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Crystal Growth & Semiconductor Technology ET (MWT 3) (CGET)10 ECTS (englische Bezeichnung: Crystal growth ET)
Modulverantwortliche/r: Peter Wellmann Lehrende:
Peter Wellmann, Jochen Friedrich
Startsemester: |
WS 2015/2016 | Dauer: |
2 Semester | Turnus: |
halbjährlich (WS+SS) |
Präsenzzeit: |
110 Std. | Eigenstudium: |
190 Std. | Sprache: |
Deutsch |
Lehrveranstaltungen:
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Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie (WS 2015/2016)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Di, 14:15 - 15:45, 3.71)
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Praktikum Wahlfach Crystal Growth (WS 2015/2016)
(Praktikum, 3 SWS, Peter Wellmann, Do, 8:00 - 18:00, 3.71; n.V.)
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Elektronische Bauelemente und Materialfragen (Technologie II) (SS 2016)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Mi, 8:30 - 10:00, 3.71; keine Vorlesung am 04.05.2016)
- Wahlvorlesungen
Aus den optionalen Wahlveranstaltungen kann eine Vorlesung gewählt werden, die mit 1 ECTS in das Modul eingeht.
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Halbleiter großer Bandlücke (SS 2016 - optional)
(Vorlesung, 1 SWS, Peter Wellmann, Mi, 14:15 - 15:45, 3.71; 6 Termine n.V. / keine Vorlesung am 04.05.2016)
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Technologie der Züchtung von Halbleiterkristallen und Photovoltaik (SS 2016 - optional)
(Vorlesung, 1 SWS, Jochen Friedrich, Fr, 16:15 - 17:45, Raum n.V.; Seminarraum 1, Fraunhofer IISB, Schottkystr.10, 91058 Erlangen)
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Aufbau- und Verbindungstechnik in der Leistungselektronik (WS 2015/2016 - optional)
(Vorlesung, 2 SWS, Uwe Scheuermann, Fr, 12:15 - 13:45, A 2.16)
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Numerische Modellierung des Kristallwachstums mithilfe des Programmpakets COMSOL Multi-Physics (SS 2016 - optional)
(Vorlesung mit Übung, 1 SWS, Anwesenheitspflicht, Peter Wellmann)
Empfohlene Voraussetzungen:
Bachelor in Materialwissenschaft, Nanotechnologie, Energietechnik, Physik, Chemie oder in einem vergleichbaren Studiengang.
Inhalt:
Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie
Grundlagen des Kristallwachstums
Grundlagen der Silizium Halbleitertechnologie (Oxidation, Dotierung mittels Diffusion und Ionenimplantation, Ätzen, Metallisierung, Lithografie, Packaging)
Elektronische Bauelemente und Materialfragen
Korrelation von Bauelementfunktion (Bipolar-Diode, Bipolar-Transistor, Schottky-Diode, Feldeffekt-Transistor, Leucht- und Laserdiode) mit Materialeigenschaften
Grundlagen Epitaxie
Praktikum
Czochralski Kristallwachstum von InSb
Modellierung in der Kristallzüchtung
Halbleitercharakterisierung
Lernziele und Kompetenzen:
Die Studierenden
-lernen experimentelle Techniken in den Werkstoffwissenschaften kennen und können sie selbständig anwenden
Literatur:
Wird in den Lehrveranstaltungen angegeben.
Studien-/Prüfungsleistungen:
Crystal Growth ET (MWT 3) (Prüfungsnummer: 991457)
(englischer Titel: Crystal growth ET)
- Prüfungsleistung, mündliche Prüfung, Dauer (in Minuten): 30, benotet
- Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %
- weitere Erläuterungen:
zusätzlich Absolvierung des Praktikums!
- Erstablegung: WS 2015/2016, 1. Wdh.: SS 2016
1. Prüfer: | Peter Wellmann |
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UnivIS ist ein Produkt der Config eG, Buckenhof |
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