Crystal Growth & Semiconductor Technology ET (MWT 3) (CGET)10 ECTS
(englische Bezeichnung: Crystal growth ET)

Lectures:

• • Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie (WS 2015/2016)
    (Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Tue, 14:15 - 15:45, 3.71)
  • Praktikum Wahlfach Crystal Growth (WS 2015/2016)
    (Praktikum, 3 SWS, Peter Wellmann, Thu, 8:00 - 18:00, 3.71; n.V.)
  • Elektronische Bauelemente und Materialfragen (Technologie II) (SS 2016)
    (Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Wed, 8:30 - 10:00, 3.71; keine Vorlesung am 04.05.2016)
• Wahlvorlesungen

  Aus den optionalen Wahlveranstaltungen kann eine Vorlesung gewählt werden, die mit 1 ECTS in das Modul eingeht.

  • Halbleiter großer Bandlücke (SS 2016 - optional)
    (Vorlesung, 1 SWS, Peter Wellmann, Wed, 14:15 - 15:45, 3.71; 6 Termine n.V. / keine Vorlesung am 04.05.2016)
  • Technologie der Züchtung von Halbleiterkristallen und Photovoltaik (SS 2016 - optional)
    (Vorlesung, 1 SWS, Jochen Friedrich, Fri, 16:15 - 17:45, Raum n.V.; Seminarraum 1, Fraunhofer IISB, Schottkystr.10, 91058 Erlangen)
  • Aufbau- und Verbindungstechnik in der Leistungselektronik (WS 2015/2016 - optional)
    (Vorlesung, 2 SWS, Uwe Scheuermann, Fri, 12:15 - 13:45, A 2.16)
  • Numerische Modellierung des Kristallwachstums mithilfe des Programmpakets COMSOL Multi-Physics (SS 2016 - optional)
    (Vorlesung mit Übung, 1 SWS, Anwesenheitspflicht, Peter Wellmann)

Empfohlene Voraussetzungen:

Bachelor in Materialwissenschaft, Nanotechnologie, Energietechnik, Physik, Chemie oder in einem vergleichbaren Studiengang.

Inhalt:

Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie

• Grundlagen des Kristallwachstums

• Grundlagen der Silizium Halbleitertechnologie (Oxidation, Dotierung mittels Diffusion und Ionenimplantation, Ätzen, Metallisierung, Lithografie, Packaging)
  

Elektronische Bauelemente und Materialfragen

• Korrelation von Bauelementfunktion (Bipolar-Diode, Bipolar-Transistor, Schottky-Diode, Feldeffekt-Transistor, Leucht- und Laserdiode) mit Materialeigenschaften

• Grundlagen Epitaxie
  

Praktikum

• Czochralski Kristallwachstum von InSb

• Modellierung in der Kristallzüchtung

• Halbleitercharakterisierung

Lernziele und Kompetenzen:

Die Studierenden

• erwerben fundierte Kenntnisse über Materialeigenschaften und deren Anwendungen in elektronischen Bauelementen

-lernen experimentelle Techniken in den Werkstoffwissenschaften kennen und können sie selbständig anwenden

• können in Gruppen kooperativ und verantwortlich arbeiten

Literatur:

Wird in den Lehrveranstaltungen angegeben.

Studien-/Prüfungsleistungen:

Crystal Growth ET (MWT 3) (Prüfungsnummer: 991457)

(englischer Titel: Crystal growth ET)

Prüfungsleistung, mündliche Prüfung, Dauer (in Minuten): 30, benotet

Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %

weitere Erläuterungen:
zusätzlich Absolvierung des Praktikums!

Erstablegung: WS 2015/2016, 1. Wdh.: SS 2016

1. Prüfer:

Peter Wellmann