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Materialien der Elektronik und Energietechnik mit Vertiefung Crystal Growth (M1_CG_WW6)30 ECTS (englische Bezeichnung: Materials for Electronics and Energy Technology especially Crystal Growth)
Modulverantwortliche/r: Christoph J. Brabec Lehrende:
Christoph J. Brabec, Peter Wellmann, Jochen Friedrich
Startsemester: |
WS 2014/2015 | Dauer: |
2 Semester | Turnus: |
jährlich (WS) |
Präsenzzeit: |
345 Std. | Eigenstudium: |
555 Std. | Sprache: |
Deutsch |
Lehrveranstaltungen:
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Materialien und Bauelemente für die Optoelektronik und Energietechnologie: Grundlagen (WS 2014/2015)
(Vorlesung, 2 SWS, Christoph J. Brabec, Di, 9:00 - 11:00, 3.71; ab 14.10.2014)
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Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie (WS 2014/2015)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Mo, 14:15 - 15:45, 3.71)
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Praktikum Wahlfach Crystal Growth (WS 2014/2015)
(Praktikum, 3 SWS, Peter Wellmann, Do, 8:00 - 18:00, 3.71; n.V.)
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Materialien und Bauelemente für die Optoelektronik und Energietechnologie: Anwendung (SS 2015)
(Vorlesung, 2 SWS, Christoph J. Brabec, Di, 9:00 - 11:00, 3.71)
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Halbleitercharakterisierung (SS 2015)
(Vorlesung, 2 SWS, Miroslaw Batentschuk et al., Fr, 10:00 - 11:30, 3.71)
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Exkursionen (SS 2015)
(Exkursion, Peter Wellmann, bitte Aushänge beachten)
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Elektronische Bauelemente und Materialfragen (Technologie II) (SS 2015)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Blockveranstaltung 15.4.2015-6.5.2015 Mi, Blockveranstaltung 17.6.2015-15.7.2015 Mi, 8:30 - 11:00, 3.71)
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Grundlagen der Halbleiterphysik (WS 2014/2015)
(Vorlesung, 2 SWS, Wolfgang Heiß, Mo, 16:00 - 17:30, 3.71; ab 13.10.2014)
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Kernfachpraktikum I Werkstoffe der Elektronik und der Energietechnologie (SS 2015)
(Praktikum, 3 SWS, Miroslaw Batentschuk, nach Vereinbarung, Martenstr. 7, LS WW6)
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- Wahlvorlesungen
Aus den optionalen Wahlveranstaltungen können Vorlesungen gewählt werden, die mit 3 ECTS in das Modul eingehen.
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Leuchtstoffe (SS 2015 - optional)
(Vorlesung, 2 SWS, Miroslaw Batentschuk et al., Mo, 16:00 - 17:30, 3.71)
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Technologie der Züchtung von Halbleiterkristallen und Photovoltaik (SS 2015 - optional)
(Vorlesung, 1 SWS, Jochen Friedrich, Mi, 12:15 - 13:45, Raum n.V.; Seminarraum 1, Fraunhofer IISB, Schottkystr.10, 91058 Erlangen)
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Halbleiter großer Bandlücke (SS 2015 - optional)
(Vorlesung, 1 SWS, Peter Wellmann, Blockveranstaltung 27.5.2015-10.6.2015 Mi, 8:30 - 11:00, 3.71)
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Kolloidale Nanokristalle (WS 2014/2015 - optional)
(Vorlesung, 2 SWS, Wolfgang Heiß, Fr, 12:00 - 13:30, 3.71; ab 15.10.2014; Termin gilt ab Freitag 24.10.14)
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Aufbau- und Verbindungstechnik in der Leistungselektronik (WS 2014/2015 - optional)
(Vorlesung, 2 SWS, Uwe Scheuermann, Fr, 12:15 - 13:45, A 2.16)
Inhalt:
Materialien und Bauelemente für die Optoelektronik und Energietechnologie: Grundlagen und Anwendungen (Brabec, Matt)
Grundlagen der Festkörper- und Halbleiterphysik mit Schwerpunkt auf anorganische und organische Halbleitermaterialien
Grundlagen und Anwendungen der optoelektronischen Bauelemente der erneuerbaren Energietechnologie, mit Schwerpunkt auf Energieerzeuger (Solarzellen), Energiekonverter (z.B. anorganische und organische LEDs), Energiespeicher (Batterien, Brennstoffzelle, Supraleiter)
Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie (Wellmann)
Grundlagen des Kristallwachstums
Grundlagen der Silizium Halbleitertechnologie (Oxidation, Dotierung mittels Diffusion und Ionenimplantation, Ätzen, Metallisierung, Lithografie Packaging
Praktikum Crysatl Growth (Wellmann)
Czochralski Kristallwachstum von InSb
Modellierung in der Kristallzüchtung
Halbleitercharakterisierung
Halbleitercharakterisierung (Osvet, Forberich, Matt, Meißner, Batentschuk)
Physikalische Grundlagen
Messmethoden (bildgebende Verfahren, Bestimmung der Realstruktur, optische und elektrische Charakterisierung, chemische Analysemethoden
Elektronische Bauelemente und Materialfragen (Wellmann)
Korrelation von Bauelementfunktion (Bipolar-Diode, Bipolar-Transistor, Schottky-Diode, Feldeffekt-Transistor, Leucht- und Laserdiode) mit Materialeigenschaften
Grundlagen Epitaxie
Grundlagen der Halbleiterphysik (Heiss)
Bindungen und Kristallstruktur
Bänder, Bandlücken und Bandstruktur
Ladungsträgerstatistik und Dotierung
Elektrischer Transport
Einfache Bauelemente - vom Ohmschen Kontakt zur Diode
Optische Eigenschaften von Halbleitern
Elektro-Optische Bauteile
Kernfachpraktikum (Batentschuk)
Lernziele und Kompetenzen:
Literatur:
Wird in den Lehrveranstaltungen angegeben.
Weitere Informationen:
Schlüsselwörter: M1 Crystal Growth
www: www.i-meet.uni-erlangen.de
Studien-/Prüfungsleistungen:
Materialien der Elektronik und Energietechnik mit Vertiefung Crystal Growth (Prüfungsnummer: 62902)
(englischer Titel: Materials for electronic and energy technology with special crystal growth)
- Prüfungsleistung, mündliche Prüfung, Dauer (in Minuten): 40, benotet
- Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %
- Erstablegung: SS 2015, 1. Wdh.: WS 2015/2016
1. Prüfer: | Christoph J. Brabec |
Materialien der Elektronik und Energietechnik mit Vertiefung Crystal Growth (Praktika und Exkursionen) (Prüfungsnummer: 62901)
(englischer Titel: Materials for electronic and energy technology with special crystal growth)
- Prüfungsleistung, Studienleistung, unbenotet
- Erstablegung: SS 2015, 1. Wdh.: WS 2015/2016
1. Prüfer: | Peter Wellmann |
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