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Halbleiter großer Bandlücke (HLgB)- Dozent/in
- Prof. Dr.-Ing. Peter Wellmann
- Angaben
- Vorlesung
1 SWS, ECTS-Studium, ECTS-Credits: 1,5, Sprache Deutsch
Zeit und Ort: Mi 14:15 - 15:45, 3.71; Bemerkung zu Zeit und Ort: 6 Termine n.V. / keine Vorlesung am 04.05.2016
Vorbesprechung: 13.4.2016, 8:30 - 9:00 Uhr, Raum 3.71
- Studienfächer / Studienrichtungen
- WPF MWT-MA-WET 2
WPF ET-MA-MWT 2
- Inhalt
- The lecture will give an introduction to the most common wide bandgap semicondutor materials. Physical properties, applications, growth & epitaxy as well as some specialties will be discussed. In terms of materials the most common wide bandgap semicondutors like silicon carbid (SiC9, nitrides GaN and related alloys), II-VI semicondutors (ZnSe and related as well as ZnO) and diamond (C) will be considered.
- ECTS-Informationen:
- Credits: 1,5
- Zusätzliche Informationen
- Erwartete Teilnehmerzahl: 10
- Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
- Startsemester WS 2015/2016:
- Crystal Growth & Semiconductor Technology ET (MWT 3) (CGET)
- Crystal Growth & Semiconductor Technology MWT (M2 - M3) (CGMWT)
- Crystal Growth & Semiconductor Technology NT (CG NT)
- Materialien der Elektronik und Energietechnik mit Vertiefung Crystal Growth (M1_CG_WW6)
- Semiconductor technology (CE5)
- Institution: Chair of Materials for Electronics and Energy Technology
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