und Elektronenbeugung untersucht. Dabei interessiert insbesondere, unter welchen Präparationsbedingungen sich die meist beobachtete gleichzeitige Bildung mehrerer Silizidphasen unterdrücken, d.h. eine einzelne Phase stabilisieren lässt.
Project manager:
apl. Prof. Dr. Ulrich Starke, Dr. Lutz Hammer, Akad. Dir.

Project participants:
Dr. Michael Krause, Dr. Sebastian Walter

Duration: 1.1.1999 - 31.12.2001

Sponsored by:
Deutsche Forschungsgemeinschaft

Mitwirkende Institutionen:
SFB 292: Mehrkomponentige Schichtsysteme

Publications
Seubert, Armin ; Schardt, Judith ; Weiß, Wolfgang ; Starke, Ulrich ; Heinz, Klaus ; Fauster, Thomas: Interface structure of ultrathin CoSi2 films epitaxially grown on Si(111). In: Appl. Phys. Lett. 76 (2000), pp 727
Reuter, Karsten ; P.L. de Andres ; F.J. Garcia-Vidal ; F. Flores ; Heinz, Klaus: Electronic surface structure of CoSi2(111)-(2×1)/Si(111): Implications for Ballistic Electron Microscopy Currents. In: Appl. Surf. Sci. 166 (2000), pp 103-107
Reuter, Karsten ; P.L. de Andres ; F.J. Garcia-Vidal ; D. Sestovic ; F. Flores ; Heinz, Klaus: Green’s function calculation of Ballistic Electron Emission Microscopy currents (BEEM V2.1). In: Comp. Phys. Comm. 127 (2000), pp 327-342
Starke, Ulrich ; Schardt, Judith ; Weiß, Wolfgang ; Meier, Wolfgang ; Heinz, Klaus ; C. Polop ; P.L. de Andres: Structural and compositional reversible phase transitions on low-indexFe3Si surfaces. In: Europhys. Lett. 56 (2001), pp 822-828
Reuter, Karsten ; P.L. de Andres ; F.J. Garcia-Vidal ; F. Flores ; Heinz, Klaus: Surface and bulk band-structure effects on CoSi2/Si(111) ballistic-electron emission experiments. In: Phys. Rev. B 63 (2001), pp 205325/1-10
Starke, Ulrich ; Weiß, Wolfgang ; Kutschera, Michael ; Bandorf, Ralf ; Heinz, Klaus: High quality iron silicide films by simultaneous deposition of iron and silicon Si(111). In: J. Appl. Phys. 91 (2002), pp 6154-6161

Institution: Chair of Solid-State Physics
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