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Halbleiterbauelemente- Lecturer
- Dr.-Ing. Tobias Dirnecker, Akad. ORat
- Details
- Vorlesung
2 cred.h, ECTS studies, ECTS credits: 5, Sprache Deutsch, Physikalische Grundlagen der Halbleiterbauelemente
Time and place: Thu 14:15 - 15:45, H8; single appointment on 21.10.2019 10:15 - 11:45, H9
- Fields of study
- WPF MT-MA-MEL ab 1 (ECTS-Credits: 5)
PF EEI-BA 3 (ECTS-Credits: 5)
PF BPT-BA-E 3 (ECTS-Credits: 5)
PF BPT-MA-M-E ab 1 (ECTS-Credits: 5)
PF WING-BA-IKS 5 (ECTS-Credits: 5)
WPF MT-BA-BV ab 5
- Prerequisites / Organisational information
- Zur Vorlesung wird eine Übung (2 SWS) sowie ein Tutorium angeboten.
Informationen zu diesen Veranstaltungen finden Sie im Informationssystem UnivIS.
- Contents
- Die Vorlesung Halbleiterbauelemente vermittelt den Studenten der Elektrotechnik die physikalischen Grundlagen moderner Halbleiterbauelemente. Der erste Teil der Vorlesung befasst sich nach einer Einleitung mit Bewegungsgleichungen von Ladungsträgern im Vakuum sowie der Ladungsträgeremission im Vakuum und daraus abgeleiteten Bauelementen. In der anschließenden Behandlung von Ladungsträgern im Halbleiter werden die wesentlichen Aspekte der Festkörperphysik zusammengefasst, die zum Verständnis moderner Halbleiterbauelemente nötig sind. Darauf aufbauend werden im Hauptteil der Vorlesung die wichtigsten Halbleiterbauelemente, d.h. Dioden, Bipolartransistoren und Feldeffekttransistoren detailliert dargestellt. Einführungen in die wesentlichen Grundlagen von Leistungsbauelementen und optoelektronischen Bauelementen runden die Vorlesung ab.
- Recommended literature
- Vorlesungsskript, am LEB erhältlich
Neamen, D.A.: Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, 2nd ed., McGraw-Hill (Richard D. Irwin, Inc., Burr Ridge), USA, 1997 Müller, R.: Grundlagen der Halbleiter-Elektronik: Band 1 der Reihe Halbleiter-Elektronik, 7. Auflage, Springer Verlag, Berlin, 1995
- ECTS information:
- Title:
- Semiconductor Devices
- Credits: 5
- Prerequisites
- none
- Contents
- Semiconductor Devices is a lecture on the physical foundations of modern semiconductor devices especially for electrical
engineering students. Following a brief introduction, the equations of motion of charged carriers in vacuum as well as the
emission of charge carriers in vacuum are described together with vacuum devices. Next, charge carriers in semiconductors are
discussed: The essential aspects of solid state physics, basic prerequisites to an understanding of modern semiconductor
devices, are summarized. On this basis, the principal semiconductor devices such as diodes, bipolar transistors and FETs are
presented in detail. Introductions to the basics of power devices and opto-electronic devices complete the lecture.
- Literature
- lecture script (available at Chair of Electron Devices / available in course)
Neamen, D.A.: Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, 2nd ed., McGraw-Hill (Richard D. Irwin, Inc., Burr Ridge), USA, 1997 Müller, R.: Grundlagen der Halbleiter-Elektronik: Band 1 der Reihe Halbleiter-Elektronik, 7. Auflage, Springer Verlag, Berlin, 1995
- Additional information
- Keywords: Bauelemente, Halbleiter
Expected participants: 188
www: http://www.leb.eei.uni-erlangen.de/
- Assigned lectures
- TUT: Tutorium Halbleiterbauelemente
-
Lecturer: Christian Martens, M. Sc.
Time and place: Fri 12:15 - 13:45, HH; comments on time and place: Erster Termin: wird noch bekanntgegeben
- UE: Übungen zu Halbleiterbauelemente
-
Lecturer: Christian Martens, M. Sc.
Time and place: Mon 10:15 - 11:45, H9 (außer Mon 14.10.2019); single appointment on 6.2.2020 14:15 - 15:45, H8; comments on time and place: Erster Termin der Übung am 28.10.2019
- Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
- Startsemester WS 2019/2020:
- Halbleiterbauelemente (HBEL)
- Nanoelektronik (CE6)
- Department: Chair of Electron Devices (Prof. Dr. Frey)
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