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Departments >> Faculty of Engineering >> Department of Electrical-Electronic-Communication Engineering >>

Chair of Electron Devices (Prof. Dr. Frey)

 

Anleitung zum wissenschaftlichen Arbeiten [AnWiAr]

AWA; 4 cred.h; Zeit und Raum n.V. 		  Frey, L.  
 

Seminar on Selected Topics of Silicon Semiconductor Technology [SEM TeSi]

SEM; 2 cred.h; ben. certificate; ECTS: 2,5; Tue, 14:15 - 15:45, 0.111; Preliminary meeting: 11.4.2018, 10:15 - 10:45 Uhr, 0.111 		WPF ME-MA-SEM-EEI 3
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF ME-BA-SEM 3-6 		Marhenke, J.  
 

Forschungspraktikum am LEB (5 ECTS) [Prak FOR-LEB_5]

SL; certificate; ECTS: 5; Nur für EEI Master; Nach Vereinbarung; Nur für EEI Master; 		  Dirnecker, T.  
 

Forschungspraktikum am LEB (10 ECTS) (Prak FOR-LEB_10) [Prak FOR-LEB_10]

SL; certificate; ECTS: 10; Nach Vereinbarung; Nur für EEI Master; Nach Vereinbarung; Nur für EEI Master; 		  Dirnecker, T.  
 

Semiconductor and Device Measurement Techniques [HBMT-V]

VORL; 3 cred.h; ben. certificate; ECTS: 5; Die Übung ist in die Vorlesungseinheiten integriert.; Tue, 14:15 - 17:45, Hans-Georg-Waeber-Saal; Erster Termin am 10.04. voraussichtlich bis 16:00 Uhr 		WPF WW-DH-MIC ab 6
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF ME-DH-VF11 ab 6
WPF ME-BA-MG4 5-6
WPF ME-MA-MG4 1-3
WPF MWT-MA-MIC ab 1
WF MWT-BA 5-6
WPF NT-MA ab 1
WPF BPT-MA-E 1-3 		Albrecht, M.
Marhenke, J. 		 
 

Übung zu Halbleiter- und Bauelementemesstechnik [HBMT-Ü]

UE; 1 cred.h; Termin der Übung ist vorläufig und wird in der ersten Semesterwoche in Absprache mit den Studenten festgelegt. 		WPF WW-DH-MIC ab 5
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF ME-DH-VF11 ab 8
WPF ME-BA-MG4 5-6
WPF ME-MA-MG4 1-3
WPF MWT-MA-MIC ab 1
WF MWT-BA ab 5
WPF NT-MA ab 1
WPF BPT-MA-E 1-3 		Marhenke, J.
Albrecht, M. 		 
 

Semiconductor Devices [HBEL-V]

VORL; 2 cred.h; Anf; Wed, 16:15 - 17:45, H6; single appointment on 18.4.2018, 10:15 - 11:45, H5; Hinweis: zusätzlicher Vorlesungstermin in der zweiten Vorlesungswoche (18.04.), dafür am Ende des Semesters ein zusätzlicher Übungstermin! 		WF MS-MA ab 1
PF ME-BA 4
WPF MT-MA-MEL ab 1
WPF MT-BA-BV ab 5
WF C-MA ab 1
WF MWT-MA-TS ab 1
PF BPT-MA-M-E ab 1 		Frey, L.  
 

Tutorium Halbleiterbauelemente [HBEL-Tut]

TUT; 2 cred.h; Wed, 12:15 - 13:45, R4.15; 1. Termin nach Absprache ab Mitte des Semesters 		PF ME-BA 4
WPF MT-MA-MEL 1-2 		Assistenten  
 

Übungen zu Halbleiterbauelemente [HBEL-Ü]

UE; 2 cred.h; Wed, 10:15 - 11:45, H5; starting 25.4.2018; Übung startet am 25.04. 		PF ME-BA 4
WPF MT-MA-MEL 1-2
WF MS-MA ab 1
WF C-MA ab 1
WF MWT-MA-TS ab 1 		Stolzke, T.  
 

Integrierte Schaltungen, Leistungsbauelemente und deren Anwendungen [SEM_POWER]

SEM; ben. certificate; ECTS: 2,5; Fri, 14:15 - 15:45, 0.111; Preliminary meeting: 13.4.2018, 14:15 - 14:45 Uhr, 0.111 		WF EEI-MA ab 1
WF EEI-BA ab 5
WF ME-BA-SEM 6
WF ME-MA-SEM 3 		Dirnecker, T.
u.a. 		 
 

Colloquium on Semiconductor Technology and Metrology [KO HLMT]

KO; 1 cred.h; Mon, 17:15 - 18:00, Hans-Georg-Waeber-Saal 		  Bauer, A.  
 

