Crystal Growth MWT (M2 - M3) (CGMWT)12.5 ECTS (englische Bezeichnung: Crystal Growth MWT)
Modulverantwortliche/r: Peter Wellmann Lehrende:
Peter Wellmann, Uwe Scheuermann
Startsemester: |
WS 2019/2020 | Dauer: |
2 Semester | Turnus: |
halbjährlich (WS+SS) |
Präsenzzeit: |
120 Std. | Eigenstudium: |
255 Std. | Sprache: |
Deutsch und Englisch |
Lehrveranstaltungen:
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Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie (WS 2019/2020)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Di, 12:15 - 13:45, 3.71)
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Praktikum Wahlfach Crystal Growth (WS 2019/2020)
(Praktikum, 3 SWS, Peter Wellmann, Do, 8:00 - 18:00, 3.71; Hinweis: Das Praktikum findet erst im SS2020 statt)
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Elektronische Bauelemente und Materialfragen (Technologie II) (SS 2020)
(Vorlesung, 2 SWS)
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Exkursionen (SS 2020)
(Exkursion, Peter Wellmann, bitte Aushänge beachten)
- Wahlvorlesungen
Aus den optionalen Wahlveranstaltungen können Vorlesungen gewählt werden, die mit 3 ECTS in das Modul eingehen.
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Halbleiter großer Bandlücke (SS 2020 - optional)
(Vorlesung, 1 SWS, Peter Wellmann, VL findet im SS2020 NICHT statt; VL-Inhalte fließen in die LV "Elektronische Bauelemente und Materialfragen (Technologie II)" ein)
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Aufbau- und Verbindungstechnik in der Leistungselektronik (WS 2018/2019 - optional)
(Vorlesung, 2 SWS, Uwe Scheuermann, Fr, 12:15 - 13:45, 0.151-115) (Diese Lehrveranstaltung existiert im Semester WS 2019/2020 nicht, hier wird daher die Veranstaltung aus Semester WS 2018/2019 angezeigt!)
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Numerische Modellierung des Kristallwachstums mithilfe des Programmpakets COMSOL Multi-Physics (SS 2020 - optional)
(Vorlesung mit Übung, 1 SWS, Anwesenheitspflicht, Peter Wellmann)
Empfohlene Voraussetzungen:
Bachelor in Materialwissenschaft, Nanotechnologie, Energietechnik, Elektrotechnik, Physik, Chemie oder in einem vergleichbaren Studiengang.
Inhalt:
Grundlagen des Kristallwachstums und er Halbleitertechnologie
Grundlagen des Kristallwchstums
Grundlagen der Silizium Halbleitertechnologie (Oxidation, Dotierung mittels Diffusion und Ionenimplantation, Ätzen, Metallisierung Lithographie, Packaging)
Elektronische Bauelemente und Materialfragen
Korrelation von Bauelementfunktion (Bipolar-Diode, Bipolar-Transistor, Schottky-Diode, Feldeffekt-Transistor, Leucht- und Laserdiode) mit Materialeigenschaften
Grundlagen der Epitaxie
Praktikum:
Czochralski Kristallwachstum vonInSb
Modellierung in der Kristallzüchtung
Halbleitercharakterisierung
Lernziele und Kompetenzen:
Die Studierenden
erwerben fundierte Kenntninsse über Materialeigenschaften und deren Anwendungen in elektronischen Bauelementen
lernen experimentelle Techniken in den Werkstoffwissenschaften kennen und können sie selbständig anwenden
können Theorien, Terminologien und Lehrmeinungen des Faches, erläutern, anwenden und reflektieren
können in Gruppen kooperativ und verantwortlich arbeiten
Literatur:
wird in den Lehrveranstaltungen angegeben
Studien-/Prüfungsleistungen:
Crystal Growth MWT 3 (Prüfungsnummer: 63701)
(englischer Titel: Crystal growth MWT)
- Prüfungsleistung, mündliche Prüfung, Dauer (in Minuten): 20, benotet
- Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %
- weitere Erläuterungen:
Alternative Prüfungsform laut Corona-Satzung: Die mündliche Prüfung findet als digitale Fernprüfung per ZOOM statt.
- Erstablegung: WS 2019/2020, 1. Wdh.: SS 2020
1. Prüfer: | Peter Wellmann |
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