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Departments >> Faculty of Engineering >> Department of Electrical-Electronic-Communication Engineering >>

Chair of Electron Devices (Prof. Dr. Frey)

 

Anleitung zum wissenschaftlichen Arbeiten

AWA; 4 cred.h; n.V.
  Frey, L.  
 

Architekturen und Systemtechnik für Elektromobilität [EMOB]

V/UE; 2 cred.h; ECTS: 2,5; Mon, 8:30 - 10:00, Hans-Georg-Waeber-Saal; Terminänderung in KW2/2014: Die Vorlesung finden zum vereinbarten Ausweichtermin, d.h. am Dienstag, den 7.1.2014 von 12:15 – 13:45 Uhr im Waebersaal statt.; Preliminary meeting: 17.10.2013, 16:15 - 17:45 Uhr, Hans-Georg-Waeber-Saal
WPF ME-BA-MG3 3-6
WPF ME-MA-MG3 1-3
WF EEI-BA ab 5
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
März, M.  
 

Selected Topics of Silicon Semiconductor Technology

SEM; 2 cred.h; ben. certificate; ECTS: 2,5; Tue, 14:15 - 15:45, 0.111
WPF ME-DH-SEM 5-13
WPF ME-MA 1-4
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
Hürner, A.  
 

Seminar on Selected Topics of Silicon Semiconductor Technology

SEM; 2 cred.h; ben. certificate; ECTS: 2,5; Tue, 14:15 - 15:45, 0.111
WPF ME-DH-SEM ab 6
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF ME-BA-SEM 3-6
Hürner, A.  
 

Einführung in die gedruckte Elektronik [GedrElektr]

VORL; 2 cred.h; certificate; ECTS: 2,5; Wed, 12:30 - 14:00, Raum n.V.; Seminarsaal 1, Fraunhofer IISB, Schottkystr. 10, 1.OG; Preliminary meeting: 23.10.2013, 13:00 - 14:00 Uhr
  Jank, M.  
 

Excursion Semiconductor Processing

EX; 1 cred.h; certificate; Zeit und Raum n.V.
  Polster, S.  
 

Forschungspraktikum am LEB

SL; certificate; ECTS: 5; Nur für EEI Master; Weitere Informationen über StudOn unter: <link wird noch eingefügt>; Nach Vereinbarung; Nur für EEI Master; Weitere Informationen über StudOn unter: <Link wird noch eingefügt>
  Dirnecker, T.
Grandrath, Ch.
 
 

Semiconductor Devices

VORL; 2 cred.h; ECTS: 5; Physikalische Grundlagen der Halbleiterbauelemente; Tue, 10:15 - 11:45, H9
PF EEI-BA 3
PF EEI-BA-S 2
PF BPT-BA-E 3
PF WING-BA-IKS 5
Frey, L.  
 

Tutorium Halbleiterbauelemente

TUT; 2 cred.h; Wed, 18:15 - 19:45, H11, (außer Wed 11.12.2013, Wed 22.1.2014); single appointment on 11.12.2013, single appointment on 22.1.2014, 18:15 - 19:45, H5
PF EEI-BA 3
PF EEI-BA-S 2
PF BPT-BA-E 3
PF WING-BA-IKS 5
Albrecht, M.  
 

Übungen zu Halbleiterbauelemente

UE; 2 cred.h; Mon, 12:15 - 13:45, H8
PF EEI-BA 3
PF EEI-BA-S 2
PF WING-BA-IKS 5
PF BPT-BA-E 3
Albrecht, M.  
 

Integrierte Schaltungen, Leistungsbauelemente und deren Anwendungen [SEM_POWERDEVICES]

SEM; ben. certificate; ECTS: 2,5; Fri, 12:15 - 15:00, 0.111; ACHTUNG: Vorbesprechung am Dienstag 22.10.2013; Preliminary meeting: 22.10.2013, 14:15 - 14:45 Uhr, 0.111
  Wunder, B.
Dirnecker, T.
 
