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Departments >> Faculty of Engineering >> Department of Electrical-Electronic-Communication Engineering >>

Chair of Electron Devices (Prof. Dr. Frey)

 

Anleitung zum wissenschaftlichen Arbeiten

AWA; 4 cred.h; n.V.
  Frey, L.  
 

Seminar on Selected Topics of Silicon Semiconductor Technology

SEM; 2 cred.h; ben. certificate; ECTS: 2,5; Tue, 14:00 - 16:15, 0.111; Preliminary meeting: 13.10.2015, 14:15 - 15:00 Uhr, 0.111
WPF ME-DH-SEM ab 6
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF ME-BA-SEM 3-6
Scharin, M.  
 

Einführung in die gedruckte Elektronik [GedrElektr]

VORL; 2 cred.h; certificate; ECTS: 2,5; Tue, 8:15 - 9:45, 0.111
  Jank, M.  
 

Excursion Semiconductor Processing

EX; 1 cred.h; certificate; Zeit und Raum n.V.
  Polster, S.  
 

Forschungspraktikum am LEB

SL; certificate; ECTS: 5; Nur für EEI Master; Weitere Informationen über StudOn unter: <link wird noch eingefügt>; Nach Vereinbarung; Nur für EEI Master; Weitere Informationen über StudOn unter: <Link wird noch eingefügt>
  Dirnecker, T.  
 

Semiconductor Devices

VORL; 2 cred.h; ECTS: 5; Physikalische Grundlagen der Halbleiterbauelemente; Tue, 10:15 - 11:45, H9; single appointment on 16.10.2015, single appointment on 23.10.2015, 10:15 - 11:45, H8
WPF MT-MA-MEL ab 1
PF EEI-BA 3
PF BPT-BA-E 3
PF WING-BA-IKS 5
WPF MT-BA-BV ab 5
Frey, L.  
 

Tutorium Halbleiterbauelemente

TUT; 2 cred.h; Tue, 18:15 - 19:45, H9; Erster Termin: 01.12.2015
PF EEI-BA 3
PF BPT-BA-E 3
PF WING-BA-IKS 5
Stolzke, T.  
 

Übungen zu Halbleiterbauelemente

UE; 2 cred.h; Fri, 10:15 - 11:45, H8
WPF MT-MA-MEL ab 1
PF EEI-BA 3
PF WING-BA-IKS 5
PF BPT-BA-E 3
WPF MT-BA ab 5
Stolzke, T.  
 

Integrierte Schaltungen, Leistungsbauelemente und deren Anwendungen [SEM_POWERDEVICES]

SEM; ben. certificate; ECTS: 2,5; Fri, 14:15 - 15:45, 0.111; Bitte beachten Sie den Termin zur Vorbesprechung; Preliminary meeting: 16.10.2015, 13:00 - 14:00 Uhr, 0.111
  Dirnecker, T.
u.a.
 
 

Colloquium on Semiconductor Technology and Metrology

KO; 1 cred.h; Mon, 17:15 - 18:00, Hans-Georg-Waeber-Saal; Siehe Vortragsliste auf der Homepage des LEB.
  Bauer, A.  
 

Leistungselektronik im Fahrzeug und Antriebsstrang [LE KFZ]

VORL; 4 cred.h; ECTS: 5; Die Veranstaltung beinhaltet Vorlesungs- und Übungseinheiten; Mon, 8:15 - 9:45, 10:15 - 11:45, Hans-Georg-Waeber-Saal; Vorlesung: Mo., 8:15-09:45 Uhr; Übung: Mo., 10:15 -11:45 Uhr
WPF BPT-MA-E 1-3
WPF ME-BA-MG3 3-6
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-3
WF EEI-BA ab 5
WF EEI-MA ab 1
WPF ME-MA-MG3 1-3
März, M.  
 

Semiconductor Power Devices

VORL; 2 cred.h; ben. certificate; ECTS: 5; Thu, 16:00 - 17:30, 0.111
WF ME-DH-VF11 5-10
WPF ME-BA-MG3 3-6
PF EEI-BA-LE 5-6
WPF EEI-BA-EuA 5-6
PF EEI-MA-LE 1-4
WPF EEI-MA-EuA 1-4
WPF ME-MA-MG3 1-3
WPF BPT-MA-E 1-3
Erlbacher, T.  
 

