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Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente

Anleitung zum wissenschaftlichen Arbeiten AWA; 4 SWS; Zeit und Raum n.V.					Frey, L.
Anleitung zum wissenschaftlichen Arbeiten AWA; 4 SWS; Zeit und Raum n.V.					Stoisiek, M.
Ausgewählte Kapitel der Silicium-Halbleitertechnologie SEM; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 2,5; Di, 14:00 - 15:30, 0.111; Fr, 13:00 - 15:00, 0.111; Vorbesprechung: 3.5.2011, 14:00 - 15:30 Uhr, 0.111				WPF ME-DH-SEM ab 6 WPF EEI-DH-MIK ab 6 WPF EEI-BA ab 5 WPF EEI-MA-MIK ab 1 WPF ME-BA ab 5	Grandrath, Ch. Walther, S. Assistenten
Automobilelektronik - Leistungselektronik VORL; 2 SWS; Mi, 14:30 - 16:00, Hans-Georg-Waeber-Saal; Ort und Zeit nach Vereinbarung				WF ME-BA 5-6 WF ME-MA 1-4 WPF ME-BA-MG11 4-6 WF EEI-DH-MIK ab 6 WF EEI-DH-LE ab 6 WPF EEI-MA-MIK 1-4 WPF EEI-BA-MIK 5-6 WPF ME-MA-MG11 1-3	März, M.
Festkörperphysikalische Grundlagen der Halbleiterbauelemente VORL; 2 SWS; ECTS: 5; Di, 10:15 - 11:45, 0.111; (evtl. anderer Termin nach Absprache mit Teilnehmern)				WPF EEI-DH-MIK ab 6 WF EEI-DH-LE ab 6 WF EEI-BA ab 6	Stoisiek, M.
Übung zu Festkörperphysikalische Grundlagen der Halbleiterbauelemente UE; 2 SWS; Di, 12:30 - 14:00, 0.111; (evtl. anderer Termin nach Absprache mit Teilnehmern)				WF EEI-DH-LE ab 6 WPF EEI-DH-MIK ab 6 WF EEI-BA ab 6	Stoisiek, M.
Halbleiter- und Bauelementemesstechnik VORL; 3 SWS; ben. Schein; ECTS: 5; Fr, 12:30 - 14:45, Hans-Georg-Waeber-Saal; Einzeltermine am 13.5.2011, 20.5.2011, 12:30 - 14:45, 0.111				WPF WW-DH-MIC ab 6 WPF EEI-DH-MIK ab 6 WPF EEI-BA-MIK 5-6 WPF EEI-MA-MIK 1-4 WPF ME-DH-VF11 ab 6 WPF ME-BA-MG11 4-6 WPF ME-MA-MG11 1-3 WPF WW-MA-MIC ab 1 WF WW-BA 5-6	Frey, L.
Übung zu Halbleiter- und Bauelementemesstechnik UE; 1 SWS; Fr, 15:00 - 15:45, Hans-Georg-Waeber-Saal; Einzeltermine am 13.5.2011, 20.5.2011, 15:00 - 15:45, 0.111; Termin der Übung ist vorläufig und wird in der ersten Semesterwoche in Absprache mit den Studenten festgelegt.				WPF WW-DH-MIC ab 5 WPF EEI-DH-MIK ab 6 WPF EEI-BA-S ab 5 WPF EEI-MA-MIK ab 1 WPF EEI-BA ab 5 WPF ME-DH-VF11 ab 8 WPF ME-BA-MG11 4-6 WPF ME-MA-MG11 1-3 WPF WW-MA-MIC ab 1 WF WW-BA ab 5	Erlbacher, T. Kaiser, J. Dirnecker, T.
Halbleiterbauelemente [HBEL] VORL; 2 SWS; Anf; Di, 8:15 - 9:45, H5; Einzeltermine am 3.5.2011, 10.5.2011, 14:15 - 15:45, H15; bis zum 12.7.2011				PF ME-BA 4 PF EEI-BA-S 3	Frey, L.
Tutorium Halbleiterbauelemente [HBEL-Tut] TUT; 2 SWS; Fr, 12:15 - 13:45, R4.11; 1. Termin nach Absprache ab Mitte des Semesters				PF ME-BA 4 PF EEI-BA-S 4	Assistenten
Übungen zu Halbleiterbauelemente [HBEL-Ü] UE; 2 SWS; Di, 14:15 - 15:45, H15; Einzeltermine am 19.7.2011, 26.7.2011, 8:15 - 9:45, H5; ab 17.5.2011				PF ME-BA 4 PF EEI-BA-S 4	Hürner, A. Dirnecker, T.
Kolloquium zur Halbleitertechnologie und Messtechnik KO; 1 SWS; Mo, 17:15 - 18:00, Hans-Georg-Waeber-Saal					Bauer, A.
