Lecture list

Anleitung zum wissenschaftlichen Arbeiten AWA; 4 cred.h; n.V.					Frey, L.
Seminar on Selected Topics of Silicon Semiconductor Technology SEM; 2 cred.h; ben. certificate; ECTS: 2,5; Anmeldung über StudOn; Tue, 14:15 - 15:45, 0.111; Preliminary meeting: 18.10.2016, 14:15 - 15:00 Uhr, 0.111				WPF ME-MA-SEM-EEI 3 WPF EEI-BA-MIK 5-6 WPF EEI-MA-MIK 1-4 WPF ME-BA-SEM 3-6	Scharin-Mehlmann, M.
Einführung in die gedruckte Elektronik [GedrElektr] VORL; 2 cred.h; certificate; ECTS: 2,5; Wed, 8:15 - 9:45, 0.111					Jank, M.
Excursion Semiconductor Processing EX; 1 cred.h; certificate; Zeit und Raum n.V.					Matthus, Ch.D.
Forschungspraktikum am LEB SL; certificate; ECTS: 5; Nur für EEI Master; Weitere Informationen über StudOn unter: <link wird noch eingefügt>; Nach Vereinbarung; Nur für EEI Master; Weitere Informationen über StudOn unter: <Link wird noch eingefügt>					Dirnecker, T.
Semiconductor Devices VORL; 2 cred.h; ECTS: 5; Physikalische Grundlagen der Halbleiterbauelemente; Tue, 10:15 - 11:45, H9, (außer Tue 7.2.2017); single appointment on 24.10.2016, 16:15 - 17:45, HH				WPF MT-MA-MEL ab 1 PF EEI-BA 3 PF BPT-BA-E 3 PF BPT-MA-M-E ab 1 PF WING-BA-IKS 5 WPF MT-BA-BV ab 5	Frey, L.
Tutorium Halbleiterbauelemente TUT; 2 cred.h; Mon, 18:00 - 19:30, HH; starting 12.12.2016; Erster Termin: 12.12.2016				PF EEI-BA 3 PF BPT-BA-E 3 PF WING-BA-IKS 5	Stolzke, T.
Übungen zu Halbleiterbauelemente UE; 2 cred.h; Mon, 16:15 - 17:45, HH, (außer Mon 17.10.2016, Mon 24.10.2016); single appointment on 7.2.2017, 10:15 - 11:45, H9				WPF MT-MA-MEL ab 1 PF EEI-BA 3 PF WING-BA-IKS 5 PF BPT-BA-E 3 PF BPT-MA-M-E ab 1 WPF MT-BA ab 5	Stolzke, T.
Integrierte Schaltungen, Leistungsbauelemente und deren Anwendungen [SEM_POWERDEVICES] SEM; ben. certificate; ECTS: 2,5; Offene Seminarthemen finden Sie im StudOn-Bereich zum Seminar unter: https://www.studon.fau.de/crs1620755.html; Fri, 14:15 - 15:45, 0.111, (außer Fri 27.1.2017); single appointment on 27.1.2017, 12:00 - 14:50, 0.111; Bitte beachten Sie den Termin zur Vorbesprechung; Preliminary meeting: 21.10.2016, 14:00 - 14:30 Uhr, 0.111					Dirnecker, T. u.a.
Colloquium on Semiconductor Technology and Metrology KO; 1 cred.h; Mon, 17:15 - 18:00, Hans-Georg-Waeber-Saal; Siehe Vortragsliste auf der Homepage des LEB.					Bauer, A.
Semiconductor Power Devices VORL; 2 cred.h; ben. certificate; ECTS: 5; Wed, 12:15 - 13:45, 0.111				WF ME-DH-VF11 5-10 WPF ME-BA-MG3 3-6 PF EEI-BA-LE 5-6 WPF EEI-BA-EuA 5-6 PF EEI-MA-LE 1-4 WPF EEI-MA-EuA 1-4 WPF ME-MA-MG3 1-3 WPF BPT-MA-E 1-3	Erlbacher, T.
Übung zu Leistungshalbleiterbauelemente UE; 2 cred.h; Wed, 14:15 - 15:45, 0.111				WF ME-DH-VF11 5-10 WPF ME-BA-MG3 3-6 PF EEI-BA-LE 5-6 WPF EEI-BA-EuA 5-6 WPF EEI-MA-EuA 1-4 PF EEI-MA-LE 1-4 WPF ME-MA-MG3 1-3 WPF BPT-MA-E 1-3	Albrecht, M.
