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  Leistungshalbleiterbauelemente

Dozent/in
Dr.-Ing. Tobias Erlbacher

Angaben
Vorlesung
2 SWS, benoteter Schein, ECTS-Studium, ECTS-Credits: 2,5, Sprache Deutsch
Zeit und Ort: Mo 10:15 - 11:45, 0.111

Studienfächer / Studienrichtungen
WF ME-DH-VF11 5-10 (ECTS-Credits: 5)
WPF ME-BA-MG3 3-6 (ECTS-Credits: 5)
WPF EEI-DH-AET 5-13 (ECTS-Credits: 5)
WPF EEI-DH-E&A 5-13 (ECTS-Credits: 5)
WF EEI-DH-MIK 5-13 (ECTS-Credits: 5)
PF EEI-DH-LE 5-13 (ECTS-Credits: 5)
PF EEI-BA-LE 5-6 (ECTS-Credits: 5)
WPF EEI-BA-EuA 5-6 (ECTS-Credits: 5)
PF EEI-MA-LE 1-4 (ECTS-Credits: 5)
WPF EEI-MA-EuA 1-4 (ECTS-Credits: 5)
WPF ME-MA-MG3 1-3 (ECTS-Credits: 5)

ECTS-Informationen:
Title:
Semiconductor Power Devices and Smart Power ICs

Credits: 2,5

Literature
  • B. J. Baliga, Semiconductor Power Devices, PWS Publishing Company, 1995
  • B. Murari, F. Bertotti, G. A. Vignola (Eds.), Smart Power ICs, Springer, 1996

  • D. A. Grant, J. Gowar, Power MOSFETs, Theory and Applications, Wiley, 1989

  • V. Benda, J. Gowar, D. A. Grant, Power Semiconductor Devices, Wiley, 1999

Zusätzliche Informationen
Schlagwörter: Leistungsbauelemente Halbleiter
Erwartete Teilnehmerzahl: 15
www: http://www.leb.eei.uni-erlangen.de

Zugeordnete Lehrveranstaltungen
UE: Übung zu Leistungshalbleiterbauelemente
Dozent/in: Dr.-Ing. Tobias Erlbacher
Zeit und Ort: Di 8:15 - 9:45, 0.111

Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
Startsemester WS 2011/2012:
Leistungshalbleiterbauelemente

Institution: Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
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