Prozessintegration und Bauelementearchitekturen (PiBa-V)
- Dozent/in
- Prof. Dr. rer. nat. Lothar Frey
- Angaben
- Vorlesung
2 SWS, benoteter Schein, ECTS-Studium, ECTS-Credits: 5
nur Fachstudium, Sprache Deutsch
Zeit und Ort: Mo 14:15 - 15:45, Hans-Georg-Waeber-Saal
- Studienfächer / Studienrichtungen
- WPF ME-BA-MG4 5-6
PF EEI-BA-MIK 5-6
PF EEI-MA-MIK 1-4
WPF ME-MA-MG4 1-3
WPF NT-MA ab 1
WPF BPT-MA-E 1-3
- Inhalt
- In dieser Vorlesung werden die physikalischen Anforderungen an integrierte Bauelemente und deren Umgebung definiert und Lösungsansätze anhand von Prozess-Sequenzen vorgestellt.
Insbesondere soll dabei dargelegt werden, wie durch die stetige Verkleinerung der Strukturen neue prozesstechnische Verfahren zur Einhaltung der an die Technologie gestellten Forderungen notwendig werden.
In einer Einleitung werden kurz die Methoden der Herstellung (vgl. Technologie integrierter Schaltungen) vorgestellt. Die für Mikroprozessoren und Logikschaltungen wichtige CMOS-Technik wird im Anschluss daran ausführlich behandelt, gefolgt von der Bipolartechnik und der BiCMOS-Technik, bei der sowohl CMOS, als auch
Bipolarschaltungen auf einem Chip integriert werden. Der nächste Vorlesungsabschnitt widmet sich den statischen und dynamischen Speichern, hier werden sowohl die wichtigsten Speicherarten (DRAM, SRAM, EPROM, Flash) vorgestellt, als auch die notwendigen Technologieschritte. Ein kurzes Kapitel befasst sich mit dem Aufbau von Leistungsbaulelementen. Die Problematik der Metallisierung sowie die Aufbau- und Verbindungstechnik, die für alle Bauelemente ähnlich ist, wird im Anschluss behandelt. Das letzte Kapitel beinhaltet Aspekte zur Ausbeute und Zuverlässigkeit von Bauelementen.
- ECTS-Informationen:
- Title:
- Process Integration and Device Architecture
- Credits: 5
- Prerequisites
- none
- Contents
- After a brief overview of fundamental processing steps for manufacturing semiconductor devices and integrated circuits, the CMOS technique is explained in detail. Afterwards, the bipolar and the BiCMOS techniques are introduced. The latter integrates both bipolar and CMOS devices on one chip. The next topic deals with the main kinds of static and dynamic memories, like DRAM, SRAM, EPROM or flash memories. A short chapter is dedicated to the architecture of power devices. The following topics, metallization, assembly and
packaging technology, describe all steps from a processed silicon wafer to a packaged microchip. Important aspects of IC
fabrication yield and circuit reliability will be discussed as final topic of the lecture.
- Zusätzliche Informationen
- Schlagwörter: Halbleitertechnologie
Erwartete Teilnehmerzahl: 44
- Zugeordnete Lehrveranstaltungen
- EX: Exkursion Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente
-
Dozent/in: Assistenten
Zeit und Ort: n.V.; Bemerkung zu Zeit und Ort: Wird in den Veranstaltungen des Lehrstuhls bekannt gegeben
- UE: Übungen zu Prozessintegration und Bauelementearchitekturen
-
Dozent/in: Christian David Matthus, M. Sc.
Zeit und Ort: Di 12:15 - 13:45, Hans-Georg-Waeber-Saal
- Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
- Startsemester WS 2015/2016:
- Nanoelectronics (CE6)
- Startsemester SS 2016:
- Prozessintegration und Bauelementearchitekturen (PiBa)
- Institution: Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
|
|