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Leitungsbandzustände von Siliziumkarbid (SFB 292/B8) (Fauster/Weinelt)

Die Struktur der Leitungsbänder von Siliziumkarbid und seinen Oberflächen soll experimentell aufgeklärt werden. Die energetische Lage und Dispersion der Bänder und Oberflächenzustände soll für verschiedene Oberflächenrekonstruktionen mit Inverser Photoemission und mit Zweiphotonenphotoemission bestimmt werden. In zeitaufgelösten Messungen soll die Dynamik der Zustände und damit die Relaxation heißer Elektronen untersucht werden.
Project manager:
Prof. Dr. Martin Weinelt

Project participants:
Dr. Michael Wiets

Duration: 1.1.1999 - 31.12.2001

Sponsored by:
Deutsche Forschungsgemeinschaft

Mitwirkende Institutionen:
SFB 292: Mehrkomponentige Schichtsysteme

Publications
Wiets, Michael ; Weinelt, Martin ; Fauster, Thomas: Electronic structure of SiC(0001) surfaces studied by two-photon photoemission. In: Phys. Rev. B 68 (2003), pp 125321

Institution: Chair of Solid-State Physics
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