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  Praktikum Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente

Lecturers
Dr.-Ing. Tobias Dirnecker, Assistenten

Details
Praktikum
3 cred.h, certificate, ECTS studies, ECTS credits: 2,5
nur Fachstudium, Sprache Deutsch, Vorlesung Technologie integrierter Schaltungen vorausgesetzt
Time and place: Wed 8:30 - 12:30, BR 1.161; Wed 8:30 - 10:00, 0.111; comments on time and place: Praktikum wird am Mittwoch Vormittag angeboten. Wichtig: Teilnahme an Vorbesprechung am 15.10.2012 um 15:00 Uhr im Hans-Georg-Waeber-Saal! ANMELDUNG über StudON
Preliminary meeting: 15.10.2012, 15:00 - 16:00 Uhr, room Hans-Georg-Waeber-Saal

Fields of study
WPF ME-DH-PEEI 5-10
WPF EEI-BA-MIK ab 5
WPF EEI-MA-MIK ab 1
WPF EEI-MA-LE ab 1
WPF EEI-BA-LE ab 5
WPF ME-MA-P 1-3

Contents
Das Praktikum zur Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente vermittelt einen ersten praktischen Einstieg in die Halbleitertechnologie. Im Verlauf des Herstellungsprozesses einer Solarzelle werden die Herstellungsschritte Oxidation, Implantation, Lithographie, Ätzen und Metallisierung durchgeführt. Darüber hinaus werden wichtige Meßverfahren zur Prozeßkontrolle wie Schichtdickenmeßverfahren, Schichtwiderstandsmeßverfahren vorgestellt und zum Schluß die hergestellten Solarzellen an Hand ihrer Strom/Spannungs-Kennlinie elektrisch charakterisiert (Wirkungsgrad etc.).

Recommended literature
  • Frey, L., Technologie integrierter Schaltungen, Folien zur Vorlesung Technologie integrierter Schaltungen
  • Götzberger, A., Voß, B., Knobloch, J.: Sonnenenergie: Photovoltaik, Teubner Verlag, Stuttgart, 1994

ECTS information:
Title:
Laboratory on Silicon Semiconductor Processing

Credits: 2,5

Prerequisites
Prerequisite lecture:
Technology of Silicon Semiconductor Devices, Part 1 and/or 2

Contents
The practical lab course in silicon semiconductor technology offers first insights into the practice of semiconductor technology. In the course of the fabrication of a solar cell, the process steps of oxidation, implantation, lithography, etching, and metallization are performed. Furthermore, important measurement techniques such as film thickness measurement and sheet resistivity measurement techniques are presented. Finally, the manufactured solar cells are electrically characterized (efficiency etc.)

Literature
Silicon Semiconductor Technology / Practical Term, lecture script (available at Chair of Electron Devices / available in course) Frey, L.: Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente I and II, lecture script, (available at Chair of Electron Devices) Götzberger, A., Voß, B., Knobloch, J.: Sonnenenergie: Photovoltaik, Teubner Verlag, Stuttgart, 1994

Additional information
Expected participants: 8
www: http://www.leb.eei.uni-erlangen.de/

Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
Startsemester WS 2012/2013:
Praktikum Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente (TESIPRAK)

Department: Chair of Electron Devices (Prof. Dr. Frey)
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