Übung zu Leistungshalbleiterbauelemente

UE; 2 cred.h; Erster Übungstermin in der 2. Vorlesungswoche; Wed, 12:15 - 13:45, 0.111; starting 21.10.2015
WF ME-DH-VF11 5-10
WPF ME-BA-MG3 3-6
PF EEI-BA-LE 5-6
WPF EEI-BA-EuA 5-6
WPF EEI-MA-EuA 1-4
PF EEI-MA-LE 1-4
WPF ME-MA-MG3 1-3
WPF BPT-MA-E 1-3
Albrecht, M.  
 

Optical Lithography: Technology, Physical Effects, and Modelling

VORL; 2 cred.h; Thu, 10:15 - 11:45, Hans-Georg-Waeber-Saal
WF EEI-MA ab 1
WF ME-DH ab 7
WF AOT-GL ab 1
PF NT-MA 1
Erdmann, A.  
 

Übung zu Optical Lithography

UE; 2 cred.h; Für Master AOT verpflichtende Zusatzveranstaltung, für andere Studiengänge freiwillig; Thu, 12:15 - 13:45, Hans-Georg-Waeber-Saal, 0.157-115; On 29th Oct, 19th Nov and 10th Dec the course starts only at 13.00.
WF AOT-GL ab 1
PF NT-MA 1
Erdmann, A.  
 

Laboratory on Semiconductor and Device Metrology

PR; 3 cred.h; certificate; ECTS: 2,5; Voraussetzung: Vorlesungen Technologie integrierter Schaltungen und/oder Halbleiter- und Bauelementemesstechnik; Das Praktikum findet ggf. als Blockpraktikum in der vorlesungsfreien Zeit statt. Termin nach Vereinbarung. Anmeldung über StudOn; Preliminary meeting: 23.10.2015, 14:00 - 14:30 Uhr, BR 1.161
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF ME-DH-PEEI 5-10
Dirnecker, T.
Krach, F.
 
 

Laboratory on Microelectronics [PrakMikro]

PR; 3 cred.h; certificate; ECTS: 2,5; Nur für Studenten im Bachelorstudium EEI mit Studienrichtung Mikroelektronik belegbar!!; Preliminary meeting: 13.10.2015, 10:00 - 11:30 Uhr, 0.111
WPF EEI-BA-MIK 5-6 Scharin, M.  
     tbd.    Krach, F. 
 Versuchstermine werden in der Vorbesprechung festgelegt
     tbd.    Röber, J. 
 Versuchstermine werden in der Vorbesprechung festgelegt
     tbd.    Frickel, J.
Glein, R.
 
 Versuchstermine werden in der Vorbesprechung festgelegt
 

Laboratory on Silicon Semiconductor Processing [Prak TeSi]

PR; 3 cred.h; certificate; ECTS: 2,5; Hinweis: Das Praktikum wird im Wintersemester 2015/16 nicht angeboten; Zeit und Raum n.V.
WPF ME-DH-PEEI ab 5
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-BA-LE 5-6
WPF EEI-MA-LE 1-4
WPF ME-MA ab 1
Dirnecker, T.  
 

Reinraumpraktikum [RRPrak]

PR; 6 cred.h; ECTS: 5; Teilnahme an der Vorbesprechung am 16.10. ist verpflichtend! Anmeldung bei StudOn notwendig. Praktikumszeiten donnerstags werden nach Gruppeneinteilung bekanntgegeben.; Preliminary meeting: 16.10.2015, 14:00 - 15:30 Uhr, Hans-Georg-Waeber-Saal
PF NT-BA 5 Scharin, M.
Matthus, Ch.D.
Dirnecker, T.
 
     Thu8:00 - 9:00, 13:00 - 14:000.111  Matthus, Ch.D. 
     Thu8:00 - 9:00, 13:00 - 14:00BR 1.161  Scharin, M. 
     Thu
Thu
9:00 - 13:00
14:00 - 18:00
BR 1.161, 0.111
BR 1.161
  Matthus, Ch.D.
Scharin, M.
 
