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Praktikum Technologie der Silizium-Halbleiterbauelemente (PrTESI)2.5 ECTS (englische Bezeichnung: Laboratory on Silicon Semiconductor Processing)
Modulverantwortliche/r: Lothar Frey Lehrende:
Lothar Frey
Start semester: |
WS 2016/2017 | Duration: |
1 semester | Cycle: |
halbjährlich (WS+SS) |
Präsenzzeit: |
45 Std. | Eigenstudium: |
30 Std. | Language: |
Deutsch |
Lectures:
Empfohlene Voraussetzungen:
Inhalt:
Das Praktikum zur Technologie der Silizium-Halbleiterbauelemente vermittelt einen ersten praktischen Einstieg in die Halbleitertechnologie. Im Verlauf des Herstellungsprozesses einer Solarzelle werden die Herstellungsschritte Oxidation, Implantation, Lithographie, Ätzen und Metallisierung durchgeführt. Darüber hinaus werden wichtige Messverfahren zur Prozesskontrolle wie Schichtdickenmessverfahren, Schichtwiderstandsmessverfahren vorgestellt und zum Schluss die hergestellten Solarzellen an Hand ihrer Strom/Spannungs-Kennlinie elektrisch charakterisiert (Wirkungsgrad etc.).
Lernziele und Kompetenzen:
Die Studierenden
- Fachkompetenz
- Verstehen
- verstehen die Funktionsweise von Solarzellen
- Anwenden
- können typische Prozessgeräte und Methoden der Prozesskontrolle in einer Halbleiterfertigung erklären
- Analysieren
- sind in der Lage, verschiedene Technologieschritte hinsichtlich ihrer Vor- und Nachteile zu analysieren
- Lern- bzw. Methodenkompetenz
- sammeln praktische Erfahrung im Umgang mit Halbleiterscheiben unter den besonderen Arbeitsbedingungen eines Reinraumes
Literatur:
- Praktikumsskripte
Frey, L.: Skripten zu den Vorlesungen Technologie integrierter Schaltungen und Prozessintegration und Bauelementearchitekturen (am Lehrstuhl erhältlich)
Götzberger, A., Voß, B., Knobloch, J.: Sonnenenergie: Photovoltaik, Teubner Verlag, Stuttgart, 1994
Organisatorisches:
Teilnahme an den Vorbesprechungen und Versuchen erforderlich Die Anwesenheit an den Versuchen ist verpflichtend, da der Kompetenzerwerb im Umgang mit Messgeräten und Software nur durch die Präsenz im Labor oder am entsprechenden Rechnerarbeitsplatz mit Spezialsoftware erlangt werden kann.
Verwendbarkeit des Moduls / Einpassung in den Musterstudienplan: Das Modul ist im Kontext der folgenden Studienfächer/Vertiefungsrichtungen verwendbar:
- Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik (Master of Science)
(Po-Vers. 2015s | TechFak | Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik (Master of Science) | Masterprüfung | Studienrichtung Leistungselektronik | Hauptseminar und Laborpraktikum Leistungselektronik)
- Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik (Master of Science)
(Po-Vers. 2015s | TechFak | Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik (Master of Science) | Masterprüfung | Studienrichtung Mikroelektronik | Hauptseminar und Laborpraktikum Mikroelektronik)
Studien-/Prüfungsleistungen:
Laborpraktikum Technologie der Silizium-Halbleiterbauelemente (Prüfungsnummer: 77301)
- Studienleistung, Praktikumsleistung, unbenotet
- weitere Erläuterungen:
- Vorbereitung auf jeden Versuch
Teilnahme an allen Versuchen (8 Versuche)
Kontrolle der Vorbereitung auf die Versuche durch Diskussion der Versuchsinhalte während der Versuchsvorbesprechungen
Anfertigung von Versuchsprotokollen
Teilnahme und Bestehen des Abschlusstesttats
- Erstablegung: WS 2016/2017, 1. Wdh.: SS 2017
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