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Technologie integrierter Schaltungen (TIS)5 ECTS (englische Bezeichnung: Technology of Integrated Circuits)
Modulverantwortliche/r: Tobias Erlbacher Lehrende:
Tobias Erlbacher, Michael Niebauer
Start semester: |
WS 2019/2020 | Duration: |
1 semester | Cycle: |
jährlich (WS) |
Präsenzzeit: |
60 Std. | Eigenstudium: |
90 Std. | Language: |
Deutsch |
Lectures:
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Technologie integrierter Schaltungen
(Vorlesung, 3 SWS, Tobias Erlbacher, Thu, 14:15 - 16:30, Hans-Georg-Waeber-Saal)
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Übung zu Technologie integrierter Schaltungen
(Übung, 1 SWS, Michael Niebauer, Mon, 14:15 - 15:45, Hans-Georg-Waeber-Saal; Die Übung findet in 14tägigem Rhythmus statt. Erster Termin am 21.10.2019)
Empfohlene Voraussetzungen:
Kenntnisse aus dem Bereich Halbleiterbauelemente (Pflichtveranstaltung im Bachelorstudiengang EEI und Mechatronik)
Inhalt:
Thema der Vorlesung sind die wesentlichen Technologieschritte zur Herstellung elektronischer Halbleiterbauelemente und integrierter Schaltungen. Die Vorlesung beginnt mit der Herstellung von einkristallinen Siliciumkristallen. Anschließend werden die physikalischen Grundlagen der Oxidation, der Dotierungsverfahren Diffusion und Ionenimplantation sowie der chemischen Gasphasenabscheidung von dünnen Schichten behandelt. Ergänzend dazu werden Ausschnitte aus Prozessabläufen dargestellt, wie sie heute bei der Herstellung von hochintegrierten Schaltungen wie Mikroprozessoren oder Speicher verwendet werden.
Lernziele und Kompetenzen:
Die Studierenden
- Anwenden
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- Evaluieren (Beurteilen)
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Literatur:
- S. M. Sze: VLSI - Technology, MacGraw-Hill, 1988
C. Y. Chang, S. M. Sze: ULSI - Technology, MacGraw-Hill, 1996
D. Widmann, H. Mader, H. Friedrich: Technology of Integrated Circuits, Springer Verlag, 2000
Hong Xiao: Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology, Prentice Hall, 2001
Verwendbarkeit des Moduls / Einpassung in den Musterstudienplan: Das Modul ist im Kontext der folgenden Studienfächer/Vertiefungsrichtungen verwendbar:
- Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik (Bachelor of Science)
(Po-Vers. 2019w | TechFak | Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik (Bachelor of Science) | Gesamtkonto | Studienrichtung Allgemeine Elektrotechnik | Laborpraktika Allgemeine Elektrotechnik | Entwurf Integrierter Schaltungen II/Technologie integrierter Schaltungen)
- Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik (Bachelor of Science)
(Po-Vers. 2019w | TechFak | Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik (Bachelor of Science) | Gesamtkonto | Studienrichtung Mikroelektronik | Kern- und Vertiefungsmodule Mikroelektronik | Kernmodule Mikroelektronik | Entwurf Integrierter Schaltungen II/Technologie integrierter Schaltungen)
- Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik (Bachelor of Science)
(Po-Vers. 2019w | TechFak | Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik (Bachelor of Science) | Gesamtkonto | Studienrichtung Mikroelektronik | Kern- und Vertiefungsmodule Mikroelektronik | Vertiefungsmodule Mikroelektronik | Entwurf Integrierter Schaltungen II/Technologie integrierter Schaltungen)
- Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik (Bachelor of Science)
(Po-Vers. 2019w | TechFak | Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik (Bachelor of Science) | Gesamtkonto | Studienrichtung Mikroelektronik | Kern- und Vertiefungsmodule Mikroelektronik | Vertiefungsmodule Mikroelektronik | Technologie integrierter Schaltungen)
Studien-/Prüfungsleistungen:
Technologie integrierter Schaltungen (Prüfungsnummer: 61901)
(englischer Titel: Technology of Integrated Circuits)
- Prüfungsleistung, Klausur, Dauer (in Minuten): 90, benotet, 5.0 ECTS
- Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %
- Erstablegung: WS 2019/2020, 1. Wdh.: SS 2020, 2. Wdh.: keine Wiederholung
1. Prüfer: | Tobias Erlbacher |
- Termin: 16.06.2020
Termin: 13.08.2020, 08:00 Uhr, Ort: H 10 TechF
Termin: 25.03.2021, 14:00 Uhr, Ort: H 7 TechF
Termin: 22.07.2021, 14:00 Uhr, Ort: H 10 TechFTermin: 16.06.2020
Termin: 13.08.2020, 08:00 Uhr, Ort: H 10 TechF
Termin: 25.03.2021, 14:00 Uhr, Ort: H 7 TechF
Termin: 22.07.2021, 14:00 Uhr, Ort: H 10 TechF
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