Optical Lithography: Technology, Physical Effects, and Modelling VORL; 2 cred.h; Fri, 10:15 - 11:45, Hans-Georg-Waeber-Saal				WF EEI-MA ab 1 WF ME-DH ab 7 WF AOT-GL ab 1 PF NT-MA 1	Erdmann, A.
Übung zu Optical Lithography UE; 2 cred.h; Für Master AOT verpflichtende Zusatzveranstaltung, für andere Studiengänge freiwillig; Mon, 14:15 - 15:45, Hans-Georg-Waeber-Saal, 0.157-115				WF AOT-GL ab 1 PF NT-MA 1	Erdmann, A.
Laboratory on Semiconductor and Device Metrology PR; 3 cred.h; certificate; ECTS: 2,5; Voraussetzung: Vorlesungen Technologie integrierter Schaltungen und/oder Halbleiter- und Bauelementemesstechnik; Das Praktikum findet ggf. als Blockpraktikum in der vorlesungsfreien Zeit statt. Termin nach Vereinbarung. Anmeldung über StudOn; Preliminary meeting: 21.10.2016, 15:00 - 15:30 Uhr, 0.111				WPF EEI-BA-MIK 5-6 WPF EEI-MA-MIK 1-4 WPF ME-MA-P-EEI 1-4	Dirnecker, T.
Laboratory on Microelectronics [PrakMikro] PR; 3 cred.h; certificate; ECTS: 2,5; Nur für Studenten im Bachelorstudium EEI mit Studienrichtung Mikroelektronik belegbar!!; Preliminary meeting: 26.10.2016, 16:00 - 17:00 Uhr, BR 1.161				WPF EEI-BA-MIK 5-6	Scharin-Mehlmann, M.
	tbd.				Beck, Ch.
	Versuchstermine werden in der Vorbesprechung festgelegt				Beck, Ch.
	tbd.				Frickel, J. Glein, R.
	Versuchstermine werden in der Vorbesprechung festgelegt				Frickel, J. Glein, R.
	tbd.				Scharin-Mehlmann, M.
	Versuchstermine werden in der Vorbesprechung festgelegt				Scharin-Mehlmann, M.
	tbd.				Rasim, F.R.
	Versuchstermine werden in der Vorbesprechung festgelegt				Rasim, F.R.
Laboratory on Silicon Semiconductor Processing [Prak TeSi] PR; 3 cred.h; certificate; ECTS: 2,5; Hinweis: Das Praktikum wird im Wintersemester 2016/17 nicht angeboten; Zeit und Raum n.V.				WPF ME-MA-P-EEI 1-4 WPF EEI-MA-MIK 1-4 WPF EEI-BA-MIK 5-6 WPF EEI-BA-LE 5-6 WPF EEI-MA-LE 1-4 WPF ME-MA ab 1	Dirnecker, T.
Reinraumpraktikum [RRPrak] PR; 6 cred.h; ECTS: 5; Teilnahme an der Vorbesprechung am 20.10. ist verpflichtend! Anmeldung bei StudOn notwendig. Praktikumszeiten donnerstags werden nach Gruppeneinteilung bekanntgegeben.				PF NT-BA 5	Scharin-Mehlmann, M. Matthus, Ch.D. Dirnecker, T.
	Thu	8:00 - 11:00, 13:00 - 16:00	0.111		Matthus, Ch.D.
	Thu	8:00 - 11:00, 13:00 - 16:00	BR 1.161		Scharin-Mehlmann, M.
	Thu Thu	9:00 - 13:00 14:00 - 18:00	BR 1.161, 0.111 BR 1.161		Matthus, Ch.D. Scharin-Mehlmann, M.
	Findet u.a. im Reinraum des LEB statt. Gruppeneinteilung am Semesterbeginn.				Matthus, Ch.D. Scharin-Mehlmann, M.
Seminar über Bachelorarbeiten [Sem BA] SEM; 2 cred.h; ECTS: 2,5; Fri, 10:15 - 11:45, 0.111; to 21.4.2017					Dirnecker, T.