Nano IV: Halbleiter [Nano IV]

VORL; 2 cred.h; ECTS: 2,5; Veranstaltung für Studiengang Nanotechnologie; Thu, 14:15 - 15:45, R4.15, (außer Thu 5.7.2018); single appointment on 5.7.2018, 12:15 - 13:45, 0.111 		PF NT-BA 4 Dirnecker, T.  
 

Nanoelectronics [NANOEL]

VORL; 2 cred.h; Mon, 10:15 - 11:45, Hans-Georg-Waeber-Saal 		PF NT-MA 2
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF BPT-MA-E 1-3 		Frey, L.
Jank, M. 		 
 

Laboratory on Semiconductor and Device Metrology [Prak HLMT]

PR; 3 cred.h; certificate; ECTS: 2,5; Weitere Informationen im StudOn-Bereich:; Durchführung ggf. als Blockpraktikum in den Semesterferien; Preliminary meeting: 13.4.2018, 10:00 - 10:30 Uhr, 0.111 		WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF ME-MA-P-EEI 2-3 		Niebauer, M.  
 

Laboratory on Mechatronic Systems [MechSysPrak]

PR; 6 cred.h; certificate; ECTS: 5 		PF ME-BA 4 Dirnecker, T.  
     single appointment on 9.4.201811:30 - 14:00Hans-Georg-Waeber-Saal  Dirnecker, T. 
     single appointment on 6.7.20189:00 - 12:30Hans-Georg-Waeber-Saal  Dirnecker, T. 
 

Laboratory on Microelectronics [PrakMikro]

PR; 3 cred.h; certificate; ECTS: 2,5; Preliminary meeting: 10.4.2018, 14:00 - 14:30 Uhr, BR 1.161 		WPF EEI-BA-MIK 5-6 Niebauer, M.  
     tbd.    N.N. 
     tbd.    Beck, Ch.
Röber, J.		 
     tbd.    Rasim, F.R. 
     tbd.    Frickel, J. 
 P1 LIKE-Praktikumsraum
 

Laboratory on Silicon Semiconductor Processing [Prak TeSi]

PR; 3 cred.h; certificate; ECTS: 2,5; Preliminary meeting: 11.4.2018, 8:15 - 9:00 Uhr, 0.111 		WPF ME-DH-PEEI ab 5
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-BA-LE 5-6
WPF EEI-MA-LE 1-4
WPF ME-MA-P-EEI 1-3 		Dirnecker, T.  
     Wed8:15 - 11:450.111  Dirnecker, T. 
 

Process and Device Simulation [SimP&B-V]

VORL; 2 cred.h; ben. certificate; ECTS: 2,5; Zur Lehrveranstaltung werden freiwillige Übungen angeboten; Thu, 16:00 - 17:30, Raum n.V.; Ort: Seminarsaal 1, Fraunhofer Institut IISB, Schottkystr. 10, 1. OG; 		WF EEI-BA ab 5
WF EEI-MA-MIK ab 1 		Lorenz, J.  
 

Übungen zu Prozess- und Bauelemente-Simulation [SimP&B-Ü]

UE; 2 cred.h; Die Übung stellt ein freiwilliges Zusatzangebot dar.; Zeit und Raum n.V. 		WF EEI-BA ab 5
WF EEI-MA-MIK ab 1 		Lorenz, J.  
 

Process Integration and Device Architecture [PiBa-V]

VORL; 2 cred.h; ben. certificate; ECTS: 5; Tue, 10:15 - 11:45, Hans-Georg-Waeber-Saal 		WPF ME-BA-MG4 5-6
PF EEI-BA-MIK 5-6
PF EEI-MA-MIK 1-4
WPF ME-MA-MG4 1-3
WPF NT-MA ab 1
WPF BPT-MA-E 1-3 		Frey, L.  
 

Excursion Semiconductor Processing [TeSi-EX]

EX; 1 cred.h; certificate; Wird in den Veranstaltungen des Lehrstuhls bekannt gegeben 		  Assistenten  
 

Übungen zu Prozessintegration und Bauelementearchitekturen [PiBa-Ü]

UE; 2 cred.h; Wed, 12:15 - 13:45, Hans-Georg-Waeber-Saal, 0.111 		WPF ME-BA-MG4 5-6
PF EEI-BA-MIK 5-6
PF EEI-MA-MIK 1-4
WPF ME-MA-MG4 1-3
WPF NT-MA ab 1
WPF BPT-MA-E 1-3 		Niebauer, M.  
 

Seminar über Bachelorarbeiten (Sem BA)

SEM; 2 cred.h; Fri, 10:15 - 11:45, 0.111; Vortragstermine werden per Aushang auf den Lehrstuhlseiten bekannt gegeben 		  Dirnecker, T.
Matthus, Ch.D.
u.a. 		 
 

Seminar on Theses [SEM StudA]

SEM; 2 cred.h; Fri, 12:15 - 13:45, 0.111; In Kooperation mit FhG IISB. 		  Matthus, Ch.D.
Dirnecker, T.
u.a. 		 


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