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Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie
- Lecturer
- Prof. Dr.-Ing. Peter Wellmann
- Details
- Vorlesung
2 cred.h, ECTS studies, ECTS credits: 3, Sprache Deutsch
Time and place: Wed 10:15 - 11:45, 3.71
- Fields of study
- PF MWT-MA-WET 1 (ECTS-Credits: 3)
WPF ET-MA-MWT ab 1 (ECTS-Credits: 3)
- Prerequisites / Organisational information
- WW Prüfung Nr. 6 / Prüfung: mündlich
- Contents
- Halbleitertechnologie I
In dieser Vorlesung werden die wichtigsten Verfahren zur Herstellung von elektronischen Halb¬leiterbauelementen aus Silizium besprochen.
Die wesentlichen Techniken betreffen dabei die Dotierung mittels Diffusion und Ionenimplanta¬tion, die Oxidation von Si zu SiO2, sowie die Metallisierung. Weiterhin werden die Grundprin¬zipien der lateralen Strukturierung mithilfe der Photolithographie und Ätztechniken besprochen.
- Recommended literature
- K. Schade:"Mikroelektroniktechnologie"
Widmann, Mader, Friedrich:"Technologie hochintegrierte Schaltungen
- ECTS information:
- Title:
- Fundamentals of Semiconductor technology
- Credits: 3
- Prerequisites
- WW Test No. 6 / oral
- Contents
- Semiconductor Technology I
This course introduces the most important technologies which are used to fabricate electronic devices based on the semiconductor silicon.
The most important techniques to be discussed are doping by diffusion and ion implantation, oxidation of Si to SiO2, as well as metallization.
A further important topic is the planar technology, as photolithography and etching techniques.
- Literature
- K. Schade:"Mikroelektroniktechnologie" Verlag Technik Berlin (1991)
Widmann, Mader; Friedrich:"Technologie hochintegrierter Schaltungen, Springer Verlag (1996)
A.S. Grove:"Physics and Technology of Semiconductor devices, John Wiley (1976)
- Additional information
- Expected participants: 22, Maximale Teilnehmerzahl: 25
- Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
- Startsemester WS 2012/2013:
- Crystal Growth (M2 -M3 - WW6)
- Materialien der Elektronik und Energietechnik mit Vertiefung Crystal Growth (M1_CG_WW6)
- Department: Materials for Electronics and Energy Technology (MEET) (Prof. Dr. Brabec)
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