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Halbleiterbauelemente (HBEL)5 ECTS
Modulverantwortliche/r: Lothar Frey Lehrende:
Lothar Frey
Start semester: |
SS 2013 | Duration: |
1 semester |
Präsenzzeit: |
60 Std. | Eigenstudium: |
90 Std. | Language: |
Deutsch |
Lectures:
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Halbleiterbauelemente
(Vorlesung, 2 SWS, Lothar Frey, Tue, 12:15 - 13:45, H5)
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Übungen zu Halbleiterbauelemente
(Übung, 2 SWS, Matthäus Albrecht et al., Tue, 16:15 - 17:45, H6)
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Tutorium Halbleiterbauelemente (optional)
(Tutorium, 2 SWS, Assistenten, Mon, 12:15 - 13:45, H6; 1. Termin nach Absprache ab Mitte des Semesters)
Empfohlene Voraussetzungen:
Grundlagen der Elektrotechnik IIt is recommended to finish the following modules before starting this module:
Grundlagen der Elektrotechnik I (WS 2012/2013)
Inhalt:
Nach einer Einleitung werden Bewegungsgleichungen von Ladungsträgern im Vakuum sowie die Ladungsträgeremission im Vakuum und daraus abgeleitete Bauelemente besprochen. Anschließend werden Ladungsträger im Halbleiter behandelt: Hier werden die wesentlichen Aspekte der Festkörperphysik zusammengefasst, die zum Verständnis moderner Halbleiter-bauelemente nötig sind. Darauf aufbauend werden im Hauptteil der Vorlesung die wichtigsten Halbleiterbauelemente, d.h. Dioden, Bipolartransistoren und Feldeffekttransistoren detailliert dargestellt. Einführungen in die wesentlichen Grundlagen von Leistungsbauelementen und optoelektronischen Bauelementen runden die Vorlesung ab.
Lernziele und Kompetenzen:
Die Studierenden
erwerben die physikalischen Grundlagenkenntnisse über die Funktionsweise moderner Halbleiterbauelemente
verstehen, ausgehend von den wichtigsten Bauelementen, wie Dioden, Bipolartransistoren und Feldeffekttransistoren, die Weiterentwicklung dieser Bauelemente für spezielle Anwendungsgebiete wie für Leistungselektronik oder Optoelektronik
Literatur:
- Vorlesungsskript, am LEB erhältlich
Neamen, D.A.: Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, 2nd ed., McGraw-Hill (Richard D. Irwin, Inc., Burr Ridge), USA, 1997
Müller, R.: Grundlagen der Halbleiter-Elektronik: Band 1 der Reihe Halbleiter-Elektronik, 7. Auflage, Springer Verlag, Berlin, 1995
Th. Tille, D. Schmitt-Landsiedel: Mikroelektronik, Springer-Verlag, Berlin, 2004
S.K. Banerjee, B.G. Streetman: Solid State Electronic Devic-es, Prentice Hall, 2005
Bemerkung:
Physikalische Grundlagen der Halbleiterbauelemente
Organisatorisches:
Unterlagen zur Vorlesung über StudOn
Weitere Informationen:
www: http://www.leb.eei.uni-erlangen.de/
Verwendbarkeit des Moduls / Einpassung in den Musterstudienplan: Das Modul ist im Kontext der folgenden Studienfächer/Vertiefungsrichtungen verwendbar:
- Medizintechnik (Bachelor of Science)
(Po-Vers. 2009 | Modulgruppen B5 und B8.1 - Kompetenzfeld Bildgebende Verfahren | Modulgruppe B8.1 - Vertiefungsmodule ET/INF | Halbleiterbauelemente)
Studien-/Prüfungsleistungen:
Vorlesung Halbleiterbauelemente_ (Prüfungsnummer: 25901)
- Prüfungsleistung, Klausur, Dauer (in Minuten): 90, benotet
- Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %
- Erstablegung: SS 2013, 1. Wdh.: WS 2013/2014, 2. Wdh.: keine Wiederholung
- Termin: 22.07.2013, 10:30 Uhr, Ort: s. Aushang
Termin: 10.02.2014, 10:30 Uhr, Ort: s. Aushang
Termin: 14.07.2014, 14:00 Uhr, Ort: H 7 TechF
Termin: 02.02.2015, 11:00 Uhr, Ort: s. AushangTermin: 22.07.2013, 10:30 Uhr, Ort: s. Aushang
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