Semiconductor technology (CE5)15 ECTS
(englische Bezeichnung: Semiconductor technology)

Lectures:

• A. Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie (2SWS, 3 ECTS/VORL), Wahlvorlesung Materialien der Elektronik und Energietechnik (z.B. Halbleiter großer Bandlücke) (1SWS, 1,5 ECTS/VORL)
  • Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie (WS 2015/2016)
    (Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Tue, 14:15 - 15:45, 3.71)
  • Halbleiter großer Bandlücke (SS 2016)
    (Vorlesung, 1 SWS, Peter Wellmann, Wed, 14:15 - 15:45, 3.71; 6 Termine n.V. / keine Vorlesung am 04.05.2016)
• B. Elektronische Bauelemente und Materialfragen (Technologie II) (2 SWS, 3 ECTS/VORL), Wahlvorlesung Materialien der Elektronik und Energietechnik (z.B. aus dem Umfeld „ Organische Halbleiter“ ) (1 SWS, 1,5 ECTS/VORL)
  • Elektronische Bauelemente und Materialfragen (Technologie II) (SS 2016)
    (Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Wed, 8:30 - 10:00, 3.71; keine Vorlesung am 04.05.2016)
  • Materialien der Elektronik und der Energietechnik (WS 2015/2016)
    (Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Mon, 14:15 - 15:45, H14)
• C. Seminar Materialien der Elektronik und Energietechnik (2 SWS, 3 ECTS/SEM), Praktikum „Crystal Growth“ (3 SWS, 3 ECTS/PR)
  • Praktikum Wahlfach Crystal Growth (WS 2015/2016)
    (Praktikum, 3 SWS, Peter Wellmann, Thu, 8:00 - 18:00, 3.71; n.V.)

Empfohlene Voraussetzungen:

Admission to the M. Sc. program Chemistry

Inhalt:

• Technologie der Halbleitermaterialen Silizium, III-V- und II-VI-Verbindungshalbleiter, sowie der organischen Halbleiter

• Grundlagen der Halbleiter-Kristallzüchtung

• Grundlagen der Halbleiter-Epitaxie

• Technologien der Halbleiterbauelementherstellung

• Grundlagen Elektronische Bauelemente & Zusammenhang der elektronischen Eigenschaften mit Materialeigenschaften
  

PR: Herstellung eines Einkristalls, Charakterisierung von Einkristallscheiben, numerische Simulation der Kristallzüchtung

Lernziele und Kompetenzen:

Die Studierenden

• verfügen über Kenntnisse der Herstellung und der Eigenschaften von Halbleitermaterialien und elektronischen Bauelementen

• sind fähig die Möglichkeiten und Grenzen der Prozesstechnologien im Hinblick auf die Mikroelektronik, Leistungselektronik, Solarzellen, Organische Leuchtdioden, Transistoren und Solarzellen zu beurteilen und zu diskutieren

• können den Einfluss der Materialeigenschaften auf die Bauelementfunktion (Performance der Bauelemente, wie Schaltgeschwindigkeit und Leuchtfarbe / Lebensdauer bzw. Alterung/... ) nachvollziehen und analysieren

• sind in der Lage ausgewählte Halbleitermaterialien und Bauelemente selbstständig herzustellen und ihre Funktionen und Eigenschaften gegenüberzustellen.

Organisatorisches:

Frequency of offer: annually
Intended stage in the degree course: Semester 1 – 3

Verwendbarkeit des Moduls / Einpassung in den Musterstudienplan:
Das Modul ist im Kontext der folgenden Studienfächer/Vertiefungsrichtungen verwendbar:

1. Chemie (Master of Science): 2-3. Semester
   (Po-Vers. 2009 | Wahlmodul | Halbleitertechnologie)

Studien-/Prüfungsleistungen:

Halbleitertechnologie (Prüfungsnummer: 66201)

(englischer Titel: Oral Examination or Examination (Klausur) or Notes or Presentation: Semiconductor Technology)

Prüfungsleistung, mehrteilige Prüfung, benotet

Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %

weitere Erläuterungen:
Assessment and examinations: Depending on the choice of the module
Calculation of the grade for the module: Depending on the choice of the module

Prüfungssprache: Deutsch und Englisch

Erstablegung: SS 2016, 1. Wdh.: WS 2016/2017

1. Prüfer:

Peter Wellmann

Termin: 02.05.2017