Nano IV: Halbleiter [Nano IV] VORL; 2 SWS; ECTS: 2,5; Veranstaltung für Studiengang Nanotechnologie; Do, 14:15 - 15:45, 0.111, (außer Do 12.5.2011); Einzeltermin am 12.5.2011, 14:15 - 15:45, Raum n.V.; Vorlesung findet am 12.05. im Seminarsaal 2 am Fraunhofer Institut für Intgrierte Systeme und Bauelementechnlogie (IISB) statt.				PF NT-BA 4	Dirnecker, T.
Nanoelektronik VORL; 2 SWS; Mo, 10:00 - 11:30, Hans-Georg-Waeber-Saal				WPF ME-BA-MG11 4-6 WPF EEI-DH-MIK ab 6 WPF EEI-BA-MIK 5-6 WPF EEI-MA-MIK 1-4 WPF ME-MA-MG11 1-3	Frey, L. Jank, M.
Übungen zu Nanoelektronik UE; 1 SWS; Mo, 11:30 - 12:15, Hans-Georg-Waeber-Saal				WPF ME-BA-MG11 4-6 WPF EEI-DH-MIK 6 WPF EEI-BA ab 5 WPF EEI-MA-MIK ab 1 WPF ME-MA-MG11 1-3	Walther, S.
Praktikum Halbleiter- und Bauelementemesstechnik PR; 3 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Zeit n.V., BR 1.161; Evtl. als Blockpraktikum; Vorbesprechung: 2.5.2011, 14:05 - 14:15 Uhr, Hans-Georg-Waeber-Saal				WPF ME-DH-PEEI 6-8 WPF EEI-DH-MIK ab 6 WPF EEI-BA ab 5 WPF EEI-MA-MIK ab 1 WPF ME-MA-P ab 1	Grandrath, Ch. Kaiser, J.
Praktikum Mechatronische Systeme [MechSysPrak] PR; 6 SWS; Schein; ECTS: 5; Vorbesprechung: 2.5.2011, 9:00 - 12:00 Uhr, Hans-Georg-Waeber-Saal				PF ME-BA 4
	Einzeltermin am 2.5.2011	9:00 - 12:20	Hans-Georg-Waeber-Saal		Dirnecker, T. u.a.
	Vorbesprechung Praktikum Mechatronische Systeme				Dirnecker, T. u.a.
	Einzeltermin am 18.7.2011	9:00 - 12:20	Hans-Georg-Waeber-Saal		Dirnecker, T. u.a.
	Abschlussveranstaltung Mechatronische Systeme; Beginn: 9:00 Uhr; Aufbau der Systeme ab 8:00 Uhr				Dirnecker, T. u.a.
	Mo		n.V.		Albach, Th.
	Gruppe 1				Albach, Th.
	Mo		n.V.		Schneider, K.
	Gruppe 4				Schneider, K.
	Mo		n.V.		Wunder, B. Dirnecker, T. Trommer, R.
	Gruppe 3				Wunder, B. Dirnecker, T. Trommer, R.
	Mo		n.V.		Merken, D.
	Gruppe 2				Merken, D.
Praktikum Mikroelektronik [PrakMikro] PR; 3 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Vorbesprechung: 4.5.2011, 13:00 - 14:00 Uhr, 0.111				WPF EEI-BA 5-6
	Mi	12:00 - 17:00	n.V.		Frickel, J.
	Mi	12:00 - 17:00	n.V.		Rascher, J. u.a.
	Mi	12:00 - 17:00	n.V.		Dirnecker, T. Frickel, J. Rascher, J.
	Zeitpunkt und Dauer der einzelnen Versuche werden bei der Vorbesprechung bekannt gegeben				Dirnecker, T. Frickel, J. Rascher, J.
	Mi	12:30 - 17:00	BR 1.161		Dirnecker, T. u.a.
Praktikum Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente PR; 3 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Mi, 8:30 - 12:30, BR 1.161; Mi, 12:30 - 14:00, 0.111; Mi; Praktikum wird am Mittwoch Vormittag angeboten, ggf. ist eine 2. Gruppe an Dienstag Vormittag möglich. Wichtig: Teilnahme an Vorbesprechung am 02.05. um 14:15 Uhr im Waeber-Saal am Fraunhofer Institut IISB (Schottkystr.10)! ; Anmeldung über StudOn: http://www.studon.uni-erlangen.de/crs115347.html; Vorbesprechung: 2.5.2011, 14:15 - 15:00 Uhr, Hans-Georg-Waeber-Saal				WPF ME-DH-PEEI ab 5 WPF EEI-DH-AET ab 6 WPF EEI-DH-LE ab 6 WPF EEI-DH-MIK ab 6 WPF EEI-MA-MIK ab 1 WPF EEI-BA ab 5 WPF EEI-BA-S ab 5 WPF ME-MA ab 1	Dirnecker, T. Assistenten
Prozess- und Bauelemente-Simulation VORL; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 2,5; Zur Lehrveranstaltung werden freiwillige Übungen angeboten; Do, 14:15 - 15:45, Raum n.V.; Bitte zur Terminvereinbarung mit Dr. Jürgen Lorenz (Tel. 09131/761-210) in Verbindung setzen.				WPF EEI-DH-MIK ab 6 WF EEI-BA ab 5 WF EEI-MA-MIK ab 1	Lorenz, J.
