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Crystal Growth & Semiconductor Technology NT (CG NT)15 ECTS (englische Bezeichnung: Crystal Growth NT)
Modulverantwortliche/r: Peter Wellmann Lehrende:
Peter Wellmann, Jochen Friedrich
Startsemester: |
WS 2015/2016 | Dauer: |
2 Semester | Turnus: |
halbjährlich (WS+SS) |
Präsenzzeit: |
165 Std. | Eigenstudium: |
285 Std. | Sprache: |
Deutsch und Englisch |
Lehrveranstaltungen:
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Elektronische Bauelemente und Materialfragen (Technologie II) (SS 2016)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Mi, 8:30 - 10:00, 3.71; keine Vorlesung am 04.05.2016)
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Exkursionen (SS 2016)
(Exkursion, Peter Wellmann, bitte Aushänge beachten)
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Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie (WS 2015/2016)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Di, 14:15 - 15:45, 3.71)
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Praktikum Wahlfach Crystal Growth (WS 2015/2016)
(Praktikum, 3 SWS, Peter Wellmann, Do, 8:00 - 18:00, 3.71; n.V.)
- Wahlvorlesungen
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Technologie der Züchtung von Halbleiterkristallen und Photovoltaik (SS 2016 - optional)
(Vorlesung, 1 SWS, Jochen Friedrich, Fr, 16:15 - 17:45, Raum n.V.; Seminarraum 1, Fraunhofer IISB, Schottkystr.10, 91058 Erlangen)
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Halbleiter großer Bandlücke (SS 2016 - optional)
(Vorlesung, 1 SWS, Peter Wellmann, Mi, 14:15 - 15:45, 3.71; 6 Termine n.V. / keine Vorlesung am 04.05.2016)
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Aufbau- und Verbindungstechnik in der Leistungselektronik (WS 2015/2016 - optional)
(Vorlesung, 2 SWS, Uwe Scheuermann, Fr, 12:15 - 13:45, A 2.16)
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Numerische Modellierung des Kristallwachstums mithilfe des Programmpakets COMSOL Multi-Physics (SS 2016 - optional)
(Vorlesung mit Übung, 1 SWS, Anwesenheitspflicht, Peter Wellmann)
Empfohlene Voraussetzungen:
Bachelor in Materialwissenschaften, Nanotechnologie, Energietechnik, Elektrotechnik, Physik, Chemie oder in einem vergleichbaren Studiengang
Inhalt:
Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie
Grundlagen des Kristallwachstums
Grundlagen der Silizium Halbleitertechnologie (Oxidation, Dotierung mittels Diffusion und Ionenimplantation, Ätzen, Metallisierung, Lithografie, Packaging)
Elektronische Bauelemente und Materialfragen
Korrelation von Bauelementfunktion (Bipola-Diode, Bipolar-Transistor, Schottky-Diode, Feldeffekt-Transistor, Leucht- und Laserdiode) Mit Materialeigenschaften
Grundlagen der Epitaxie
Kristallwachstum - Ausgewählte Kapitel
Praktikum
Czochralski Kristallwachstum von InSb
Modellierung in der Kristallzüchtung
Halbleitercharakterisierung
Lernziele und Kompetenzen:
Literatur:
Wird in den Lehrveranstaltungen angegeben.
Verwendbarkeit des Moduls / Einpassung in den Musterstudienplan: Das Modul ist im Kontext der folgenden Studienfächer/Vertiefungsrichtungen verwendbar:
- Nanotechnologie (Master of Science)
(Po-Vers. 2011 | Wahlmodule (Module M5 bis M8) | Werkstoffwissenschaftliches Wahlmodul I und II)
Studien-/Prüfungsleistungen:
Crystal Growth NT (Prüfungsnummer: 688067)
(englischer Titel: Crystal Growth NT)
- Prüfungsleistung, mündliche Prüfung, Dauer (in Minuten): 30, benotet
- Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %
- Erstablegung: WS 2015/2016, 1. Wdh.: SS 2016
1. Prüfer: | Peter Wellmann |
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UnivIS ist ein Produkt der Config eG, Buckenhof |
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