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Crystal Growth 1 (cgl-1)5 ECTS (englische Bezeichnung: Crystal Growth 1)
Modulverantwortliche/r: Peter Wellmann Lehrende:
Peter Wellmann
Startsemester: |
WS 2020/2021 | Dauer: |
1 Semester | Turnus: |
jährlich (WS) |
Präsenzzeit: |
60 Std. | Eigenstudium: |
90 Std. | Sprache: |
Deutsch oder Englisch |
Lehrveranstaltungen:
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Crystal Growth 1 - Fundamentals of Crystal Growth and Semiconductor Technology
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, jeden Monat am 2. Mo, 14:15 - 15:00, Zoom-Meeting; ab 9.11.2020; https://fau.zoom.us/j/94576058631?pwd=QVBOK0N4cVp3cmM1WHdsdUlkUGY3dz09; Vorbesprechung: 9.11.2020, 14:15 - 15:00 Uhr, Zoom-Meeting)
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Crystal Growth - Lab Work 1 Crystal Growth
(Praktikum, 2 SWS, Anwesenheitspflicht, Peter Wellmann, Do, 8:00 - 17:00, 3.71; Do-Termine entsprechend der Gruppeneinteilung)
Inhalt:
Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie
Grundlagen des Kristallwachstums
Grundlagen der Silizium Halbleitertechnologie (Oxidation, Dotierung mittels Diffusion und Ionenimplantation, Ätzen, Metallisierung Lithographie, Packaging)
Praktikum
Lernziele und Kompetenzen:
Die Studierenden erwerben fundierte Kenntnisse über Materialeigenschaften und deren Anwendung in elektronischen Bauelementen.
Kennenlernen experimenteller Techniken in den Werkstoffwissenschaften, Verfassen von technischen Berichten, Teamarbeit
Studien-/Prüfungsleistungen:
Crystal Growth 1 (Prüfungsnummer: 62591)
- Prüfungsleistung, mündliche Prüfung, Dauer (in Minuten): 15, benotet, 5 ECTS
- Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %
- weitere Erläuterungen:
Voraussetzung für die Teilnahme an der mündlichen Prüfung ist:
unbenoteter Leistungsnachweis der Vorlesung Crystal Growth 1 - Fundamentals of Crystal Growth and Semiconductor Technology
unbenoteter Leistungsnachweis Praktikumsversuch
- Prüfungssprache: Deutsch oder Englisch
- Erstablegung: WS 2020/2021, 1. Wdh.: SS 2021
1. Prüfer: | Peter Wellmann |
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