Übungen zu Prozess- und Bauelemente-Simulation UE; 2 SWS; Die Übung stellt ein freiwilliges Zusatzangebot dar.; Do, 16:00 - 17:30, Raum n.V.; Im Seminarraum 1 des IISB (Schottkystr.10) am Do 16:00				WPF EEI-DH-MIK ab 5 WF EEI-BA ab 5 WF EEI-MA-MIK ab 1	Lorenz, J.
Prozessintegration und Bauelementearchitekturen VORL; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 5; Mo, 12:30 - 14:00, Hans-Georg-Waeber-Saal				WPF ME-DH-VF11 8 WPF ME-BA-MG11 4-6 WF EEI-DH-LE 6 PF EEI-DH-MIK 6 PF EEI-BA-MIK 5-6 PF EEI-MA-MIK 1-4 WPF ME-MA-MG11 1-3	Frey, L.
Exkursion Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente EX; 1 SWS; Schein; Wird in den Veranstaltungen des Lehrstuhls bekannt gegeben					Assistenten
Übungen zu Prozessintegration und Bauelementearchitekturen UE; 2 SWS; Di, 10:15 - 11:45, Hans-Georg-Waeber-Saal; ab 10.5.2011				WPF ME-DH-VF11 ab 8 WPF ME-BA-MG11 ab 4 PF EEI-DH-MIK ab 6 WF EEI-DH-LE ab 6 PF EEI-BA ab 5 PF EEI-BA-S ab 5 PF EEI-MA-MIK ab 1 WPF ME-MA-MG11 1-3	Kaiser, J.
Ringvorlesung Graduiertenkolleg SL; Zeit und Raum n.V.					Frey, L.
Seminar über Studien- und Diplomarbeiten SEM; 2 SWS; Fr, 10:30 - 13:00, 0.111; Einzeltermin am 2.9.2011, 11:00 - 12:30, 0.111; In Kooperation mit FhG IISB.					Wunder, B.
Seminar über Studien-, Diplom- und Forschungsarbeiten SEM; 2 SWS; Zeit n.V., 0.111					Stoisiek, M.
Smart-Power Technologien VORL; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 5; Do, 10:15 - 11:45, BR 1.161; (evtl. anderer Termin nach Absprache mit Teilnehmern)				WPF EEI-DH-E&A 6-12 WPF EEI-DH-LE 6-12 WPF EEI-DH-MIK 6-12 WPF EEI-DH-AET 6-12 WPF EEI-BA-LE 5-6 WPF EEI-MA-MIK 1-4 WPF EEI-MA-LE 1-4 WPF EEI-BA-MIK 5-6	Stoisiek, M.
Übung zu Smart-Power Technologien UE; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 5; Do, 14:00 - 15:30, BR 1.161; (evtl. anderer Termin nach Absprache mit Teilnehmern)				WPF EEI-DH-E&A 6-12 WPF EEI-DH-LE 6-12 WPF EEI-DH-MIK 6-12 WPF EEI-DH-AET 6-12 WPF EEI-BA 5-6 WPF EEI-BA-S 5-6 WPF EEI-MA 1-4	Stoisiek, M.
Virtuelle Übung zu Produktion in der Elektrotechnik UE; Freiwilliges Zusatzangebot; Anmeldung über die Internetseite des Lehrstuhls für Elektronische Bauelemente; zur Verbesserung der Prüfungsvorbereitung LEB-Teil					N.N.
Virtuelle Vorlesung Halbleiterbauelemente (vhb) VORL; 4 SWS; enthält 2 SWS Übung; in Kooperation mit Prof. Schmidt-Landsiedel (TU München), Anmeldung bei der virtuellen Hochschule Bayern (vhb)					Ryssel, H. u.a.
Virtuelle Vorlesung Technologie und Architektur mikroelektronischer Schaltungen (vhb) VORL; 4 SWS; enthält 2 SWS Übung; Anmeldung bei der virtuellen Hochschule Bayern (vhb)					Ryssel, H.



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Halbleiterbauelemente [HBEL]

Tutorium Halbleiterbauelemente [HBEL-Tut]

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Nano IV: Halbleiter [Nano IV]

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Praktikum Mikroelektronik [PrakMikro]