Seminar on Theses SEM; 2 cred.h; Fri, 12:15 - 13:45, 0.111; to 21.4.2017; (Termine werden bekannt gegeben und sind auf der Homepage des Lehrstuhls zu finden					Matthus, Ch.D.
Technology of Semiconductor Manufacturing Equipment VORL; 2 cred.h; ben. certificate; ECTS: 2,5; Vorbesprechung in Seminarsaal 1 am Fraunhofer IISB, Schottkystr. 10; Preliminary meeting: 19.10.2016, 16:00 - 16:30 Uhr				WF EEI-MA ab 1 WF EEI-BA ab 5 WPF ME-BA-MG10 3-6 WPF ME-MA-MG10 1-3 WF WW-DH-EL 7-13	Pfitzner, L. Schmutz, W.
Technology of Integrated Circuits VORL; 3 cred.h; ECTS: 5; benoteter Schein möglich; Fri, 12:15 - 14:30, Hans-Georg-Waeber-Saal				WPF BPT-MA-E 1-3 PF EEI-BA-MIK 5-6 WPF EEI-BA-MIK 5-6 PF EEI-MA-MIK 1-4 WPF EEI-MA-MIK 1-4 PF INF-NF-EEI 5 WPF ME-BA-MG4 3-6 WPF ME-MA-MG4 1-3 WF NT-MA ab 1	Frey, L.
Übung zu Technologie integrierter Schaltungen UE; 1 cred.h; Veranstaltung nach Absprache evtl. 14-tägig; Mon, 12:15 - 13:45, Hans-Georg-Waeber-Saal; Die Übung findet 14-tägig als 2-stündige Veranstaltung statt. Der Beginn der Übung wird in der Vorlesung bekannt gegeben,				PF EEI-BA-MIK 5-6 WPF EEI-BA-MIK 5-6 PF EEI-MA-MIK 1-4 WPF EEI-MA-MIK 1-4 PF INF-NF-EEI ab 5 WPF ME-BA-MG4 3-6 WPF ME-MA-MG4 1-3 WF NT-MA ab 1 WPF BPT-MA-E 1-3	Matthus, Ch.D.
Technologie medizinischer Mikrosysteme VORL; 2 cred.h; ECTS: 2,5; Tue, 16:15 - 17:45, 0.111				WPF MT-MA-MEL ab 2	Dirnecker, T.
Virtuelle Vorlesung Halbleiterbauelemente (vhb) VORL; 4 cred.h; enthält 2 SWS Übung; in Kooperation mit Prof. Schmidt-Landsiedel (TU München), Anmeldung bei der virtuellen Hochschule Bayern (vhb)					Ryssel, H. u.a.
Virtuelle Vorlesung Technologie und Architektur mikroelektronischer Schaltungen (vhb) VORL; 4 cred.h; enthält 2 SWS Übung; Anmeldung bei der virtuellen Hochschule Bayern (vhb)					Ryssel, H.
Reliability and Failure Analysis of Integrated Circuits VORL; 2 cred.h; ben. certificate; ECTS: 4; Thu, 16:15 - 17:45, 0.111				WPF BPT-MA-E 1-3 WPF EEI-BA-MIK 5-6 WPF EEI-MA-MIK 1-4	Pichler, P.
Übung zu Zuverlässigkeit und Fehleranalyse integrierter Schaltungen UE; 1 cred.h; ben. certificate; Erster Termin der Übung wird in der Vorlesung bekannt gegeben.				WPF BPT-MA-E 1-3 WPF EEI-BA-MIK 5-6 WPF EEI-MA-MIK 1-4	Pichler, P.



	UnivIS is a product of Config eG, Buckenhof

Chair of Electron Devices (Prof. Dr. Frey)

Einführung in die gedruckte Elektronik [GedrElektr]

Integrierte Schaltungen, Leistungsbauelemente und deren Anwendungen [SEM_POWERDEVICES]

Laboratory on Microelectronics [PrakMikro]

Laboratory on Silicon Semiconductor Processing [Prak TeSi]

Reinraumpraktikum [RRPrak]

Seminar über Bachelorarbeiten [Sem BA]