|
|
Nano IV: Halbleiter (Nano IV)- Lecturer
- Dr.-Ing. Tobias Dirnecker, Akad. ORat
- Details
- Vorlesung
2 cred.h, ECTS studies, ECTS credits: 2,5
nur Fachstudium, Sprache Deutsch, Veranstaltung für Studiengang Nanotechnologie
Time and place: Thu 14:15 - 15:45, R4.15 (außer Thu 5.7.2018); single appointment on 5.7.2018 12:15 - 13:45, 0.111
- Fields of study
- PF NT-BA 4
- Contents
- Ladungsträgerkonzentrationen im intrinsischen (undotierten) und dotierten Halbleiter
Transporteigenschaften (Drift, Diffusion) von Ladungsträgern im Halbleiter Funktionsweise von Halbleiterbauelementen (Dioden, Feldeffekttransistoren) Überblick über die wichtigsten Prozessschritte zur Herstellung von Halbleiterbauelementen
- Recommended literature
- Vorlesungsskript, am LEB erhältlich
R. Müller: Grundlagen der Halbleiter-Elektronik, Band 1 der Reihe Halbleiter-Elektronik, Springer-Verlag, Berlin, 2002 D.A. Neamen: Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, McGraw-Hill (Richard D. Irwin Inc.), 2002 D. Widmann, H. Mader, H. Friedrich: Technology of Integrated Circuits, Springer Verlag, 2000
- ECTS information:
- Credits: 2,5
- Additional information
- Expected participants: 55, Maximale Teilnehmerzahl: 100
- Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
- Startsemester WS 2017/2018:
- Grundlagen der Nanotechnologie II (B8)
- Department: Chair of Electron Devices (Prof. Dr. Frey)
|
|
|