 

Colloquium on Semiconductor Technology and Metrology

KO; 1 cred.h; Mon, 17:15 - 18:00, Hans-Georg-Waeber-Saal; Siehe Vortragsliste auf der Homepage des LEB.
  Bauer, A.  
 

Semiconductor Power Devices

VORL; 2 cred.h; ben. certificate; ECTS: 5; Mon, 14:00 - 15:30, 0.111
WF ME-DH-VF11 5-10
WPF ME-BA-MG3 3-6
PF EEI-BA-LE 5-6
WPF EEI-BA-EuA 5-6
PF EEI-MA-LE 1-4
WPF EEI-MA-EuA 1-4
WPF ME-MA-MG3 1-3
Erlbacher, T.  
 

Übung zu Leistungshalbleiterbauelemente

UE; 2 cred.h; ben. certificate; Mon, 12:15 - 13:45, 0.111; starting 21.10.2013; Die Übung startet in der zweiten Vorlesungswoche
WF ME-DH-VF11 5-10
WPF ME-BA-MG3 3-6
PF EEI-BA-LE 5-6
WPF EEI-BA-EuA 5-6
WPF EEI-MA-EuA 1-4
PF EEI-MA-LE 1-4
WPF ME-MA-MG3 1-3
Hürner, A.  
 

Optical Lithography: Technology, Physical Effects, and Modelling

VORL; 2 cred.h; Thu, 12:00 - 13:30, Hans-Georg-Waeber-Saal
WF EEI-MA ab 1
WF ME-DH ab 7
WF AOT-GL ab 1
Erdmann, A.  
 

Übung zu Optical Lithography

UE; 2 cred.h; Für Master AOT verpflichtende Zusatzveranstaltung, für andere Studiengänge freiwillig; Wed, 9:00 - 10:30, AOT-Bibliothek
WF AOT-GL ab 1 Erdmann, A.  
 

Laboratory on Semiconductor and Device Metrology

PR; 3 cred.h; certificate; ECTS: 2,5; Voraussetzung: Vorlesungen Technologie integrierter Schaltungen und/oder Halbleiter- und Bauelementemesstechnik; Das Praktikum findet ggf. als Blockpraktikum in der vorlesungsfreien Zeit statt. Termin nach Vereinbarung. Anmeldung über StudOn; Preliminary meeting: 16.10.2013, 15:00 - 15:30 Uhr, BR 1.161
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF ME-DH-PEEI 5-10
Krach, F.  
 

Laboratory on Microelectronics [PrakMikro]

PR; 3 cred.h; certificate; ECTS: 2,5; Nur für Studenten im Bachelorstudium EEI mit Studienrichtung Mikroelektronik belegbar!!; Preliminary meeting: 16.10.2013, 13:30 - 14:30 Uhr, BR 1.161
WPF EEI-BA-MIK 5-6 Krach, F.  
     Wed13:00 - 17:00n.V.  Frickel, J.
u.a.
 
     Fri8:00 - 18:00EL 4.13  Schröter, S.
Rascher, J.
 
     Fri13:00 - 17:00BR 1.161  Krach, F. 
 

Laboratory on Silicon Semiconductor Processing

PR; 3 cred.h; certificate; ECTS: 2,5; Vorlesung Technologie integrierter Schaltungen vorausgesetzt; Wed, 8:30 - 12:30, BR 1.161; Wed, 8:30 - 10:00, 0.111; Praktikum wird am Mittwoch Vormittag angeboten. Wichtig: Teilnahme an Vorbesprechung am 16.10. um 9:00 Uhr im Raum 0.111! ANMELDUNG über StudON
WPF ME-DH-PEEI 5-10
WPF EEI-BA-MIK ab 5
WPF EEI-MA-MIK ab 1
WPF EEI-MA-LE ab 1
WPF EEI-BA-LE ab 5
WPF ME-MA-P 1-3
Dirnecker, T.
Assistenten
 
 

Reinraumpraktikum [RRPrak]

