|
Semiconductor technology (CE5)15 ECTS (englische Bezeichnung: Semiconductor technology)
Modulverantwortliche/r: Peter Wellmann Lehrende:
Peter Wellmann
Startsemester: |
WS 2015/2016 | Dauer: |
2 Semester | Turnus: |
halbjährlich (WS+SS) |
Präsenzzeit: |
195 Std. | Eigenstudium: |
255 Std. | Sprache: |
Deutsch und Englisch |
Lehrveranstaltungen:
-
- A. Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie (2SWS, 3 ECTS/VORL), Wahlvorlesung Materialien der Elektronik und Energietechnik (z.B. Halbleiter großer Bandlücke) (1SWS, 1,5 ECTS/VORL)
-
Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie (WS 2015/2016)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Di, 14:15 - 15:45, 3.71)
-
Halbleiter großer Bandlücke (SS 2016)
(Vorlesung, 1 SWS, Peter Wellmann, Mi, 14:15 - 15:45, 3.71; 6 Termine n.V. / keine Vorlesung am 04.05.2016)
- B. Elektronische Bauelemente und Materialfragen (Technologie II) (2 SWS, 3 ECTS/VORL), Wahlvorlesung Materialien der Elektronik und Energietechnik (z.B. aus dem Umfeld „ Organische Halbleiter“ ) (1 SWS, 1,5 ECTS/VORL)
-
Elektronische Bauelemente und Materialfragen (Technologie II) (SS 2016)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Mi, 8:30 - 10:00, 3.71; keine Vorlesung am 04.05.2016)
-
Materialien der Elektronik und der Energietechnik (WS 2015/2016)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Mo, 14:15 - 15:45, H14)
- C. Seminar Materialien der Elektronik und Energietechnik (2 SWS, 3 ECTS/SEM), Praktikum „Crystal Growth“ (3 SWS, 3 ECTS/PR)
Empfohlene Voraussetzungen:
Admission to the M. Sc. program Chemistry
Inhalt:
- Technologie der Halbleitermaterialen Silizium, III-V- und II-VI-Verbindungshalbleiter, sowie der organischen Halbleiter
Grundlagen der Halbleiter-Kristallzüchtung
Grundlagen der Halbleiter-Epitaxie
Technologien der Halbleiterbauelementherstellung
Grundlagen Elektronische Bauelemente & Zusammenhang der elektronischen Eigenschaften mit Materialeigenschaften
PR:
Herstellung eines Einkristalls, Charakterisierung von Einkristallscheiben, numerische Simulation der Kristallzüchtung
Lernziele und Kompetenzen:
Die Studierenden
verfügen über Kenntnisse der Herstellung und der Eigenschaften von Halbleitermaterialien und elektronischen Bauelementen
sind fähig die Möglichkeiten und Grenzen der Prozesstechnologien im Hinblick auf die Mikroelektronik, Leistungselektronik, Solarzellen, Organische Leuchtdioden, Transistoren und Solarzellen zu beurteilen und zu diskutieren
können den Einfluss der Materialeigenschaften auf die Bauelementfunktion (Performance der Bauelemente, wie Schaltgeschwindigkeit und Leuchtfarbe / Lebensdauer bzw. Alterung/... ) nachvollziehen und analysieren
sind in der Lage ausgewählte Halbleitermaterialien und Bauelemente selbstständig herzustellen und ihre Funktionen und Eigenschaften gegenüberzustellen.
Organisatorisches:
Frequency of offer: annually
Intended stage in the degree course: Semester 1 – 3
Studien-/Prüfungsleistungen:
Halbleitertechnologie (Prüfungsnummer: 66201)
(englischer Titel: Oral Examination or Examination (Klausur) or Notes or Presentation: Semiconductor Technology)
- Prüfungsleistung, mehrteilige Prüfung, benotet
- Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %
- weitere Erläuterungen:
Assessment and examinations: Depending on the choice of the module
Calculation of the grade for the module: Depending on the choice of the module
- Prüfungssprache: Deutsch und Englisch
- Erstablegung: SS 2016, 1. Wdh.: WS 2016/2017
1. Prüfer: | Peter Wellmann |
- Termin: 02.05.2017
|
|
|
|
UnivIS ist ein Produkt der Config eG, Buckenhof |
|
|