Crystal Growth MWT (M2 - M3) (CGMWT)12.5 ECTS (englische Bezeichnung: Crystal Growth MWT)
Modulverantwortliche/r: Peter Wellmann Lehrende:
Peter Wellmann, Uwe Scheuermann
Startsemester: |
WS 2020/2021 | Dauer: |
2 Semester | Turnus: |
halbjährlich (WS+SS) |
Präsenzzeit: |
120 Std. | Eigenstudium: |
255 Std. | Sprache: |
Deutsch und Englisch |
Lehrveranstaltungen:
-
-
Crystal Growth 1 - Fundamentals of Crystal Growth and Semiconductor Technology (WS 2020/2021)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, jeden Monat am 2. Mo, 14:15 - 15:00, Zoom-Meeting; ab 9.11.2020; https://fau.zoom.us/j/94576058631?pwd=QVBOK0N4cVp3cmM1WHdsdUlkUGY3dz09; Vorbesprechung: 9.11.2020, 14:15 - 15:00 Uhr, Zoom-Meeting)
-
Praktikum Wahlfach Crystal Growth (WS 2020/2021)
(Praktikum, 3 SWS, Peter Wellmann, Do, 8:00 - 18:00, 3.71; Hinweis: Das Praktikum findet erst im SS2020 statt)
-
Crystal Growth 2 - Electronic Devices & Materials Properties/Processing, Epitaxial Growth (SS 2021)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann)
-
Exkursionen (SS 2021)
(Exkursion, Peter Wellmann, bitte Aushänge beachten)
- Wahlvorlesungen
Aus den optionalen Wahlveranstaltungen können Vorlesungen gewählt werden, die mit 3 ECTS in das Modul eingehen.
-
Crystal Growth 2 - Wide Bandgap Semiconductors (SS 2021 - optional)
(Vorlesung, 1 SWS)
-
Aufbau- und Verbindungstechnik in der Leistungselektronik (WS 2020/2021 - optional)
(Vorlesung, 2 SWS, Uwe Scheuermann, Fr, 12:15 - 13:45, Raum n.V.; Ohne Präsenz! Lifestream per Zoom - weitere Infos finden Sie auf StudOn: https://www.studon.fau.de/crs3321647_join.html)
-
Crystal Growth - Numerical Simulation of the Crystal Growth Process using COMSOL Multi-Physics (SS 2021 - optional)
(Vorlesung mit Übung, 5 SWS, Anwesenheitspflicht, Peter Wellmann)
Empfohlene Voraussetzungen:
Bachelor in Materialwissenschaft, Nanotechnologie, Energietechnik, Elektrotechnik, Physik, Chemie oder in einem vergleichbaren Studiengang.
Inhalt:
Grundlagen des Kristallwachstums und er Halbleitertechnologie
Grundlagen des Kristallwchstums
Grundlagen der Silizium Halbleitertechnologie (Oxidation, Dotierung mittels Diffusion und Ionenimplantation, Ätzen, Metallisierung Lithographie, Packaging)
Elektronische Bauelemente und Materialfragen
Korrelation von Bauelementfunktion (Bipolar-Diode, Bipolar-Transistor, Schottky-Diode, Feldeffekt-Transistor, Leucht- und Laserdiode) mit Materialeigenschaften
Grundlagen der Epitaxie
Praktikum:
Czochralski Kristallwachstum vonInSb
Modellierung in der Kristallzüchtung
Halbleitercharakterisierung
Lernziele und Kompetenzen:
Die Studierenden
erwerben fundierte Kenntninsse über Materialeigenschaften und deren Anwendungen in elektronischen Bauelementen
lernen experimentelle Techniken in den Werkstoffwissenschaften kennen und können sie selbständig anwenden
können Theorien, Terminologien und Lehrmeinungen des Faches, erläutern, anwenden und reflektieren
können in Gruppen kooperativ und verantwortlich arbeiten
Literatur:
wird in den Lehrveranstaltungen angegeben
Studien-/Prüfungsleistungen:
Crystal Growth MWT 3 (Prüfungsnummer: 63701)
(englischer Titel: Crystal growth MWT)
- Prüfungsleistung, mündliche Prüfung, Dauer (in Minuten): 20, benotet
- Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %
- weitere Erläuterungen:
Alternative Prüfungsform laut Corona-Satzung: Die mündliche Prüfung findet als digitale Fernprüfung per ZOOM statt.
- Erstablegung: WS 2020/2021, 1. Wdh.: SS 2021
1. Prüfer: | Peter Wellmann |
|
|