PR; ECTS: 5; Teilnahme an Vorbereitungstreffen verpflichtend! Anmeldung bei StudOn notwendig. Praktikumszeiten (08:00-12:00 oder 13:00-17:00) werden nach Gruppeneinteilung bekanntgegeben.
PF NT-BA 5 Scharin, M.  
     single appointment on 17.10.201313:00 - 15:00Hans-Georg-Waeber-Saal  Scharin, M. 
     Thu8:00 - 9:00, 13:00 - 14:00BR 1.161  Scharin, M. 
     Thu8:00 - 9:00, 13:00 - 14:000.111  Polster, S. 
     Thu9:00 - 13:00, 14:00 - 18:00BR 1.161  Polster, S.
Scharin, M.
 
 Findet u.a. im Reinraum des LEB statt. Gruppeneinteilung am Semesterbeginn.
 

Seminar on Theses

SEM; 2 cred.h; Fri, 10:00 - 12:15, 0.111; (Termine werden bekannt gegeben und sind auf der Homepage des Lehrstuhls zu finden
  Dirnecker, T.
Albrecht, M.
 
 

Technology of Semiconductor Manufacturing Equipment

VORL; 2 cred.h; ben. certificate; ECTS: 2,5; Wed, 15:15 - 17:45, Hans-Georg-Waeber-Saal
WF EEI-MA ab 1
WF EEI-BA ab 5
WPF ME-BA-MG10 3-6
WPF ME-MA-MG10 1-3
WF WW-DH-EL 7-13
Pfitzner, L.
Schmutz, W.
 
 

Technology of Integrated Circuits

VORL; 3 cred.h; ECTS: 5; benoteter Schein möglich; Mon, 12:00 - 14:15, Hans-Georg-Waeber-Saal
PF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-BA-MIK 5-6
PF EEI-MA-MIK 1-4
WPF EEI-MA-MIK 1-4
PF INF-NF-EEI 5
WPF ME-BA-MG4 3-6
WPF ME-MA-MG4 1-3
WF NT-MA ab 1
Frey, L.  
 

Übung zu Technologie integrierter Schaltungen

UE; 1 cred.h; Veranstaltung nach Absprache evtl. 14-tägig; Mon, 14:15 - 15:45, Hans-Georg-Waeber-Saal; Die Übung findet 14-tägig als 2-stündige Veranstaltung statt. Der Beginn der Übung wird in der Vorlesung bekannt gegeben,
PF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-BA-MIK 5-6
PF EEI-MA-MIK 1-4
WPF EEI-MA-MIK 1-4
PF INF-NF-EEI ab 5
WPF ME-BA-MG4 3-6
WPF ME-MA-MG4 1-3
WF NT-MA ab 1
Polster, S.  
 

Technologie medizinischer Mikrosysteme

VORL; 2 cred.h; ECTS: 2,5; Fri, 8:30 - 10:00, 0.111
WPF MT-MA-MEL ab 2 Dirnecker, T.  
 

Virtuelle Vorlesung Halbleiterbauelemente (vhb)

VORL; 4 cred.h; enthält 2 SWS Übung; in Kooperation mit Prof. Schmidt-Landsiedel (TU München), Anmeldung bei der virtuellen Hochschule Bayern (vhb)
  Ryssel, H.
u.a.
 
 

Virtuelle Vorlesung Technologie und Architektur mikroelektronischer Schaltungen (vhb)

VORL; 4 cred.h; enthält 2 SWS Übung; Anmeldung bei der virtuellen Hochschule Bayern (vhb)
  Ryssel, H.  
 

Reliability and Failure Analysis of Integrated Circuits

VORL; 2 cred.h; ben. certificate; ECTS: 4; Wed, 12:15 - 13:45, 0.111
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
Pichler, P.  
 

Übung zu Zuverlässigkeit und Fehleranalyse integrierter Schaltungen

UE; 1 cred.h; ben. certificate; Wed, 10:15 - 11:45, Raum n.V.; Übung findet im Seminarsaal 1 am Fraunhofer-Institut IISB (Schottkystr. 10) statt.
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
Pichler, P.  


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