Crystal Growth & Semiconductor Technology MWT (M2 - M3) (CGMWT)12.5 ECTS
(englische Bezeichnung: Crystal growth MWT)
(Prüfungsordnungsmodul: Crystal Growth)

Lectures:

• • Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie (WS 2015/2016)
    (Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Tue, 14:15 - 15:45, 3.71)
  • Praktikum Wahlfach Crystal Growth (WS 2015/2016)
    (Praktikum, 3 SWS, Peter Wellmann, Thu, 8:00 - 18:00, 3.71; n.V.)
  • Elektronische Bauelemente und Materialfragen (Technologie II) (SS 2016)
    (Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Wed, 8:30 - 10:00, 3.71; keine Vorlesung am 04.05.2016)
  • Exkursionen (SS 2016)
    (Exkursion, Peter Wellmann, bitte Aushänge beachten)
• Wahlvorlesungen

  Aus den optionalen Wahlveranstaltungen können Vorlesungen gewählt werden, die mit 3 ECTS in das Modul eingehen.

  • Halbleiter großer Bandlücke (SS 2016 - optional)
    (Vorlesung, 1 SWS, Peter Wellmann, Wed, 14:15 - 15:45, 3.71; 6 Termine n.V. / keine Vorlesung am 04.05.2016)
  • Technologie der Züchtung von Halbleiterkristallen und Photovoltaik (SS 2016 - optional)
    (Vorlesung, 1 SWS, Jochen Friedrich, Fri, 16:15 - 17:45, Raum n.V.; Seminarraum 1, Fraunhofer IISB, Schottkystr.10, 91058 Erlangen)
  • Aufbau- und Verbindungstechnik in der Leistungselektronik (WS 2015/2016 - optional)
    (Vorlesung, 2 SWS, Uwe Scheuermann, Fri, 12:15 - 13:45, A 2.16)
  • Numerische Modellierung des Kristallwachstums mithilfe des Programmpakets COMSOL Multi-Physics (SS 2016 - optional)
    (Vorlesung mit Übung, 1 SWS, Anwesenheitspflicht, Peter Wellmann)

Empfohlene Voraussetzungen:

Bachelor in Materialwissenschaft, Nanotechnologie, Energietechnik, Elektrotechnik, Physik, Chemie oder in einem vergleichbaren Studiengang.

Inhalt:

Grundlagen des Kristallwachstums und er Halbleitertechnologie

• Grundlagen des Kristallwchstums

• Grundlagen der Silizium Halbleitertechnologie (Oxidation, Dotierung mittels Diffusion und Ionenimplantation, Ätzen, Metallisierung Lithographie, Packaging)
  

Elektronische Bauelemente und Materialfragen

• Korrelation von Bauelementfunktion (Bipolar-Diode, Bipolar-Transistor, Schottky-Diode, Feldeffekt-Transistor, Leucht- und Laserdiode) mit Materialeigenschaften

• Grundlagen der Epitaxie
  

Praktikum:

• Czochralski Kristallwachstum vonInSb

• Modellierung in der Kristallzüchtung

• Halbleitercharakterisierung

Lernziele und Kompetenzen:

Die Studierenden

• erwerben fundierte Kenntninsse über Materialeigenschaften und deren Anwendungen in elektronischen Bauelementen

• lernen experimentelle Techniken in den Werkstoffwissenschaften kennen und können sie selbständig anwenden

• können Theorien, Terminologien und Lehrmeinungen des Faches, erläutern, anwenden und reflektieren

• können in Gruppen kooperativ und verantwortlich arbeiten

Literatur:

wird in den Lehrveranstaltungen angegeben

Verwendbarkeit des Moduls / Einpassung in den Musterstudienplan:

1. Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science)
   (Po-Vers. 2010 | Module M1 - M3 (gegliedert nach Kernfächern) | Kernfach Allgemeine Werkstoffeigenschaften | 2. Werkstoffwissenschaftliches Modul (M2) | Crystal Growth)
2. Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science)
   (Po-Vers. 2010 | Module M1 - M3 (gegliedert nach Kernfächern) | Kernfach Allgemeine Werkstoffeigenschaften | 3. Werkstoffwissenschaftliches Modul (M3) | Crystal Growth)
3. Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science)
   (Po-Vers. 2010 | Module M1 - M3 (gegliedert nach Kernfächern) | Kernfach Werkstoffkunde und Technologie der Metalle | 2. Werkstoffwissenschaftliches Modul (M2) | Crystal Growth)
4. Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science)
   (Po-Vers. 2010 | Module M1 - M3 (gegliedert nach Kernfächern) | Kernfach Werkstoffkunde und Technologie der Metalle | 3. Werkstoffwissenschaftliches Modul (M3) | Crystal Growth)
5. Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science)
   (Po-Vers. 2010 | Module M1 - M3 (gegliedert nach Kernfächern) | Kernfach Glas und Keramik | 2. Werkstoffwissenschaftliches Modul (M2) | Crystal Growth)
6. Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science)
   (Po-Vers. 2010 | Module M1 - M3 (gegliedert nach Kernfächern) | Kernfach Glas und Keramik | 3. Werkstoffwissenschaftliches Modul (M3) | Crystal Growth)
7. Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science)
   (Po-Vers. 2010 | Module M1 - M3 (gegliedert nach Kernfächern) | Kernfach Korrosion und Oberflächentechnik | 2. Werkstoffwissenschaftliches Modul (M2) | Crystal Growth)
8. Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science)
   (Po-Vers. 2010 | Module M1 - M3 (gegliedert nach Kernfächern) | Kernfach Korrosion und Oberflächentechnik | 3. Werkstoffwissenschaftliches Modul (M3) | Crystal Growth)
9. Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science)
   (Po-Vers. 2010 | Module M1 - M3 (gegliedert nach Kernfächern) | Kernfach Polymerwerkstoffe | 2. Werkstoffwissenschaftliches Modul (M2) | Crystal Growth)
10. Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science)
    (Po-Vers. 2010 | Module M1 - M3 (gegliedert nach Kernfächern) | Kernfach Polymerwerkstoffe | 3. Werkstoffwissenschaftliches Modul (M3) | Crystal Growth)
11. Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science)
    (Po-Vers. 2010 | Module M1 - M3 (gegliedert nach Kernfächern) | Kernfach Werkstoffe in der Elektrotechnik | 2. Werkstoffwissenschaftliches Modul (M2) | Crystal Growth)
12. Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science)
    (Po-Vers. 2010 | Module M1 - M3 (gegliedert nach Kernfächern) | Kernfach Werkstoffe in der Medizin | 2. Werkstoffwissenschaftliches Modul (M2) | Crystal Growth)
13. Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science)
    (Po-Vers. 2010 | Module M1 - M3 (gegliedert nach Kernfächern) | Kernfach Werkstoffe in der Medizin | 3. Werkstoffwissenschaftliches Modul (M3) | Crystal Growth)
14. Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science)
    (Po-Vers. 2010 | Module M1 - M3 (gegliedert nach Kernfächern) | Kernfach Werkstoffsimulation | 2. Werkstoffwissenschaftliches Modul (M2) | Crystal Growth)
15. Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science)
    (Po-Vers. 2010 | Module M1 - M3 (gegliedert nach Kernfächern) | Kernfach Werkstoffsimulation | 3. Werkstoffwissenschaftliches Modul (M3) | Crystal Growth)
16. Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science)
    (Po-Vers. 2010 | Kernfach Mikro- und Nanostrukturfoschung | 2. Werkstoffwissenschaftliches Modul (M2) | Crystal Growth)
17. Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (Master of Science)
    (Po-Vers. 2010 | Kernfach Mikro- und Nanostrukturfoschung | 3. Werkstoffwissenschaftliches Modul (M3) | Crystal Growth)

Studien-/Prüfungsleistungen:

Crystal Growth MWT 3 (Prüfungsnummer: 63701)

(englischer Titel: Crystal growth MWT)

Prüfungsleistung, mündliche Prüfung, Dauer (in Minuten): 20, benotet

Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %

Erstablegung: WS 2015/2016, 1. Wdh.: SS 2016

1. Prüfer:

Peter Wellmann

Ort: 3.64