 Findet u.a. im Reinraum des LEB statt. Gruppeneinteilung am Semesterbeginn.
 

Seminar über Bachelorarbeiten [Sem BA]

SEM; 2 cred.h; ECTS: 2,5; Fri, 10:15 - 11:45, 0.111
  Dirnecker, T.  
 

Seminar on Theses

SEM; 2 cred.h; Fri, 12:15 - 13:45, 0.111; (Termine werden bekannt gegeben und sind auf der Homepage des Lehrstuhls zu finden
  Matthus, Ch.D.  
 

Technology of Semiconductor Manufacturing Equipment

VORL; 2 cred.h; ben. certificate; ECTS: 2,5; Tue, 10:15 - 11:45, Raum n.V., (außer Tue 10.11.2015, Tue 17.11.2015, Tue 1.12.2015, Tue 8.12.2015, Tue 15.12.2015); Die Vorlesung findet im Seminarraum 2 am Fraunhofer IISB (Schottkystr. 10, 1. OG) statt. Termin am 22.12.: Reinraumbesichtigung; Preliminary meeting: 14.10.2015, 15:15 - 16:00 Uhr
WF EEI-MA ab 1
WF EEI-BA ab 5
WPF ME-BA-MG10 3-6
WPF ME-MA-MG10 1-3
WF WW-DH-EL 7-13
Pfitzner, L.
Schmutz, W.
 
 

Technology of Integrated Circuits

VORL; 3 cred.h; ECTS: 5; benoteter Schein möglich; Tue, 16:00 - 18:15, Hans-Georg-Waeber-Saal; single appointment on 3.11.2015, single appointment on 17.11.2015, 16:00 - 18:30, H6
WPF BPT-MA-E 1-3
PF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-BA-MIK 5-6
PF EEI-MA-MIK 1-4
WPF EEI-MA-MIK 1-4
PF INF-NF-EEI 5
WPF ME-BA-MG4 3-6
WPF ME-MA-MG4 1-3
WF NT-MA ab 1
Frey, L.  
 

Übung zu Technologie integrierter Schaltungen

UE; 1 cred.h; Veranstaltung nach Absprache evtl. 14-tägig; Mon, 16:15 - 17:45, H6, 0.111; Die Übung findet 14-tägig als 2-stündige Veranstaltung statt. Der Beginn der Übung wird in der Vorlesung bekannt gegeben,
PF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-BA-MIK 5-6
PF EEI-MA-MIK 1-4
WPF EEI-MA-MIK 1-4
PF INF-NF-EEI ab 5
WPF ME-BA-MG4 3-6
WPF ME-MA-MG4 1-3
WF NT-MA ab 1
WPF BPT-MA-E 1-3
Matthus, Ch.D.  
 

Technologie medizinischer Mikrosysteme

VORL; 2 cred.h; ECTS: 2,5; Mon, 14:15 - 15:45, 0.111
WPF MT-MA-MEL ab 2 Dirnecker, T.  
 

Virtuelle Vorlesung Halbleiterbauelemente (vhb)

VORL; 4 cred.h; enthält 2 SWS Übung; in Kooperation mit Prof. Schmidt-Landsiedel (TU München), Anmeldung bei der virtuellen Hochschule Bayern (vhb)
  Ryssel, H.
u.a.
 
 

Virtuelle Vorlesung Technologie und Architektur mikroelektronischer Schaltungen (vhb)

VORL; 4 cred.h; enthält 2 SWS Übung; Anmeldung bei der virtuellen Hochschule Bayern (vhb)
  Ryssel, H.  
 

Reliability and Failure Analysis of Integrated Circuits

VORL; 2 cred.h; ben. certificate; ECTS: 4; Wed, 16:15 - 17:45, 0.111
WPF BPT-MA-E 1-3
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
Pichler, P.  
 

Übung zu Zuverlässigkeit und Fehleranalyse integrierter Schaltungen

UE; 1 cred.h; ben. certificate; Erster Termin der Übung wird in der Vorlesung bekannt gegeben.
WPF BPT-MA-E 1-3
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
Pichler, P.  


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